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公开(公告)号:CN104201235A
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201410339032.4
申请日:2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02363
Abstract: 本发明涉及半导体工业领域,特别涉及一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法。运用等离子体刻蚀方法的物理性刻蚀和化学性刻蚀以及其刻蚀程度的高可调控性等优点刻蚀薄膜太阳能电池AZO薄膜。本方法可以达到湿法刻蚀的效果,同时因为不使用腐蚀性溶液,避免反应溶液处理不当对环境造成的污染;通过对本方法中基片架的加热温度、通入气体流量、射频源功率和频率、刻蚀时间的控制,提高刻蚀的可控性。对比溅射沉积绒面AZO薄膜,因粒子能量有限织构化效果不明显,可以达到优良的刻蚀效果。实现了一种陷光结构效果优良、刻蚀过程可控性高、无污染的薄膜太阳能电池AZO薄膜的织构方法,从而用于提高太阳能电池转化效率的技术中。
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公开(公告)号:CN118908750A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202411030235.5
申请日:2024-07-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种含SiNx/Si的复合硅层的硅碳材料及制备方法,将碳基材置于管式炉中,通入氩气,以5℃/min升温到300‑800℃,然后同时通入硅源和氮源并到达一定的气压,通过气相沉积的方法,得到SiNx的复合硅层。本发明的硅碳材料与普通的CVD硅碳复合材料相比,有以下的优势:1.含SiNx/Si的复合硅层促进生成含氮的SEI膜,提升电极的锂离子迁移速率。2.SiNx/Si纳米互嵌入结构的构建,均匀的分散了纳米硅颗粒,同时防止材料循环过程的电化学烧结,提升了材料的循环性能。3.工艺简单,匹配当下最常见的CVD硅碳材料制备工艺,不需要引入新的工序和设备,应用成本低。
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公开(公告)号:CN115513520B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202211159701.0
申请日:2022-09-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M10/0565 , H01M10/052
Abstract: 一种基于原位固化的快离子导体的制备方法,涉及固态电解质制备技术领域。包括:1)将高空间位阻单体和交联剂混合,经分子筛除水后,再加入锂盐,混合均匀,得到的混合液A在2~8℃下存放;2)将引发剂和增塑剂混合,搅拌混合均匀,得到混合液B;3)混合液A和混合液B混合,得到固化前驱液;4)在带多孔骨架膜的电芯中注入固化前驱液,原位固化,得到固态聚合物快离子导体。本发明通过将高空间位阻单体与高活性交联剂共聚,利用空间位阻体积效应拓宽离子迁移通道,使得原位固态聚合物电解质的离子输运路径变短,离子电导率大幅度提高;高空间位阻单体与高活性交联剂协同构建的三维网络结构具有高的机械强度和稳定的电极电解质界面性质。
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公开(公告)号:CN118405687A
公开(公告)日:2024-07-30
申请号:CN202410484548.1
申请日:2024-04-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B32/05 , C01B32/15 , C01B33/021 , B82Y30/00 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , C23C16/26 , C23C16/505
Abstract: 本发明属于储能材料技术领域,具体为一种多孔碳的制备方法及其在硅碳负极上的应用。本发明通过将第一碳材料(二维碳或三维碳材料)、第二碳材料(具有长链或长链加支链的一维碳材料)和分散剂加入水中,干燥后得到多孔碳前驱体材料,再热处理后制得多孔碳材料;并可调制第一碳材料和第二碳材料配比得到不同的比表面积和振实密度的多孔碳骨架。进而在沉积硅、碳层后应用于锂离子电池负极材料,实现高比容量、优秀的循环稳定性和良好的倍率性能;同时多孔碳骨架还具有比表面积、容量、振实密度的可定制性,满足不同的应用场景,具备巨大的市场化潜力,且工艺简单,适合大规模工业制备,为储能技术的发展应用提供了一定的基础。
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公开(公告)号:CN116666674A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310663691.2
申请日:2023-06-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M6/16
Abstract: 本发明属于锂电池技术领域,具体涉及一种高能量密度的锂/氟化碳一次电池电解液及应用。本发明从电解液角度出发,向Li/CFx电池电解液中引入常用作成膜添加剂的FEC作为共溶剂来构成电解液,使得应用到Li/CFx电池中时参与到电池的放电过程中,在提高电池放电能力的同时改善电极/电解液的界面特性,从而实现电池的高能量密度,具有很好的实用价值和普适性;还能兼具满足各种类型Li/CFx电池的正常使用且不会牺牲电池的比容量。
