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公开(公告)号：CN106374863A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610888767.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种提高功率回退动态范围的Doherty功率放大器及其实现方法，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和新型负载调制网络，其中，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路和峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与峰值功率放大电路的输出端相连接将功率合路输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络，增大低输入功率状态下主功放的负载阻抗，提高了Doherty功放的高效率功率回退范围。
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公开(公告)号：CN105897179A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610305277.4
申请日：2016-05-10
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F3/21
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型宽带Doherty功率放大器及其实现方法，该功率放大器包括威尔金森功分器、载波放大电路和峰值放大电路；其中，输入信号经威尔金森功分器输出端分别连接载波放大电路和峰值放大电路的输入端；所述载波放大电路由载波输入匹配电路、载波放大器、载波输出匹配电路、70.7Ω四分之一波长阻抗变换器依次串接组成；所述峰值放大电路由50Ω相位补偿线、峰值输入匹配电路、峰值放大器、峰值输出匹配电路和100Ω补偿线串接组成；70.7Ω四分之一波长阻抗变换器和100Ω补偿线并接作为输出端。本发明通过减少四分之一波长阻抗变换线的阻抗变换比，极大地增大了功率放大器的带宽，同时也减小了功率放大器整体尺寸。
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公开(公告)号：CN104733522A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510160791.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法，采用MOCVD或MBE方法在蓝宝石衬底上外延生长出单晶h-BN移除层；然后在h-BN移除层上外延常规的AlGaN/GaN HEMT结构层；在帽层上形成AlGaN/GaN HEMT的栅极、源极和漏极；把AlGaN/GaN HEMT器件的正面朝下粘贴在陶瓷载体上；施以外力克服h-BN的范德瓦耳斯力将蓝宝石衬底剥离掉；把AlGaN/GaN HEMT器件的反面朝下粘贴在开有孔洞的金属铜衬底上。本发明通过h-BN移除层可以转移器件的衬底，避免腐蚀工艺，使得器件可以生长在除外延材料质量硬度高的蓝宝石衬底上。
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公开(公告)号：CN114309633B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202111545492.9
申请日：2021-12-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种亲油金纳米棒制备方法，包括以下步骤：(1)通过种子法制备金纳米棒分散液；(2)清洗；(3)包覆二氧化硅层；(4)表面修饰；(5)清洗分散本发明。工艺步骤简单，可操作性强，适用范围广，包覆着不同孔隙率二氧化硅的金纳米棒都可进行表面修饰，制得的亲油金纳米棒材料能在保留了金纳米棒本身物理性质的同时，还能够均匀分散在油性溶剂中，拓宽了金纳米棒的应用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119171077A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411235008.6
申请日：2024-09-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高增益超宽带无人机天线，包括介质基板，以及印制于介质基板正面的第一辐射体、第二辐射体；所述第一辐射体、第二辐射体间存在馈电缝隙。本发明通过第一辐射体实现了两次精确的阻抗匹配，实现了更高的阻抗带宽，提高了天线的适应性和灵活性。另外，第一辐射体的第一辐射贴片采用三叉戟状设计，为天线提供了独特的辐射模式和性能，有助于提高天线的增益和方向性。通过第一辐射体和第二辐射体的特定布局，实现了工作频带内的电流均匀分布，赋予天线全向辐射特性，这种全向性对于无人机在各种方向上的通信至关重要。
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公开(公告)号：CN119171076A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411201773.6
申请日：2024-08-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种高增益定向宽带天线，包括金属接地板、辐射层、馈电贴片、空气介质层；辐射层包括非对称结构的第一辐射金属贴片、第二辐射金属贴片；馈电贴片位于第一辐射金属贴片、第二辐射金属贴片间位置。本发明通过采用两个非对称的第一辐射金属贴片、第二辐射金属贴片，使两个贴片天线的谐振频率有一定差异，再通过一定数量的金属短路柱将金属辐射天线与金属接地板相连接，使靠近中间馈电贴片的辐射天线辐射性增强，通过改变中间馈电贴片的位置来控制两个天线谐振频率的差异，同时通过引入馈电贴片与辐射金属贴片之间的缝隙来达到引入电容改善天线的阻抗特性的效果，实现本发明天线的总带宽变宽。
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公开(公告)号：CN118945354A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411211428.0
申请日：2024-08-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04N19/129 , H04N19/18 , H04N19/436 , H04N19/91 , H04N19/13 , H04N19/147 , H04N19/70 , H04N19/149
Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的HEVC变换系数码率估计装置及方法，所述装置包括：系数扫描模块、缓冲模块、取绝对值模块、语法元素处理模块、码率估计模块。本发明为HEVC编码器率失真优化计算提供一种并行度高、效率高的码率估计方法，可以快速估计码率，以满足并行化计算以及适应多种大小尺寸变换块的需求的前提下获得与精确码率计算接近的性能，采用基于查表和线性估计的两种方法，免去了熵编码中更新上下文模型和算术编码过程，既减少了资源消耗也提升了码率计算速度，且支持并行计算，适用于多个不同大小尺寸变换块同时进行码率估计，适用于基于FPGA的HEVC编码器等需要高吞吐率的场合。
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公开(公告)号：CN114438473B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202111613676.4
申请日：2021-12-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/511 , C30B29/04 , C30B25/02
Abstract: 本发明涉及一种高功率微波等离子体金刚石膜沉积装置，包括谐振腔主体、下圆柱体、同轴波导转换器、环形石英窗口、沉积平台、测温孔、测温仪、观察窗、进气口、出气口及水冷系统，其中谐振腔主体包括抛腔，抛腔是由一段抛物线绕所述谐振腔中轴线旋转一周得到的旋转体，且谐振腔内壁任意一点距离基片中心点的距离大于6/7λ。本发明可以使谐振腔内电场分布集中，激发等离子体位置稳定、密度高，有助于提高沉积金刚石膜的品质，同时可以减弱对腔室内壁的热辐射和避免腔室内壁沉积石墨及碳的化合物。
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公开(公告)号：CN117896263A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410093257.X
申请日：2024-01-23
IPC: H04L41/12
Abstract: 本发明提出了基于邻域拓扑与投票机制的复杂网络关键节点识别方法，方法包括：获取节点的循环路径，并从循环路径中选出最短循环路径；基于节点连接的最短循环路径，获取节点的初始票数；基于投票机制在循环路径中节点根据与相邻节点之间投票的占比进行选择性投票，并计算节点得分，选出得分最高的节点，则该节点为关键节点；投票结束后，构建网络中关键节点的一阶邻域拓扑图和二阶邻域拓扑图；降低一阶邻域拓扑图和二阶邻域拓扑图中的所有节点的票数；重复上述步骤，获取下一个关键节点，并生成关键节点序列表。本发明通过构建节点的一阶和二阶邻域拓扑图，可以更好地理解节点之间的关系，从而更准确地识别关键节点。
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