-
公开(公告)号：CN1579009A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03801384.3
申请日：2003-04-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/208 , H01L21/316 , H01L29/78 , B05D7/00
CPC classification number: H01L21/288 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/02639 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292
Abstract: 本发明是一种在基体材料上形成具有多个层的薄膜装置的制造方法，其特征在于，形成多个层中的至少一层的工序，具有：使喷出包含所述一层的构成成分的液态材料的喷嘴与基体材料的相对位置移动的工序，和将液态材料从喷嘴向基体材料喷出的工序。在成膜室(110)内由喷嘴将液态材料喷出并涂敷于基板，形成薄膜。该基板经第一热处理部(103A)、第二热处理部(103B)的热处理，能够提高膜的结晶性、致密性、以及与其它膜的紧密接合性。
-
公开(公告)号：CN1531061A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410039649.0
申请日：2004-03-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/30 , H01L21/02 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/76802 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种不使用真空装置形成接触孔的方法，将与多晶硅膜(14)的源极区域(16)、漏极区域(18)及栅电极(34)之上的接触孔形成区域对应的位置的抗蚀剂膜曝光，显影，形成掩模柱(40)。之后，在除去了掩模柱(40)的整个玻璃基板(10)上涂敷液体绝缘材料，形成绝缘层(42)。接着，灰化除去掩模柱(40)，形成可以贯通绝缘层(42)、栅极绝缘膜(26)的第2接触孔(44)、第1接触孔(28)。
-
公开(公告)号：CN1155930C
公开(公告)日：2004-06-30
申请号：CN98801518.8
申请日：1998-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤田坂一夫
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3276 , H01L51/0005 , H01L51/5203 , H01L51/5284
Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的有源矩阵型显示装置为目的，在有源矩阵型显示装置(1)中，通过沿数据线(sig)和扫描线(gate)设置厚的堤层(bank)来抑制寄生于数据线(sig)上的电容，同时用该堤层(bank)来包围利用喷射法应形成薄膜发光元件(40)的有机半导体膜(43)的区域。在此，由第一绝缘膜(61)和第二绝缘膜(62)来构成堤层(bank)，其中，第一绝缘膜(61)由厚的无机材料构成，第二绝缘膜(62)由具有窄的宽度而被层叠在该第一绝缘膜(61)上的有机材料构成，避免有机半导体膜(43)与第二绝缘膜(62)接触。
-
公开(公告)号：CN1242924A
公开(公告)日：2000-01-26
申请号：CN98801584.6
申请日：1998-08-25
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤田坂一夫
CPC classification number: H05B33/26 , H01L27/1255 , H01L27/3246 , H01L51/5253 , H01L51/5284 , H05B33/04 , H05B33/12 , H05B33/22
Abstract: 本发明的有源矩阵型显示装置1具备薄膜发光元件40,该薄膜发光元件40在每个象素7中具备象素电极41、在该象素电极41的上层侧层叠的有机半导体膜43和在该有机半导体膜43的上层侧形成的对置电极op。在对置电极op的上层形成了覆盖基板的大致整个面的保护膜60,利用该保护膜60防止水分及氧的侵入,防止薄膜发光元件40的性能变坏。
-
公开(公告)号：CN1242854A
公开(公告)日：2000-01-26
申请号：CN98801518.8
申请日：1998-08-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤田坂一夫
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/3211 , H01L27/3276 , H01L51/0005 , H01L51/5203 , H01L51/5284
Abstract: 本发明以实现不会损伤薄膜发光元件并能在该薄膜发光元件的有机半导体膜的周围适当地形成厚的绝缘膜的有源矩阵型显示装置为目的,在有源矩阵型显示装置(1)中,通过沿数据线(sig)和扫描线(gate)设置厚的堤层(bank)来抑制寄生于数据线(sig)上的电容,同时用该堤层(bank)来包围利用喷射法应形成薄膜发光元件(40)的有机半导体膜(43)的区域。在此,由下层侧绝缘膜(61)和上层侧绝缘膜(62)来构成堤层(bank),其中,下层侧绝缘膜(61)由厚的无机材料构成,上层侧绝缘膜(62)由具有窄的宽度而被层叠在该下层侧绝缘膜(61)上的有机材料构成,避免有机半导体膜(43)与上层侧绝缘膜(62)接触。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1194697A
