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公开(公告)号：CN110517804B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN201910890608.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G21H1/06 , H01L29/45 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明的目的是提供一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池及其制备方法，解决了现有金刚石肖特基结核动力电池开路电压低、输出电流小的问题，从而提升金刚石核动力电池的性能和应用前景。该一种单晶金刚石n‑i‑p结核动力电池，包括层叠接触设置的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石层、i型金刚石层、p型金刚石层和p型欧姆电极；在n型金刚石层与i型金刚石层所接触的表面上，一部分接触设置i型金刚石层，其余部分接触设置n型欧姆电极；p型欧姆电极通过引线连接有，i型金刚石层通过引线连接有；还包括放射源，放射源设置于p型欧姆电极的上方，或者环绕设置于i型金刚石层的外侧。
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公开(公告)号：CN118150660A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262780.0
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/327 , G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种氨基终端金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述氨基终端金刚石溶液栅场效应晶体管包括：器件本体、DNA探针和参考电极；器件本体包括：氢终端金刚石衬底、源电极、漏电极和绝缘层；源电极和漏电极之间的氢终端金刚石衬底区域形成氨基终端金刚石表面；DNA探针修饰有羧基终端，与氨基终端金刚石表面的酰胺键共价偶联；DNA探针用于与miRNA‑24‑3p杂交。本发明公开了可用于miRNA‑24‑3p检测的基于共价偶联的氨基终端金刚石溶液栅场效应晶体管，具有固定化密度高、固定化效率高以及不易脱落等特点。
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公开(公告)号：CN115863436A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211600276.4
申请日：2022-12-12
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/16
Abstract: 本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域和氧终端区域，氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域；沟道区域的两端分别设置有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及未设置源漏电极的沟道区域上设置有应力调控薄膜；栅电极设置于应力调控薄膜和氧终端区域上。本发明引入了应力调控薄膜；基于应力调控薄膜，通过应力调控能够增强载流子迁移率，且不会损伤导电沟道的性能。
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公开(公告)号：CN110600554B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201910890607.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/328
Abstract: 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管及其制备方法，解决了传统金刚石p‑i‑n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题，从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n‑i‑p结二极管，其具体结构为：由下至上层叠设置的(100)晶向的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石和n型金刚石薄层；在n型金刚石薄层上：一部分为由下至上层叠设置的高导电表面和欧姆电极I，另一部分为由下至上层叠设置的i型金刚石、p型金刚石和欧姆电极II。
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公开(公告)号：CN110797399A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910943294.4
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用，包括：p-GaN材料层，所述p-GaN材料层形成有重掺杂p-GaN层；所述重掺杂p-GaN层上形成有底层接触金属层，所述底层接触金属层上形成有上层盖帽金属层；其中，重掺杂p-GaN层为Mg离子注入层，Mg离子浓度≥1×1019cm-3。本发明的p-GaN欧姆接触电极，具有低比接触电阻率的欧姆接触特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110600554A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910890607.4
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/328
Abstract: 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管及其制备方法，解决了传统金刚石p-i-n结二极管中n型层欧姆接触电阻率大、i型层质量低的问题，从而提升金刚石功率电子器件的性能和应用前景。一种(100)晶向金刚石n-i-p结二极管，其具体结构为：由下至上层叠设置的(100)晶向的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石和n型金刚石薄层；在n型金刚石薄层上：一部分为由下至上层叠设置的高导电表面和欧姆电极I，另一部分为由下至上层叠设置的i型金刚石、p型金刚石和欧姆电极II。
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公开(公告)号：CN106711241B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201611192837.6
申请日：2016-12-21
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯透明电极金刚石基紫外探测器及其制备方法，探测器从下至上至少包含绝缘衬底、金刚石紫外敏感层、透明石墨烯层和金属电极；金刚石紫外敏感层的表面处形成金刚石表面终端；所述透明石墨烯层设置于金刚石紫外敏感层的金刚石表面终端上；所述金刚石紫外敏感层中均布有若干三维结构。本发明结构利用石墨烯超高的面内电导特性和其对紫外光的全透过特性，以及三维结构金刚石紫外敏感层对紫外光入射增强的特性，提高了金刚石基紫外探测器的响应度及外量子效率。
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公开(公告)号：CN107369720A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710543596.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：包含金刚石衬底；金刚石衬底的一面设有金刚石外延层，另一面设有欧姆接触电极；金刚石外延层的表面形成有凸梁与沟道相间的微观结构；凸梁的表面形成有氧终端表面；氧终端表面上设有低势垒肖特基区域金属；金刚石外延层的微观结构中除凸梁表面的区域设有氟终端；低势垒肖特基区域金属和氟终端的表面形成一层高势垒肖特基区域金属。与现有技术相比，通过本发明，能够获得同时具有正向开启电压小、电流密度大、反向漏电流小、击穿电压高的肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN119133176A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411235183.5
申请日：2024-09-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/085 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/82 , H01L21/336 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种氢终端金刚石MOSFET/增强型氮化镓HEMT单片集成的互补电路及制备方法，本发明通过异质集成的方法将p型金刚石MOSFET和n型增强型氮化镓HEMT结合在一起制备逻辑互补电路，有效规避了金刚石难以实现n型器件、氮化镓难以实现p型器件的技术难题；金刚石/氮化镓的单片集成有利于减小器件体积，提高集成度，确保互补电路拥有高的开关速度和低损耗；金刚石热导率高，同时调制了氮化镓HEMT的热产生场分布，提升器件散热能力，为高温CMOS应用提供解决方案。
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公开(公告)号：CN119133175A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411231160.7
申请日：2024-09-04
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/085 , H01L21/82 , H01L29/78 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种氢终端金刚石/二维半导体单片集成的互补器件及制备方法。包括金刚石衬底、金刚石外延薄膜、氢终端二维空穴气层、台面隔离区、二维半导体层、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一栅极介质层、第二栅极介质层、第一栅电极和第二栅电极。本发明通过将p型氢终端金刚石和n型二维半导体结合在一起制备金刚石基半导体互补器件，实现在金刚石上的单片集成的互补器件，有效规避了目前金刚石难以实现n型MOS器件的技术难题，充分发挥了金刚石与二维材料各自的优势，实现了高性能金刚石基单片集成CMOS器件。
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