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公开(公告)号：CN106405976A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610896751.5
申请日：2016-10-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/355 , G02F1/015 , C04B35/38 , C04B35/622
CPC classification number: G02F1/355 , C04B35/2658 , C04B35/622 , C04B2235/6583 , G02F1/015
Abstract: 一种基于MnZn铁氧体薄膜的太赫兹波调制器，属于太赫兹功能器件技术领域。包括自下而上依次层叠的P型硅衬底3、锰锌铁氧体薄膜2和石墨烯层1，源端4，漏端5和栅端6，其中，锰锌铁氧体薄膜2采用溅射法制备得到。本发明太赫兹波调制器采用具有高饱和磁化强度、低矫顽力的MnZn铁氧体磁性薄膜作为中间层，具有调制频率宽、透射率高等优点。
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公开(公告)号：CN106316396A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610712456.X
申请日：2016-08-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64
Abstract: 一种石榴石结构低温烧结微波介质陶瓷材料，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述微波介质陶瓷材料由主料和玻璃相助烧剂构成，其中主料的重量百分比为98％～100％，玻璃相助烧剂的重量百分比为0％～2％，所述主料为Ba2LiMg2V3O12，所述玻璃相助烧剂由原料按照摩尔比ZnO：P2O5：MnO2＝13:6:1配制。本发明得到的微波介质陶瓷材料为石榴石结构，具有烧结温度低、介电常数低、品质因数较高、温度稳定性优异等特点，为微波介质元器件向高频化、集成化、LTCC化发展提供了一种有效解决方案。
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公开(公告)号：CN106098673A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610427727.7
申请日：2016-06-14
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L23/544
CPC classification number: H01L23/573
Abstract: 该发明公开了一种用于集成电路芯片自毁结构，结构包括：芯片、设置于芯片背面或正面迂回的通槽、设置在通槽中的金属、通槽首尾两端的金属上设置有电极，所述通槽遍布芯片正面或背面整个非工作区域，所述通槽总的金属杨氏模量大于70GPa，热膨胀系数是硅的5倍以上，其特征在于通槽两侧周期性设置有向外凸起的V型尖角；通槽迂回过程中相邻两段槽向外凸起的V型尖角，角尖相对且不重合。具有结构和工艺要简单，安全性、稳定性更高，应力集中的优点。
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公开(公告)号：CN105132989A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510584956.5
申请日：2015-09-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种二氧化钛纳米管透明薄膜的制备方法，属于薄膜制备技术领域。包括以下步骤：1)采用阳极氧化法直接氧化金属钛片，得到二氧化钛纳米管束的悬浊液；2)将得到的悬浊液过滤，离心分离，得到二氧化钛纳米管粉末；3)上步得到的二氧化钛纳米管粉末加入无水乙醇中，进行超声分散，然后加入去离子水、乙酰丙酮和丙三醇，搅拌，得到电泳液；其中，每50mL无水乙醇中加入3～5g二氧化钛纳米管粉末、0.1～0.5mL去离子水、1～5mL乙酰丙酮、1～3mL丙三醇；4)将透明导电玻璃放入上述电泳液中，电泳得到二氧化钛纳米管薄膜。本发明制备得到的二氧化钛纳米薄膜具有良好的透光率，在太阳能光伏器件等领域有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103436942A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310336622.7
申请日：2013-08-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种CuInSe2和TiO2复合异质结薄膜的制备方法，属于材料技术领域。采用一维TiO2纳米管阵列作为n型半导体电子传输层，CuInSe2纳米晶作为p型材料，复合形成CuInSe2/TiO2异质结薄膜结构。首先，利用溶剂热法制备出分散良好、粒度均匀的CuInSe2纳米晶颗粒，其次采用电化学方法在金属钛片上自组织生长高度取向的TiO2纳米管阵列，最后采用电泳法将所制备的CuInSe2纳米晶颗粒负载到TiO2纳米管阵列之上，即可得到具有可见光响应、成本低廉、重复性好、且可大规模制造的复合异质结薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115463682B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202211320587.5
