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公开(公告)号：CN104883136A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510221915.X
申请日：2015-05-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种负阻式共栅CMOS低噪声放大器，属于集成电路领域。该放大器为单端输入/输出结构，包括了输入级、负载级、缓冲输出级、负阻级。此外，第一电流镜、第二电流镜分别为晶体管M1、M4、M5、M6提供静态偏置电流。射频信号电压从输入级输入，转化为信号电流，在负载处转化为电压信号，经缓冲输出级输出信号。本发明可以在较宽的频带内显著提高LNA的增益，改善噪声性能。
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公开(公告)号：CN102386848B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110281541.2
申请日：2011-09-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03B5/04
Abstract: 本发明公开了一种环形压控振荡器，包括：基准电压源、稳压电路、补偿电路和振荡电路，所述基准电压源输出与所述稳压电路的输入端相连接；所述稳压电路产生两路输出电压，第一输出作为振荡电路的工作电压，第二输出输入到补偿电路作为补偿电路的输入电压；补偿电路的输出作为振荡电路的偏置电压。本发明的振荡器通过产生一个随温度和工艺变化的偏置电压来控制振荡电路的振荡频率，实现自动补偿振荡器的输出频率偏差。当温度升高导致振荡电路频率升高时，补偿电路产生一个随温度降低的控制电压，从而补偿频率的下降；当工艺角从SS到FF变化时，振荡电路也是升高的，补偿电路产生一个随工艺降低的控制电压，从而补偿频率的下降。
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公开(公告)号：CN103699927A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310692338.3
申请日：2013-12-13
Applicant: 电子科技大学 , 无锡成电科大科技发展有限公司
IPC: G06K19/077 , G01K7/00
Abstract: 本发明公开了一种具有温度感知功能的无源超高频RFID标签芯片，包括射频前端、模拟前端、数字基带电路和存储器温度传感器。本发明所述具有温度感知功能的无源超高频RFID标签芯片，可以克服现有技术中体积大、功耗大和成功高等缺陷，以实现体积小、功耗小和成本低的优点。
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公开(公告)号：CN101942936B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201010246857.3
申请日：2010-08-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及锁离合状态采集电路的控制方法。当集成锁离合状态采集电路的射频识别电子标签或采用锁离合状态采集电路的射频识别装置处于射频识别场内时，其控制方法包括步骤：步骤(a)：射频识别电子标签或射频识别装置进入射频识别场，射频识别电子标签的射频模拟前端上电工作等多个步骤。本发明的有益效果：本发明的锁离合状态采集电路具有低功耗和抗干扰的优点，并且可以集成在电子标签内部，因此锁离合状态采集电路可以比较容易的和电子标签结合作为物流行业中集装箱、保险箱流转的物联网监控节点，能及时的监控集装箱、保险箱的锁离合状态，保证了集装箱、保险箱流转的安全性。
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公开(公告)号：CN102589729A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210063574.4
申请日：2012-03-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种温度感知集成电路，具体包括基准电压源模块、PTAT延迟模块、CTAT延迟模块、加法器和波纹计数器。本发明的温度感知集成电路通过基准电压源模块产生一个正温度系数电压和一个负温度系数电压，通过PTAT延迟模块和CTAT延迟模块形成相应温度特性的电流，通过电容充放电的时间差形成一个宽度与温度相关的脉冲信号，在此基础上实现了片上温度测量。本发明的电路在特定的电路上改进了电路的设计，降低了系统的功耗，增加了温度数据的可靠性，使得更加容易集成在超高频RFID标签芯片中，应用于射频识别技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101915025A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010246841.2
申请日：2010-08-06
