一种R-T-B磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN113161094B

    公开(公告)日:2023-12-05

    申请号:CN202110286616.X

    申请日:2021-03-17

    Inventor: 牟维国 黄佳莹

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥30.0wt.%,所述R为稀土元素;Cu:0.16~0.6wt.%;Ti:0.4~0.8wt.%;Ga:≤0.2wt.%;B:0.955~1.2wt.%;Fe:58~69%;wt.%为各组分的质量占各组分总质量的质量百分比。本发明中的R‑T‑B磁体具备较高的剩磁、矫顽力、方形度和高温稳定性。

    钕铁硼磁体材料及其制备方法、应用

    公开(公告)号:CN117012487A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202210476515.3

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 本发明公开了一种钕铁硼磁体材料及其制备方法、应用。本发明的钕铁硼磁体材料包括位于晶间三角区的纳米晶富Cu相,纳米晶富Cu相的元素组成及其原子比为TM:RE:Cu:Ga=(1~20):(20~55):(25~70):(1~15),纳米晶富Cu相与晶间三角区的体积比为4~12%,其中TM包括Fe和/或Co,RE为稀土元素。本发明的钕铁硼磁体材料可以在不使用或少使用重稀土的情况下提高内禀矫顽力,降低成本,同时保持较高的剩磁、磁能积和方形度性能。

    一种R-T-B磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN112992462A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110287760.5

    申请日:2021-03-17

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥30.0wt.%,R为稀土元素,Nb:0.1~0.3wt.%;B:0.955~1.2wt.%;Fe:58~69wt.%;wt.%为各组分的质量占各组分总质量的百分比;所述的R‑T‑B磁体中还含有Co和Ti;所述R‑T‑B磁体中,所述Co的质量含量与“所述Nb和所述Ti”的总质量含量的比值为4~10。本发明进一步优化了R‑T‑B磁体中各组分之间的配合关系,可制备为剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均在较高水平的磁体材料。

    一种R-T-B磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN112992460A

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202110286519.0

    申请日:2021-03-17

    Inventor: 牟维国 黄佳莹

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B磁体及其制备方法。该R‑T‑B磁体包括以下组分:R:≥29wt.%,所述R为稀土元素,所述R含有Nd;所述Nd≥22wt.%;Ti+Nb:0.2~0.75wt.%;Cu:0.05~0.45wt.%;B:0.955~1.15wt.%;Fe:58~69wt.%;wt.%为各组分的质量与各组分总质量的比;所述Ti与所述Nb的质量比为(1~5):1。本发明进一步优化了R‑T‑B磁体中添加元素之间的配合关系,采用该配方能够制备得到较高的剩磁、矫顽力和方形度等磁性能均较佳的R‑T‑B磁体。

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