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公开(公告)号:CN115566274A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202211167956.1
申请日:2022-09-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M10/058 , H01M4/62 , H01M10/052 , H01M10/0565
Abstract: 一种基于原位固化的锂金属电池的制备方法,属于固态锂金属电池制备领域。本发明采用双路易斯酸的协同作用在原位固态电解质和锂金属界面构筑具有自修复功能的双界面层策略,先通过在锂金属表面滴加含第一路易斯酸的溶液,原位生长一层含LiCl或LiBr或LiI的A‑SEI膜作为第一保护层,抑制锂金属与原位固态电解质的副反应;再在原位固态电解质固化液中添加第二路易斯酸,持续提供构筑高锂离子扩散的含锂合金和高模量界面层富LiF的原料,对双界面层缺陷进行自修复,构筑第二保护层。本发明解决了原位固态锂金属电池界面极不稳定的问题,制得了兼容的高性能原位固态电解质,获得高能量密度、高库伦效率和超长的循环寿命的锂金属电池。
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公开(公告)号:CN109167062B
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN201810984965.7
申请日:2018-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/583 , H01M10/0525 , C01B32/21
Abstract: 一种采用氮气和氢气混合等离子体处理石墨粉末的方法,属于功能材料制备技术领域。本发明采用氮气和氢气混合等离子体处理石墨粉末,综合了氢的刻蚀作用和氮的掺杂作用,使得石墨粉末的电化学性能得到较大的提升,改性后的石墨粉末应用于锂离子电池负极材料中,比容量大大提升,阻抗有明显改善;且相较于传统的CVD法碳包覆、高温煅烧掺杂等改性方法,本发明方法简单,成本低,所需温度较低,不易引入杂质,绿色环保,可广泛应用于石墨粉末的改性处理中。
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公开(公告)号:CN113054183A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110268582.1
申请日:2021-03-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/38 , H01M4/62 , H01M4/04 , H01M10/052
Abstract: 本发明涉及一种CoNi双金属有机框架衍生碳硫复合材料的制备方法,属于储能材料和锂硫电池正极材料制备技术领域。本发明制备的复合材料首先以金属盐为基底,加入有机配体和有机溶剂,金属盐通过室温静置、水热反应或者溶剂热反应得到MOFs纳米材料作为前驱体,之后将前驱体碳化处理,然后用碳化产物固硫,从而得到CoNi双金属有机框架衍生碳硫复合材料。碳化后的产物由于具有较大的比表面积,而且导电性较好,含有金属粒子,有着良好的“固硫”作用,能有效抑制中间产物多硫化物在电解液中的“穿梭效应”。本发明制备的复合材料还具有较好的循环稳定性,容量相对较高,制备简单,原材料易得,有利于加速锂硫电池商业化等诸多优势,有着很好的应用前景。
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公开(公告)号:CN111908833A
公开(公告)日:2020-11-10
申请号:CN202010712156.8
申请日:2020-07-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B26/08
Abstract: 一种锆钛酸铅气凝胶复合涂层的制备方法,属于功能材料技术领域。本发明在前期研究的基础上,使用N,N二甲基甲酰胺为溶剂,通过将PZT气凝胶粉体与PVDF复合,使用溶剂浇铸法制备出PZT气凝胶涂层,在保留气凝胶原有低密度、低声阻抗等本征性能的前提下赋予其柔韧性,使得PZT气凝胶应用于水声换能器成为可能。与此同时,又通过在复合膜中添加SiO2气凝胶粉体、PZT陶瓷粉体、改变复合涂层的层数对PZT气凝胶涂层的综合性能进行了调节。
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公开(公告)号:CN108033439A
公开(公告)日:2018-05-15
申请号:CN201810000700.9
申请日:2018-01-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B32/184
CPC classification number: C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域,具体提供一种等离子体辅助溅射固态碳源的石墨烯低温制备方法;本发明采用固体碳源,通过溅射碳靶提供生长的碳源,充分利用镍金属的催化作用在低温环境下(500~600℃)将非晶碳晶化为石墨烯,加上等离子体的作用能活化金属催化剂的同时还能将溅射的碳颗粒分解成更小的颗粒,从而提供生长的石墨烯的质量;其中所用的固态碳源来源广、成本较低,而且作为生长源,固态碳源相比化学气相沉积方法中的气态碳源来说更加可控并且更加安全,同时生长温度相比化学气相沉积方法中温度更低;综上,本发明能够制备得完整高质量石墨烯,且工艺简单可控、有效降低石墨烯合成成本,降低生长温度,有利于实现石墨烯产业规模化低成本化。
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