一种铼基硫氧化物复合纳米材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112760678B

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202011559866.8

    申请日:2020-12-25

    Abstract: 本发明提供一种铼基硫氧化物复合纳米材料及其制备方法和应用,属于催化材料制备技术领域,具体涉及一种ReS2‑ReO3复合纳米材料及其制备方法,以及在电催化析氢反应中的应用。本发明利用氧等离子在ReS2纳米片阵列表面原位氧化,生成片状ReS2表面均匀分布的ReO3颗粒,形成的ReS2/ReO3异质结构可以为析氢反应提供更多且催化效率更高的活性位点。本发明提供的具有ReS2/ReO3异质界面的硫氧化物复合纳米材料电极在电解水的阴极析氢反应中表现出高催化活性与持续电解稳定性,且其成本较低,合成工艺简单,易于规模化生产。

    一种镍基复合纳米颗粒及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN110512231B

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201910814184.8

    申请日:2019-08-30

    Abstract: 本发明提供一种镍基复合纳米颗粒及其制备方法和应用,属于催化剂制备技术领域。本发明通过调控在Ni3N纳米颗粒表面原位磷化与硫化形成S掺杂的Ni3N与S掺杂Ni2P纳米晶,实现了高催化活性与电化学稳定性材料制备的目的。本发明提供的负载Ni‑NPS复合纳米颗粒的电极在析氧反应中表现出很好的催化活性,从电化学测试结果可以看出负载Ni‑NPS复合纳米颗粒的电极在碱性条件下发生析氢反应时仅需260mV来驱动30mA cm‑2的电流密度,低至46mV dec‑1的塔菲尔斜率证实了其高的反应活性,同时大电流的100h持续电解证明了电极有很好的催化稳定性与可应用性。

    一种拉曼增强基底的制备方法

    公开(公告)号:CN107576648B

    公开(公告)日:2020-07-21

    申请号:CN201710826102.2

    申请日:2017-09-14

    Abstract: 一种拉曼增强基底的制备方法,属于功能材料制备技术领域。包括以下步骤:1)将可溶性铜盐、还原剂和表面活性剂加入去离子水中,混合均匀,得到前驱体溶液;2)将金属片放入上步的前驱体溶液中,搅拌3~10h,混合均匀后,在80~120℃温度下反应1~6h;3)取出金属片,采用乙醇和去离子水清洗,干燥;即可得到所述拉曼增强基底。本发明方法得到的拉曼增强基底具有工艺简单,拉曼增强效果明显,化学稳定性好,成本低廉等优点,并且可以通过控制表面活性剂的浓度,实现根据实际应用需求制备相应的形貌进而得到具有不同拉曼增强效果的基底,可广泛应用于电化学、生物分析、传感、食品安全等领域。

    一种复合结构纳米颗粒材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN108950597B

    公开(公告)日:2020-03-27

    申请号:CN201810912944.4

    申请日:2018-08-10

    Abstract: 本发明提供一种复合结构纳米颗粒材料及其制备方法和应用,属于催化剂制备技术领域。该复合结构纳米颗粒由自生长于导电基底的氮化镍/磷化镍纳米颗粒构成,其主要特征在于:1.氮化镍与磷化镍都拥有很好的导电性,起到很好的电子传输作用;2.磷化镍原位生长于氮化镍表面,在将氮化镍磷化的过程中存在自掺杂效应,优化材料内部电子结构,提升活性;3.氮化镍与磷化镍晶粒紧密连接形成的复合界面存在强相互作用,促进催化活性的提升;4.复合结构纳米颗粒负载于导电基底,可当做电极直接使用。该复合结构材料具有低成本、易于大量制备、具有高催化活性与持续电解稳定性的优点。

    一种超薄锂金属负极的制备方法

    公开(公告)号:CN110504451A

    公开(公告)日:2019-11-26

    申请号:CN201910732839.7

    申请日:2019-08-09

    Abstract: 本发明提供一种超薄锂金属负极的制备方法,属于锂金属电池制备技术领域。本发明在常规电镀液中引入石墨烯量子点,以金属锂作为工作电极,铜电极作为对电极,在铜箔表面电镀得到超薄锂金属负极,利用石墨烯量子点的小尺寸效应和单原子层厚度特性,在不影响锂离子传输的前提下,作为形核位点引导锂的均匀形核和生长沉积,消除“死锂”,减少锂负极容量损失。本发明公开的石墨烯量子点用于提升超薄锂硫电池性能的方案具有制备工艺简便的特点,并且能在锂过量50%的情况下显著提升其在大电流3mA/cm2下的循环稳定性,在超薄锂硫电池领域具有潜在应用。

    一种半导体材料表面能级能带调控的方法

    公开(公告)号:CN109786242A

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201910025421.2

    申请日:2019-01-11

    Abstract: 本发明提供一种半导体材料表面能级能带调控的方法,属于半导体材料技术领域。本发明方法基于氧等离子体处理,能够在不影响半导体材料本身透光率与导电率的前提下实现对其表面化学组分、缺陷态密度和能级能带的连续控制,减少界面载流子背复合的发生。本发明设计的等离子表面处理工艺,以射频放电为等离子体激发手段,以氧等离子体来处理半导体材料,利用射频等离子体低宏观温度、高粒子能量,以及氧原子半径与半导体材料原子半径极为接近的特点,实现选择性地去除材料表面的原子掺杂,并通过功率与处理时间等参数的优化,制备表面能级能带可连续调控的半导体材料。

    一种高质量的错配层化合物的制备方法

    公开(公告)号:CN115787078A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211657123.3

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种高质量的错配层化合物(SnS)1.17NbS2的制备方法,属于二维材料制备技术领域。该方法以碘作为输运剂,并对材料生长环境进行特殊性设计,创新设计了“套娃”生长空间形式,能够增大整个生长环境的比热容并有效减小生长过程中的温度波动,从而使错配层化合物(SnS)1.17NbS2的生长更稳定,制备得到的材料质量更高。本发明生长出的错配层化合物(SnS)1.17NbS2单晶外观上呈现层状结构,层堆积结构清晰,组分均匀,性能优异,可作为高质量的超导材料应用于电力输运、光学探测、精密仪表制备等领域。

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