申请日：2022-10-26
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体光催化材料制备领域，特别涉及一种S型晶化氮化碳同质结光催化材料的制备与光催化CO2还原应用。本发明以三聚氰胺、氯化锂、以及氯化钾为原料，结合异步结晶和静电自组装策略制备出S型晶化氮化碳同质结光催化材料并探究了其在光催化CO2还原领域的应用。该复合材料具有1D/2D面对面接触的结构，包含三嗪和七嗪两种晶相，两种晶相比例可精确调控。在三嗪/七嗪两种晶相的界面间存在界面电场，促使光生电子按照S型转移。S型同质结可通过多种表征证明，并且该S型同质结不受两种晶相比例的影响。在光催化二氧化碳还原应用中，在可见光的照射下，其CO生成速率高达19.38μ‑1 ‑1 ‑1 ‑1mol g h ，并且具有81.8μmol g h 的电子消耗速率。
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公开(公告)号：CN117142849A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311131861.9
申请日：2023-09-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于微波介电陶瓷材料领域，具体提供一种基于骨架效应生长锌镁钛微波陶瓷的方法，使制备得到的锌镁钛微波介电陶瓷材料具有低的介电常数和低的介电损耗，适合于制造性能优异的陶瓷基板。本发明采用Zn0.7Mg0.3TiO3体系，从原料的原始粒径出发，由微米级二氧化钛原料作为主骨架，纳米级氧化锌和氧化镁原料作为烧结填充剂，从形成类似于混凝土的胶结结构，该结构能够大大改善烧结特性，避免气泡的产生，增强陶瓷的机械强度；最终，本发明利用骨架效应(粒径效应)改善了Zn0.7Mg0.3TiO3微波介电陶瓷的烧结性，获得了介电常数为21.714、Q×f＝48486.6、谐振频率温度稳定系数为‑46.3ppm/℃的微波介电陶瓷材料，有望用于制造陶瓷基板。
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公开(公告)号：CN116768616A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310528910.6
申请日：2023-05-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种高Q值Li6Zn7Ti11O32基微波介质陶瓷材料及其制备方法，用以优化Li6Zn7Ti11O32微波介质陶瓷的微波介电性能、尤其品质因数Q×f。本发明中微波介质陶瓷材料的化学通式为：Li(1+x)6Zn7Ti11‑x(Li1/4Nb3/4)xO32、0.00
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公开(公告)号：CN114931965A
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202210676019.2
申请日：2022-06-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种多孔石墨相氮化碳负载非贵金属铋催化剂，及其制备方法以及其在光催化二氧化碳还原领域的应用。其中，氮化碳为载体，氮化碳为二维超薄的石墨相氮化碳，片经为50nm～5μm，具有介孔结构，孔尺寸位于为2nm～60nm之间。所述的负载金属为地球含量丰富的非贵金属铋，含量为基于催化总重量的0～4.5wt％，优选含量为0.7～3.2wt％，具有原子级的分散性。本发明的多孔石墨相氮化碳负载非贵金属铋催化剂的制备方法，核心点在于通过π‑π共轭相互作用在氮化碳前驱体的生长过程中引入具有层状共轭结构的铋基材料，随后经过插层煅烧处理得到目标产物，改进的异质原子的引入方法使得铋的负载变得更加容易且牢固。非贵金属铋具有廉价性，为未来的商业化应用提供可能。
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公开(公告)号：CN109575886B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201811579258.6
申请日：2018-12-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: C09K5/14
Abstract: 一种基于荷叶制备光热转换材料的方法，属于太阳能光热转换材料制备技术领域。包括：1)取新鲜的荷叶叶片，清洗，晾干；2)将上步处理后的荷叶叶片在﹣18～﹣24℃下冷冻12～24h，得到冷冻样品A；3)将冷冻样品A放入真空冷冻干燥箱中，在真空度为6～10Pa、温度为﹣30～﹣50℃的条件下干燥48～72h，得到干燥的样品B；4)将样品B在氮气气氛、温度为500～700℃条件下碳化4～6h，得到碳化荷叶。本发明基于荷叶制备光热转换材料的方法，具有制备成本低、重复性好、工艺简单和可实现大规模生产等优点，且得到的碳化荷叶具有亲水性、传输水通道、吸收光热强等性能，可应用于太阳能水蒸发领域。
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