公开(公告)号：CN100557727C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200510131504.8

申请日：2005-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史

IPC: H01F17/00 ,  H01F10/26 ,  G11B5/31 ,  H01F41/02 ,  H01F41/32 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01F41/041 ,  H01F17/0013 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/323 ,  H01F41/046

Abstract: 在电子装置中，在位于装置内部的金属导体(23和27)上的绝缘层24，26和28由酚醛清漆树脂制成的绝缘层形成，在这些绝缘层上覆盖由聚酰亚胺组成的绝缘层用作绝缘层(30)并露在装置的表面上。这样可以阻止每一绝缘层(24，26和28)的一部分开口露出金属导体的情形，重新加工也可以容易的实行。采用由聚酰亚胺树脂组成的绝缘层作为暴露在装置表面上的绝缘层(30)，提供了优异的耐候性和可靠性。

公开(公告)号：CN1755522A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510116592.4

申请日：2005-09-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/037 ,  C09D179/08 ,  H01F10/26 ,  H01F41/14

CPC classification number: G03F7/0387 ,  H01F17/0006 ,  H01F41/042 ,  H05K3/0023 ,  H05K3/28 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2203/0577

Abstract: 本发明提供了一种在金属导体32上形成光敏性聚酰亚胺图案38的方法，包括以这个顺序执行下列(A)到(E)的步骤：(A)通过在金属导体32上涂敷酯键型光敏性聚酰亚胺前体组合物形成酯键型光敏性聚酰亚胺前体层33的步骤；(B)通过在前体层33上涂敷离子键型光敏性聚酰亚胺前体组合物，形成离子键型光敏性聚酰亚胺前体层34直到前体层34的厚度达到所需厚度的步骤；(C)通过掩模35曝光以转移作为潜像36的掩模图案到前体层33和34上的步骤；(D)显影步骤；和(E)通过固化已显影聚体层33和34，形成聚酰亚胺图案38的步骤。

公开(公告)号：CN1604229A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410085191.2

申请日：2004-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 上岛聪史

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC classification number: G11C11/16 ,  H01L27/224

Abstract: 本发明的课题是提供能高效地利用由流过导线的电流所形成的磁场以稳定地进行信息的写入、同时能更简便地制造的磁存储器件及其制造方法。由于包含在基体31上形成一对层叠体S20a、S20b的层叠体形成工序、以至少覆盖一对层叠体S20a、S20b的方式形成下部磁轭4B的下部磁轭形成工序以及在下部磁轭4B上经作为第1绝缘膜的绝缘膜7A以在第1层内L1互相邻接地排列的方式同时形成一对第1部分6F和写入位线5a、5b的写入线形成工序，故可使制造工序进一步简化。