公开(公告)号：CN110571264A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910877635.2

申请日：2019-09-17

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  李顺 ,  黄垚 ,  黄元熙 ,  黄义 ,  贺利军 ,  张红升

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及一种具有多通道电流栓的SA-LIGBT器件，属于功率半导体器件领域。本发明的多通道电流栓的SA-LIGBT器件主要是在器件的集电极区域设置n个横向P柱，形成多个电子通道，构成电流栓结构，具有以下作用：(1)正向导通时，电流栓相对于对电子电流呈关闭状态，使得晶体管的集电极短路电阻增大，从而完全消除传统SA-LIGBT的snapback效应；(2)正向导通时降低压降Von；(3)关断时，P柱之间形成的三条电子通道可有效提高电子的抽取效率，减少关断时间。

公开(公告)号：CN110518068A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201910818394.4

申请日：2019-08-30

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 黄义 ,  李金鹏 ,  陈伟中 ,  李顺 ,  张金沙 ,  黄垚

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/324 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明涉及一种具有p-GaN栅结构的常关型InAlN/GaN HMET器件及其制备方法，属于半导体功率器件领域。本发明的器件包括衬底、GaN缓冲层、InAlN势垒层、p-GaN帽层、栅极、源极、漏极和钝化层，其中GaN缓冲层与InAlN势垒层形成异质结，可以抑制电流坍塌效应和调制沟道电场分布以提高器件的击穿电压；本发明通过使用In组份0.17的InAlN材料作为势垒层，实现了异质结的晶格匹配，增大了电子阻挡层势垒高度，因此可以减小器件的导通电阻和栅极漏电流；另外使用高介电常数材料作为钝化层，能够降低器件靠近漏极的栅极边缘处的电场峰值，提高了InAlN HEMT器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN109920840A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910213984.4

申请日：2019-03-20

Applicant: 重庆邮电大学

Inventor： 陈伟中 ,  黄垚 ,  李顺 ,  黄义 ,  贺利军

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明涉及一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件，以L型SiO2隔离层为界，分为LDMOS区和LIGBT区，工作过程中具有以下优点：(1)降低了器件电场尖峰，避免了在器件表面提前击穿，从而提高了击穿电压；(2)在正向导通时三种模式的转换过程中器件处于平稳过度状态，无电流突变情况；(3)在反向导通时，LDMOS区独立工作，N-Collector提供电子，发射极反向偏压下P-body直接注入空穴到漂移区，赋予器件逆向双极模式的导通能力。经过相同参数条件下经仿真验证，本发明复合型RC-LIGBT器件的击穿电压提高到206.05V；无Snapback现象、同时还具有反向导通能力。