压敏非线性电阻器陶瓷,制造方法和压敏非线性电阻器

    公开(公告)号:CN100442400C

    公开(公告)日:2008-12-10

    申请号:CN01137696.1

    申请日:2001-11-15

    Abstract: 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、Ca及Ti组成的第一成分;第二成分和第三成分至少之一,第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成,第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成;以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为0.10≤a/(a+b+c)≤0.40,0.30≤b/(a+b+c)≤0.50,0.20≤c/(a+b+c)≤0.50,0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16,1.0≤(e+f)/d×100≤10.0,以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca及Ti的至少一种组成,并具有形成压缩应力的表面。

    电极制造方法以及电极制造装置

    公开(公告)号:CN101685854B

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN200910175623.1

    申请日:2009-09-24

    Abstract: 本发明提供一种电极制造方法,该方法对在表面上具有突起物的薄片,能够均匀地涂布涂布液。根据借助于电极制造装置(100)的电极制造方法,具有:倾斜工序,通过挤压集电体薄片(2A)的表面,其中,所述集电体薄片(2A)具有从在一定方向上被传送的表面延伸至外面的突起部(4a),从而使该突起部(4a)在与集电体薄片(2A)的一定方向相反的方向上倾斜;和涂布工序,对通过倾斜工序使突起部倾斜并且在上述一定方向上被传送的集电体薄片(2A),由狭缝口模(12)来涂布涂布液(3A)。通过挤压集电体薄片(2A)的表面,使薄片表面的突起部(4a)在与传送方向相反的方向上倾斜之后,在该表面上涂布涂布液(3A)。因此,对集电体薄片(2A)能够均匀地涂布涂布液(3A)。

    电化学装置
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101546846B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200910129457.1

    申请日:2009-03-20

    CPC classification number: H01M10/0525 H01M10/058 H01M10/4235 H01M2200/10

    Abstract: 一种电化学装置,具备:含有正极(20)、负极(10)、以及第1分隔层(40)的层叠构造的电极素体(85),以及分别与正极(20)和负极(10)电连接的第1和第2虚拟电极(60、70);第1和第2虚拟电极(60、70)在电极素体(85)的外周部具有隔着第2分隔层(45)而相对的相对部分(80),第1和第2虚拟电极(60、70)的一方或双方至少在相对部分(80)的相互相对的一侧具有阻抗控制层,阻抗控制层具有第1和第2虚拟电极(60、70)之间的内部短路估计电流成为相当于0.09C~相当于1.00C的范围的阻抗值,第1和第2虚拟电极(60、70)以在比正极(20)和负极(10)更低的温度下发生短路的方式构成。

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