公开(公告)日：1998-09-30
申请号：CN97190551.7
申请日：1997-05-14
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/1343 , H01L29/786 , B05C5/00 , G02F1/1333 , C01G19/00
CPC classification number: G02F1/136227 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , Y10T428/1064 , Y10T428/31663
Abstract: 借助于涂敷液体后进行热处理,形成构成TFT的绝缘膜、硅膜及导电膜中的任一种薄膜。利用旋转涂敷器(102),把从涂敷液保管部(105)供给的、包含薄膜成分的液体旋转涂敷到基板上。在热处理部(103)中,对涂敷了涂敷液的基板进行热处理,在基板上形成涂敷膜。进而,进行激光退火等,提高结晶性、致密性、或粘附性中的任一种膜质。借助于以油墨喷射方式涂敷这种涂敷液及保护液,可提高药液的使用效率,并且,可以形成图形化了的涂敷膜。本发明的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT,大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
-
公开(公告)号：CN100530759C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610144629.9
申请日：1999-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H05B33/22 , G02B5/201 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L51/0005 , H01L51/0014 , H01L51/5284 , H01L2251/558 , H05B33/10 , Y10T428/24802
Abstract: 公开了诸如EL器件之类的其像素间薄膜厚度几乎没有变化的显示器件，以及一种滤色器。在衬底上设置的是由喷墨方法在要被涂敷的并由堤所分隔的区域中形成的像素，其满足公式a＞d/4，d/2＜b＜5d，c＞t0和c＞d/(2b)的关系。其中a为堤的宽度，c为堤的高度，b为要被涂敷的区域的宽度，而d为或形成薄膜层的液体材料的液滴直径，t0是薄膜层的膜厚度。还公开了一种修改表面的方法，包括在形成表面的无机物堤上形成有机材料的堤，并在过量氟的条件下进行等离子体处理。还有一种方法，包括对具有由有机材料形成的堤的衬底进行氧气等离子体处理，并进行含氟气体的等离子体处理。
-
公开(公告)号：CN100452436C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200410059264.0
申请日：2004-06-15
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 汤田坂一夫
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/66757
Abstract: 在具有顶端栅极结构的晶体管中，利用涂敷法形成栅极绝缘薄膜的一部分。此时，适当设定其上形成涂敷薄膜的半导体薄膜的尺寸，以对应于涂敷液体，涂敷条件，以及涂敷薄膜中需要的薄膜厚度的特性。改进了晶体管的电特性和可靠性。
-
公开(公告)号：CN100385683C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN00800437.4
申请日：2000-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/208 , H01L21/316 , H01L21/288 , G02F1/1368
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02628 , H01L21/288 , H01L21/316 , H01L27/1292 , H01L29/66757
Abstract: 用液体材料形成构成薄膜晶体管的硅膜、绝缘膜、导电膜等的薄膜的全部或一部分。其主要方法，采用先向基板上涂敷液体材料形成涂敷膜，再对该涂敷膜进行热处理的办法，形成所希望的薄膜。所以可以用低价格的装置用低价格制造薄膜晶体管。
-
公开(公告)号：CN100380626C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200410039649.0
申请日：2004-03-12
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/30 , H01L21/02 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L21/76802 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种不使用真空装置形成接触孔的方法，将与多晶硅膜(14)的源极区域(16)、漏极区域(18)及栅电极(34)之上的接触孔形成区域对应的位置的抗蚀剂膜曝光，显影，形成掩模柱(40)。之后，在除去了掩模柱(40)的整个玻璃基板(10)上涂敷液体绝缘材料，形成绝缘层(42)。接着，灰化除去掩模柱(40)，形成可以贯通绝缘层(42)、栅极绝缘膜(26)的第2接触孔(44)、第1接触孔(28)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
67
records
(took 0.026 seconds)
