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公开(公告)号：CN113314668A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110544500.1
申请日：2021-05-19
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻耦合电容效应高性能忆阻器的制备方法，具体为：在室温环境下通过将等摩尔比的硫酸铜溶液和硫代硫酸钠溶液按照1:2.6‑3.0体积比例混合，得到一个亮绿色的混合溶液，然后把混合溶液倒入放有下电极基底片的容器中；将混合溶液在室温下静止放置数天，然后从混合溶液中取出放入的下电极基底片，即在下电极基底片上沉积出硫化铜薄膜；将下电极基底片取出、烘干；将银胶滴涂于烘干好的硫化铜薄膜表面作为上电极，最终形成一个具有三明治结构的忆阻器件。本发明制备过程简单可行、成本低，制成的器件结构简单、性能优异、具有明显的忆阻耦合电容效应，为开发新型多功能电子器件奠定了良好基础。
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公开(公告)号：CN110190185B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910500434.0
申请日：2019-06-11
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种具有忆阻特性和二极管行为的柔性器件及其制备方法，器件依次包括采用柔性材料制成的基底、下电极、介电层和上电极。制作方法为：S1、选取柔性材料作为基底；S2、将基底依次通过去离子水、乙醇、丙酮、乙醇、去离子水清洗干净；S3、在基底上横向10％～90％的区域沉积金属钛作为下电极；S4、使用模具遮挡下电极纵向0％～30％的区域；S5、在未遮盖的下电极表面利用射频溅射沉积LiCoO2作为介电层；S6、用具有网格的掩膜板掩盖介电层，将金属银、钛或者铜通过网格沉积在介电层上。本发明利用磁控溅射的方法制备柔性器件，能够实现忆阻特性和二极管行为，可以用来替换相同功率的二极管和存储器应用于电路板以实现二极管和存储器的共存效应。
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公开(公告)号：CN108878647B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201810697102.1
申请日：2018-06-29
Applicant: 西南交通大学
Inventor： 杨峰 , 米雅民·萨尔曼·卡齐姆 , 孙柏 , 赵勇
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种同时具有负微分电阻和忆阻功能的器件制备方法，步骤如下，将Zn片用无水乙醇清洗后，置于甲酰胺溶液中反应，用掩膜板制备Ag顶电极，掩膜板小孔直径0.5‑1mm，将掩膜板置于反应好的Zn片上，滴加银凝胶，固化24h；将1％面积的Zn片表面打磨去除氧化层，露出未反应的Zn做底电极，Ag做顶电极，中间层为ZnO纳米棒阵列，即得目标器件。本发明步骤少、操作简单、制得物性能优良、具有明显的负微分及忆阻特性，有望在新型电子器件中获得应用。
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公开(公告)号：CN110190184A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910486478.2
申请日：2019-06-05
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种使用MXenes纳米材料作为介电层的忆阻器件制备方法，包括以下步骤：S1、制备MXenes纳米材料，包括以下子步骤：S11、合成Ti3C2粉末；S12、合成NS-Ti3C2粉末；S2、清洗衬底：将基片清洗干净并吹干；S3、旋涂Mxenes薄膜：将制定的NS-Ti3C2粉末取一定量，溶于质量分数为20％～25％的硝酸溶液中，将混合溶液旋涂于所清洗的衬底表面，在衬底表面形成一层Mxenes薄膜，将旋涂后的衬底放置在60℃左右的真空烘箱烘干；S4、制备上电极：在沉积好的Mxenes薄膜表面沉积上电极，获得基于MXenes纳米材料作为介电层的忆阻器件。本发明的忆阻器件制备方法可操作性强，适于产业化生产；制得的器件结构简单、性能优异、稳定、重复性好，所制备的忆阻器件，表现出优异的忆阻性能。
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公开(公告)号：CN108615810A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810315222.0
申请日：2018-04-10
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件的制备方法，包括以下步骤：S1：以植物的干燥果皮、根、茎或叶中的至少一种为原料，采用分离法获得植物粉末；S2：将步骤S1获得植物粉末溶解于N-甲基吡咯烷，制成胶体；S3：将步骤S2获得的胶体在导电基片的导电面制成薄膜作为介电层，将带有介电层的导电基片进行干燥处理；S4：经步骤S3处理后，在介电层表面沉积上电极，获得具有上电极/植物粉末/基片结构的忆阻器件，所述忆阻器件为室温下忆阻及负电容效应稳定共存器件。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高，适合工业化大规模生产，值得在业内推广。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109449287B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811188337.4