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及锁离合状态采集电路及集成该锁离合状态采集电路的射频识别电子标签。包括开关(S1)、第一NMOS管(MR1)、第二NMOS管(MR2)、第三NMOS管(MR3)、第四NMOS管(MR4)、PMOS管(T1)、三极管(T2)、第五NMOS管(T3)、电源电池(B1)、触发器(D1)和直流-直流电压转换电路。本发明的有益效果：本发明的锁离合状态采集电路具有低功耗和抗干扰的优点，并且可以集成在电子标签内部，因此锁离合状态采集电路可以比较容易的和电子标签结合作为物流行业中集装箱、保险箱流转的物联网监控节点，能及时的监控集装箱、保险箱的锁离合状态，保证了集装箱、保险箱流转的安全性。
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公开(公告)号：CN115033218A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210573992.1
申请日：2022-05-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F8/30 , G06F8/38 , G06F16/958 , G06F21/10
Abstract: 本发明公开了一种基于区块链的艺术品数字资产确权流通平台，核心技术属于通信领域，致力于解决数字艺术品流通的难以验证真伪、机制建设缺失、交易溯源难等技术痛点，其方法包括艺术品的数字化、上链并生成NFT、NFT上架及下架。用户登录在平台浏览已经上架的艺术品、查看艺术品的详细信息。同时可以上传自己创作的艺术品，上传成功后将会启动程序进行整体和局部审核，会将艺术品数字化为一串序列并使用椭圆算法加密。管理端系统将会将信息录入，保存到数据库，更新到区块链上，并使用哈希算法生成NFT。区块链采用自主编写私有链，自主智能合约。区块链保证了所有交易的透明和可溯源，NFT保证了艺术品数字化的唯一性。
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公开(公告)号：CN106603013B
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201611094284.0
申请日：2016-12-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开一种CMOS互补结构的混频器电路，包括：四个跨导输入级以及本振脉冲整形级；当VLO+、VLO‑为高、低电平时，第一、第二跨导输入级接收VRF+、VRF‑电压信号，将差分射频电压信号放大后传递到VIF+、VIF‑端口；当VLO+、VLO‑电平翻转后，差分信号从VRF+和VRF‑端口分别经过第四、第三输入跨导级放大后传递到VIF‑、VIF+端口；本振脉冲整形级将单端正弦本振信号整形为差分矩形本振信号，等效地降低了对正弦本振信号功率的要求，缓解了本振端口隔离度的设计压力；跨导输入级采用CMOS互补结构，获得电流复用的效果，降低功耗；并可获得二阶非线性的补偿效果，降低二阶互作用扭曲的影响。
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公开(公告)号：CN106253854B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201610630786.4
申请日：2016-08-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种具有本振相位失配补偿功能的混频器电路，包括：第一跨导输入级、第二跨导输入级、第一开关混频级、第二开关混频级、第一失配补偿级、第二失配补偿级、输出负载级、第一电感和第二电感；所述第一跨导输入级、第二跨导输入级接收RF电压信号，将RF电压信号转换为电流信号；第一开关混频级、第二开关混频级由本振信号LO控制，对电流信号进行周期性换向，将频率从射频变换到中频，完成频率变换；输出负载级，对高频信号进行滤波抑制，并将相应的中频电流信号转换为输出IF电压信号；第一失配补偿级、第二失配补偿级，对本振失配信号进行检测，来反馈补偿本振开关切换时间对电路性能的恶化。
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公开(公告)号：CN106603013A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611094284.0
申请日：2016-12-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03D7/14
Abstract: 本发明公开一种CMOS互补结构的混频器电路，包括：四个跨导输入级以及本振脉冲整形级；当VLO+、VLO‑为高、低电平时，第一、第二跨导输入级接收VRF+、VRF‑电压信号，将差分射频电压信号放大后传递到VIF+、VIF‑端口；当VLO+、VLO‑电平翻转后，差分信号从VRF+和VRF‑端口分别经过第四、第三输入跨导级放大后传递到VIF‑、VIF+端口；本振脉冲整形级将单端正弦本振信号整形为差分矩形本振信号，等效地降低了对正弦本振信号功率的要求，缓解了本振端口隔离度的设计压力；跨导输入级采用CMOS互补结构，获得电流复用的效果，降低功耗；并可获得二阶非线性的补偿效果，降低二阶互作用扭曲的影响。
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