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公开(公告)号：CN118693806A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410787282.8
申请日：2024-06-18
Applicant: 国网陕西省电力有限公司 , 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种独立储能参与的电能量和辅助服务市场出清方法及系统，构建独立储能参与的电能量和运行备用市场出清模型；向独立储能参与的电能量和运行备用市场出清模型中加入二次调频辅助服务，形成联合市场出清模型；在联合市场出清模型中加入备用容量可传输性约束；给出联合市场出清模型的定价机制，获得电能量、运行备用及二次调频服务的边际价格。本发明提高了独立储能参与电力市场的积极性，降低了电力系统的运行成本，具有实用价值。
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公开(公告)号：CN118150666A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262750.X
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述金刚石溶液栅场效应晶体管包括：器件本体、DNA探针和参考电极；器件本体包括氢终端金刚石衬底、源电极、漏电极、绝缘层和金纳米颗粒；氢终端金刚石衬底上分布有与其形成欧姆接触的源电极和漏电极，金纳米颗粒分布于源电极和漏电极之间的氢终端金刚石衬底区域；金纳米颗粒表面修饰有氨基终端；DNA探针修饰有羧基终端，与金纳米颗粒偶联。本发明的金刚石溶液栅场效应晶体管可用于miRNA‑24‑3p检测，能够提高修饰分子的密度、优化传感器的性能。
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公开(公告)号：CN118150665A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410262749.7
申请日：2024-03-07
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明属于生物传感技术领域，公开了一种氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管及其制备方法、应用；其中，所述氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管包括DNA探针、参比电极和器件本体；参比电极和器件本体用于置于缓冲液中；器件本体包括单晶金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、氢终端金刚石导电沟道、源电极、漏电极、氧终端隔离区和绝缘层；DNA探针非共价键固定于氢终端金刚石导电沟道，用于与miRNA‑24‑3p碱基互补配对。本发明提供了可用于miRNA‑24‑3p检测的氢终端金刚石溶液栅场效应晶体管，具有灵敏度高、操作简单、固定化速度快、成本低等特点，能够提升检测灵敏度、速度，可降低成本。
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公开(公告)号：CN115828765A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211659353.3
申请日：2022-12-22
Applicant: 国网经济技术研究院有限公司 , 西安交通大学 , 国网上海市电力公司
Inventor： 刘栋 , 李凡 , 王丹 , 秦博宇 , 孙珂 , 辛蜀骏 , 曹阳 , 陈天一 , 黄阮明 , 王玮 , 韩晓男 , 于昊洋 , 刘忠健 , 梁涵卿 , 张柯欣 , 秦继朔 , 王晓晖 , 李灏恩 , 游沛羽 , 陶太堃 , 章程
Abstract: 本发明公开了一种源网规划方法、系统、介质及设备，建立包含规划层和优化运行层的双层源网规划模型，构建多目标函数，分两阶段分别进行网架规划、电源及储能规划；在优化运行层考虑系统功率平衡运行约束，求解单日运行成本并返回规划层；采用粒子群算法求解双层源网规划模型，基于规划层的模型得到网架、电源及储能的位置及容量，优化运行层的模型以系统经济性为优化目标，通过多场景仿真计算，优化受端电网运行成本，并将结果传递给规划层，通过规划层和优化运行层的信息迭代交互，求解得到源网协同规划最优方案，实现新能源接入场景下系统充裕性及暂态稳定水平提升。本发明能够实现新能源接入场景下系统充裕性及暂态稳定水平提升。
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公开(公告)号：CN113180784B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202110477261.2
申请日：2021-04-29
Applicant: 西安交通大学医学院第一附属医院
IPC: A61B17/295 , A61B17/3201 , A61L2/18
Abstract: 本发明提供一种带剪刀功能的腹腔镜无损伤抓钳，涉及医疗设备技术领域，解决了现有的在实际应用过程中存在着一是病变组织多具有黏连性，因此传统的抓钳仅能对病变组织进行抓取后扯出，不能对病变组织进行剪切，进而存在着使用不便，二是手术器械因其应用场景的独特性，需要进行消毒，而现有设备在更换组件时难以确保组件已被消毒，进而存在安全隐患的问题，包括握持机构，所述握持机构的主体由两处构件构成，本发明中，由于设有解锁组件，因此要将剪切机构拆下时必须先将消毒液充入到连接箱的内部对解锁组件进行推动将插板挤压到连接块的内部后才能进行取下，该设计强制使用者在对剪切组件进行更换时必须对其进行消毒。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887836B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910075663.2