申请日：2018-10-12
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种对环境因素敏感的忆阻器的制备方法，具体包括如下步骤：S1：清洗衬底；S2：溅射沉积Cu2ZnSnSe4薄膜：在控溅射获得Cu2ZnSnSe4薄膜；S3：溅射沉积BiFeO3薄膜：经步骤S2处理后，在Cu2ZnSnSe4薄膜上磁控溅射获得BiFeO3薄膜；S4：制备上电极：在沉积好的BiFeO3薄膜表面沉积上电极，获得对环境因素敏感的忆阻器。本发明提供的对环境因素敏感的忆阻器的制备方法，步骤简单，可操作性强，适于产业化生产；所制备的忆阻器件，表现出优异的忆阻性能，器件结构简单、重复性好、成本低，在新型存储器、未来外太空的探索等电子器件领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110066978A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910509351.8
申请日：2019-06-13
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供了一种铁酸铋薄膜的制备方法，涉及功能薄膜器件制备技术领域。包括步骤一、选取大小为10mm×10mm二氧化硅材料为基底；步骤二、将步骤一选取的基底材料依次用去离子水，乙醇，丙酮，乙醇，去离子水清洗干净，备用；步骤三、在清洗干净的基底材料上直流溅射沉积金属钛作为下电极；步骤四、使用模具掩盖20％的下电极并用高温胶带固定，备用；步骤五、将经过步骤四处理的样品采用FLJ450型多靶多功能溅射系统，在真空度为10-5Pa，工作气压为0.6Pa，采用射频溅射Bi2O3和直流溅射Fe各30分钟，制备得到铁酸铋薄膜介电层的样品；得到的样品用圆形掩膜板掩盖，用同样的工艺沉积金属钛作为器件的上电极，得到具有钛/铁酸铋/钛/二氧化硅结构的电子器件。
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公开(公告)号：CN109616571A
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201811343481.0
申请日：2018-11-13
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种胶原蛋白忆阻器的制备方法，包括以下步骤：S1、准备自制胶原蛋白粉；S2、将胶原蛋白粉加入高氯酸钠电解质溶液(NC-009)中，溶解后制备成胶原蛋白胶体；S3、采用氧化铟锡透明导电玻璃作为基片，将胶原蛋白胶体旋涂在基片上作为介电层；S4、将步骤S3制备的带介电层的基片放置于35-40℃的干燥箱里进行干燥处理，干燥时间为12-15小时；S5、通过真空沉积法在介电层的表面沉积上电极，从而获得结构为上电极/胶原蛋白/氧化铟锡的忆阻器。该制备方法能够实现边角料的二次利用，对环境友好且节省能源，采用本方法制备成的忆阻器件具有较好的室温忆阻特性，能够用于制备忆阻存储器的原始模型，可实现较高比率的开关性能，且制造成本低。
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公开(公告)号：CN109267026A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811389566.2
申请日：2018-11-21
Applicant: 西南交通大学
Inventor： 杨峰 , 米雅民·萨尔曼·卡齐姆 , 孙柏 , 赵勇
Abstract: 本发明公开一种钛基底着多重及图案化颜色的方法，在腔室真空度为预设的高压环境下，通过磁控溅射仪向钛基底上采用ZnO进行第一层溅射，溅射时长为t1，溅射厚度为h1，完成第一层着色；在第一层着色的基础上，再采用MoS2进行第二层溅射，溅射时长为t2，溅射厚度为h2，颜色转变为目标色；通过控制溅射时长t1和t2，溅射厚度h1和h2，以及溅射的区域，实现不同颜色的图案化。本发明可在钛基底上沉积多层膜，进而进行颜色调控，加掩膜板，可以实现图案化，且易于实现，利于大规模推广。
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公开(公告)号：CN109078633A
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201810974360.X
申请日：2018-08-24
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种W掺杂Bi2O3纳米结构的制备方法，属于光催化材料制备领域。a、将石英玻璃切割为基片，依次在丙酮去离子水中采用超声波各清洗5分钟，干燥。将洗好的玻璃基片固定在可旋转的样品台上，将W靶和Bi2O3靶安装在磁控溅射仪上，使基片平面与水平面成5°-10°夹角，Bi2O3靶法线与基片法线成80°-85°，靶间距为6-7cm，W靶法线与基片法线夹角50°-55°靶间距为10-11cm，关闭腔门。c、使用机械泵抽真空，使真空达到10pa以下，打开分子泵，使真空达到5*10(-4)pa以下，充入氩气，将气压升到0.2Pa-0.5Pa。d、打开转动，打开W靶直流溅射，Bi2O3交流溅射，同时溅射30分钟。e、将样品放于干燥箱中500°退火1小时，即得到具有三维纳米结构的W掺杂Bi2O3纳米结构阵列。
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