含低卤化硅的复合颗粒
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118265674A

    公开(公告)日:2024-06-28

    申请号:CN202180104280.9

    申请日:2021-11-16

    Abstract: 本发明涉及含低卤化硅的复合颗粒,其具有3.>30重量%的Si含量,4.放置在多孔基质的孔中和孔上的硅,5.0.0003至16重量%的卤素浓度,6.3至9的pH,和7.直径百分位数d50为0.5至20μm的体积加权粒度分布;涉及制备含低卤化硅的复合颗粒的方法;涉及用于锂离子电池的阳极材料,所述阳极材料含有所述复合颗粒;涉及阳极,其包括涂覆有所述的阳极材料的集电器;并且涉及锂离子电池,其包含至少一个阳极,所述阳极含有所述的复合颗粒。

    多晶硅颗粒生产设备
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118125449A

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202410271938.0

    申请日:2024-03-11

    Inventor: 范增涵 杨楠

    Abstract: 本申请提供一种多晶硅颗粒生产设备,包括:流化床反应器,用于生成多晶硅颗粒;除杂装置,具有第一腔室、第一进气管和第一出气管,第一腔室用于处理多晶硅颗粒,第一进气管用于向第一腔室提供氢气,第一出气管用于排出多晶硅颗粒吸附的杂质;气体置换装置,具有第二腔室、第二进气管和第二出气管,第二腔室用于处理除杂后的多晶硅颗粒,第二进气管用于向第二腔室提供惰性气体,第二出气管用于排出第二腔室内的混合气体。除杂装置独立于流化床反应器,相比较于现有技术中集成了除杂装置和流化床反应器的多晶硅颗粒生产设备,本申请的多晶硅颗粒生产设备可以同时进行多晶硅颗粒的生产和对多晶硅颗粒的除杂,具有生产效率高的优势。

    一种应用于颗粒硅生产尾气的硅烷气回收系统及方法

    公开(公告)号:CN117985721A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202410049880.5

    申请日:2024-01-13

    Abstract: 本发明公开了一种应用于颗粒硅生产尾气的硅烷气回收系统及方法,系统包括尾气输送管、换热机构、第一换热器、储罐和硅烷提纯机构;硅烷提纯机构包括除甲烷塔,除甲烷塔设有第一进口和第一出口;换热机构设有用于热交换的管程流道和壳程流道,换热机构的管程流道的进口和尾气输送管连接,换热机构的管程流道的出口和第一换热器的管程进口连接,第一换热器的管程出口和储罐的进口连接;换热机构的壳程流道的进口和储罐的出口连接,换热机构的壳程流道的出口和除甲烷塔的第一进口连接,除甲烷塔的第一出口连接有用于输送硅烷的硅烷输送管道。本发明实现了对颗粒硅生产尾气中硅烷的分离和回收,减少了硅烷的浪费。

    负极活性颗粒及其制备方法、负极极片、电池及电子设备

    公开(公告)号:CN117976868A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410126596.3

    申请日:2024-01-29

    Inventor: 于沛 李魁 田晨

    Abstract: 本申请提供一种负极活性颗粒及其制备方法、负极极片、电池及电子设备。本申请的负极活性颗粒包括:骨架,骨架具有多个孔隙;以及硅颗粒,硅颗粒位于多个孔隙中,硅颗粒与孔隙的内壁之间的具有间隙,间隙的宽度的范围为0.4nm至1nm;负极活性颗粒具有第一X射线衍射图,在第一X射线衍射图中,间隙与硅颗粒满足关系式0.6≤Ia/Ib≤0.95,其中,Ia为第一X射线衍射图中,2θ为8.8°至22°范围内衍射强度的最小值;Ib为第一X射线衍射图中,2θ为28.2°至28.5°的Si(111)的衍射峰的强度;2θ为衍射角。本申请的负极活性颗粒具有较低的膨胀率及较高的循环容量保持率。

    多晶硅还原炉供料系统
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110436467B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN201910760915.5

    申请日:2019-08-16

    Abstract: 本发明公开了一种多晶硅还原炉供料系统,包括雾化装置和管道式挥发器,雾化装置限定有雾化腔且设有与雾化腔连通的三氯氢硅液体进口、氢气进口和雾出口,雾化装置用于将进入雾化腔的三氯氢硅液体和氢气进行均匀雾化,产生雾气并经过雾出口排出;管道式挥发器包括内管和加热组件,内管一端与雾化装置的雾出口连通,另一端与还原炉连通;加热组件位于内管的外周并沿内管长度方向延伸;加热组件用于对从雾出口进入内管的雾气加热汽化形成混合气,以向还原炉供入混合气。本发明的多晶硅还原炉供料系统稳定性高,配比精度高,配比调节灵活,多晶硅产品质量高。

    一种多晶硅还原炉电极

    公开(公告)号:CN109626378B

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN201910150017.8

    申请日:2019-02-28

    Inventor: 罗文富

    Abstract: 本发明涉及一种多晶硅还原炉电极,包括能与石墨座锥孔配合的锥头及与锥头固定连接的电极体,将锥头一端称为上端,另一端称为下端,其特征在于,还包括陶瓷套筒,所述陶瓷套筒同轴套设在所述电极体上并且其上端与所述锥头密封连接,所述电极体中心设置有上端封闭的空腔并且在靠近上端处的侧壁上周向布置有若干通孔,冷却水从所述空腔的下端进入经由所述通孔从所述电极体与所述陶瓷套筒之间的间隙流出。由于冷却水可以从内壁和外壁对电极体进行冷却,因此提高了冷却效率,延长了电极的使用寿命;由于采用陶瓷套筒,使得电极体与炉体良好绝缘,因此杜绝了触电危险。

    液态硅生产装置及方法
    30.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107973300B

    公开(公告)日:2024-01-05

    申请号:CN201610938912.2

    申请日:2016-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种液态硅生产装置及方法,该装置包括依次连接的等离子发生器、反应器、硅液承载器和尾气分离系统,在反应器内依次存在气体冷凝区、液滴形成区和液滴生长区。该方法是使物料在装置内进行原子态物料‑微小硅液滴‑大的硅液滴‑硅液的转化,对大部分硅物质进行液态收集,只有很少一部分的硅物质形成硅微粉从尾气系统排出。采用本发明,能够直接得到高纯液态硅材料,操作工序简单,且允许液态硅材料直接输送到下游的铸锭工序、直拉单晶工序或者制备硅片等工序,能够极大降低多晶硅生产投资成本,保证生产装置稳定长周期运行,提高产量。

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