申请日：2019-01-25
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了n型掺杂单晶金刚石场板结构的场效应晶体管的制备方法，在金刚石衬底上生长出n型掺杂单晶金刚石外延薄膜，然后将n型掺杂单晶金刚石外延薄膜刻蚀形成台面，在台面上沉积两个条形的介质层，沿介质层和台面的外沿分别形成漏极和源极，在两个介质层之间形成栅极形成场板结构，使用钝化层覆盖所有结构，去除源极、漏极和栅极上的部分钝化层形成通孔，最后沿通孔在源极、漏极和栅极上沉积源引出电极、漏引出电极和栅引出电极；本发明在金刚石MESFET的源栅漏电极边缘引入场板结构，增大器件的耐压特性，有效减弱器件源、栅、漏边缘的电场集中现象，提高器件击穿电压性能。
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公开(公告)号：CN109378312B
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN201811074396.9
申请日：2018-09-14
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/095 , H01L29/16 , H01L29/167 , H01L21/338 , H01L29/812
Abstract: 本发明公开了一种体掺杂金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法，包含金刚石衬底；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有体掺杂单晶外延薄膜和刻蚀区域，刻蚀区域为高肖特基势垒终端；体掺杂单晶外延薄膜上设置有沟道区域；沟道区域包括体掺杂单晶外延薄膜作为导电沟道，且为低肖特基势垒终端；源电极和漏电极处于沟道区域的两侧；源电极和漏电极之间刻蚀区域及沟道区域上设置栅电极。本发明为常关型场效应晶体管，利用体掺杂外延单晶金刚石材料作为导电沟道使用，可发挥金刚石材料耐高温、抗辐射和可在恶略环境工作等优势。
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公开(公告)号：CN107104141B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710331449.X
申请日：2017-05-11
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基背栅型氢终端场效应晶体管及其制备方法；该场效应晶体管，包含金刚石衬底、背栅极、源极、栅引出电极、漏极和单晶金刚石外延薄膜；金刚石衬底上设有背栅极，背栅极上设有栅引出电极；金刚石衬底的上表面覆盖一层单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜将背栅极包裹于其中，栅引出电极的上部伸出单晶金刚石外延薄膜的顶部；单晶金刚石外延薄膜上还设有源极和漏极。本发明采用背栅型设计，将导电部分全部裸露出来，这样即使在长期使用或是高温过冲条件下造成氢终端导电沟道退化甚至失效的情况下，可以将器件置于氢等离子体环境中，使得导电沟道表面区域得到重新氢化，恢复导电性能，实现场效应晶体管的重复使用。
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公开(公告)号：CN110600366A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910890609.3
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/04 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/45 , H01L29/04 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管及其制备方法，解决了p沟道结型场效应晶体管空穴迁移率低的问题。(100)晶向金刚石n沟道结型场效应晶体管，包括设有两个沟道的n型金刚石层，n型金刚石层的表面沿水平方向依次设置有源极、n-p结和漏极，在n-p结的上方设置有栅极，源极、漏极与n型金刚石层之间均设置有欧姆电极，欧姆电极即为高导电表面。
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公开(公告)号：CN110517804A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910890608.9
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: G21H1/06 , H01L29/45 , H01L29/868 , H01L21/329
Abstract: 本发明的目的是提供一种单晶金刚石n-i-p结核动力电池及其制备方法，解决了现有金刚石肖特基结核动力电池开路电压低、输出电流小的问题，从而提升金刚石核动力电池的性能和应用前景。该一种单晶金刚石n-i-p结核动力电池，包括层叠接触设置的本征单晶金刚石衬底、n型金刚石层、i型金刚石层、p型金刚石层和p型欧姆电极；在n型金刚石层与i型金刚石层所接触的表面上，一部分接触设置i型金刚石层，其余部分接触设置n型欧姆电极；p型欧姆电极通过引线连接有，i型金刚石层通过引线连接有；还包括放射源，放射源设置于p型欧姆电极的上方，或者环绕设置于i型金刚石层的外侧。
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