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公开(公告)号：CN115886760A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310118274.X
申请日：2023-02-15
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: A61B5/021 , G06N3/0464 , G06N3/08 , A61B5/00
Abstract: 本发明公开了一种血压数据预测方法、装置、电子设备及可读存储介质，其中的血压数据预测方法包括如下步骤：获取光电容积脉搏波信号并对光电容积脉搏波信号进行滤波处理，以获取第一处理信号；对第一处理信号进行去噪处理，以得到第二处理信号；将第二处理信号输入血压预测模型，得到血压预测数据；血压预测模型为基于串联的残差网络块和频谱‑时间块的深度卷积神经网络。通过执行本发明中的方法，能够仅一路光电容积脉搏波信号得到血压预测数据，操作简单，且精度较高。
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公开(公告)号：CN115494464A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211067975.7
申请日：2022-09-01
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了线性调频信号的预失真补偿方法、电子设备及存储介质，其中的方法包括：获取待补偿线性调频信号，以及待补偿线性调频信号的第一发射反馈信号和第二发射反馈信号；分别获取待补偿线性调频信号、第一发射反馈信号和第二发射反馈信号的脉冲位置信息；分别计算得到待补偿脉宽信号、第一脉宽信号和第二脉宽信号的幅度和相位；根据第一脉宽信号和第二脉宽信号的幅度计算得到待补偿脉宽信号的幅度预失真量；根据第一脉宽信号和第二脉宽信号的相角计算得到待补偿脉宽信号的相角预失真量；根据幅度预失真量和相角预失真量分别对补偿脉宽信号的幅度和相角进行补偿，得到补偿后的线性调频信号。本发明中的方法，能够减少预失真补偿的计算量。
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公开(公告)号：CN111081762B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201911323134.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/34 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 一种HEMT器件的外延结构，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、低温三维层、填平层、高阻层、沟道层以及势垒层，其中填平层是由H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层2循环生长组成，包括H2处理层、MgGaN的二维层、GaN恢复层，本发明通过循环生长H2处理层/MgGaN二维层/GaN恢复层填平层可以大幅度降低材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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公开(公告)号：CN112713188B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011568133.0
申请日：2020-12-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、AlxGa1‑XN势垒层以及帽层，所述应力调控层是由AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长组成，具体包括AlN晶核层、AlGaN应力控制层、网状结构SiNx薄层及GaN填平层，外延材料方面，本发明应力调控层为AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长复合层，降低了材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压等特性；在器件工艺方面，凹栅槽刻蚀通过两步法刻蚀直到将AlxGa1‑xN势垒层刻蚀完，充分结合了干法刻蚀的高效率特点和湿法刻蚀的低界面损伤优势，此外，本发明的TMAH溶液有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽界面不平整问题。
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公开(公告)号：CN112713188A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011568133.0
申请日：2020-12-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种GAN基增强型MIS‑HEMT器件，属于微电子技术领域，包括从下至上依次层叠设置的衬底、成核层、应力调控层、GaN沟道层、插入层、AlxGa1‑XN势垒层以及帽层，所述应力调控层是由AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长组成，具体包括AlN晶核层、AlGaN应力控制层、网状结构SiNx薄层及GaN填平层，外延材料方面，本发明应力调控层为AlN/AlGaN/SiNX/GaN循环生长复合层，降低了材料的位错密度，提高晶格质量，从而提升器件的电子迁移率、击穿电压等特性；在器件工艺方面，凹栅槽刻蚀通过两步法刻蚀直到将AlxGa1‑xN势垒层刻蚀完，充分结合了干法刻蚀的高效率特点和湿法刻蚀的低界面损伤优势，此外，本发明的TMAH溶液有效降低由于热氧化不均匀造成的栅极凹槽界面不平整问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109649213B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201811398509.0
申请日：2018-11-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开一种开放式电池配电管理系统，包括电池单元、电池接口、充电接口装置、充电接触器装置、输出接触器装置、输出接口和控制装置，电池单元与电池接口连接，电池接口还与充电接触器装置和输出接触器装置连接，输出接触器装置与输出接口连接，控制装置与电池单元、充电接触器装置以及输出接触器装置连接，通过设置便携式电池能够灵活调整电池组容量，同时通过设置充电接触器装置、输出接触器装置和控制装置，能够有效地解决电池组充放电时能量释放不均衡的问题，本发明提高了电池使用寿命和电能利用率并能够灵活调整电池组容量，实现了一组或多组电池工作，同时其他组电池充电的能量管理机制。
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公开(公告)号：CN109532530B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201811397933.3
申请日：2018-11-22
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Abstract: 本发明公开了一种电动公交车无人自动充电系统，涉及新能源汽车技术领域，包括防雨棚、充电桩、充电组件、停车平台以及受电装置，所述充电桩安装于防雨棚的一侧，所述充电组件安装于防雨棚的底面，所述充电组件包括充电电极、充电座、横向电机、丝杠、丝杠螺母、定位板以及收纳腔，本发明结构简单，可操作性强，充电稳定性好，受电装置能够与充电组件自动对接，整个充电过程无需人工手动操作，且停车方便，误差小。
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公开(公告)号：CN110890423A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911187139.0
申请日：2019-11-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/51 , H01L21/335
Abstract: 一种高压氮化镓功率器件结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括衬底、低温氮化铝/氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，介质层的材质为Ta2O5与SiO2复合薄膜材料，在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，采用本方法形成的MIS栅极结构，其栅极漏电流更小，抗击穿电压更高。器件的栅极漏电流相比常规SiO2栅介质结构会下降20％-30％，抗击穿电压增加20％-25％，而且制造工艺简单，重复性好的特点。同时结合器件HEMT原有的高阈值电压、高击穿电压、高电流密度、以及优良的夹断特性，适用于高压大功率电子器件应用。
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公开(公告)号：CN110867488A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911187312.7
申请日：2019-11-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: H01L29/778 , H01L29/51 , H01L21/335
Abstract: 一种氮化镓HEMT器件结构及其制备方法，属于微电子技术领域，包括衬底、低温铝镓氮成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极和介质层，介质层的材质为Ta2O5与Al2O3复合薄膜材料，在氮化镓沟道层与铝镓氮势垒层之间形成二维电子气沟道，采用本方法形成的MIS栅极结构，其栅极漏电流更小，抗击穿电压更高。器件的栅极漏电流相比常规Al2O3栅介质结构会下降20％-30％，抗击穿电压增加20％-25％，而且制造工艺简单，重复性好的特点。同时结合器件HEMT原有的高阈值电压、高击穿电压、高电流密度、以及优良的夹断特性，适用于高压大功率电子器件应用。
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公开(公告)号：CN110712565A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201911009916.2
申请日：2019-10-23
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: B60L58/26 , B60L58/27 , H01M10/613 , H01M10/615 , H01M10/625 , H01M10/633 , H01M10/663 , H01M10/6563 , H01M10/6571
Abstract: 本发明公开一种新型电池热管理系统及控制方法，涉及汽车电池领域，包括交直流充电桩辨别电路、功率开关模块、动力电池、加热膜、车载充电器模块、辅助电池模块、充电桩、空调系统和风扇，实现单接口兼容交直流充电的问题，并解决了电池在温度过高情况下热失控和损坏电池的问题，同时还解决了电池在温度过低时不能深度放电和降低电池容量的问题，提升电池整体性能及提高电动汽车续航里程。
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