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公开(公告)号：CN109686928A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811387837.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/054
CPC classification number: H01M4/366 , H01M4/386 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 一种应用于二次电池的碳硅复合负极材料的制备方法，属于二次电池的负极材料制备技术领域。首先采用等离子体处理基底，使基底具有更多二级结构，有效增加了基底的比表面积，提高了硅的附着力和锂离子的穿透能力；然后采用磁控溅射法沉积N型掺杂的硅薄膜，最后通过等离子体化学气相沉积法形成非晶碳层。本发明方法得到的非晶碳和N型掺杂硅形成的碳硅复合负极，有效结合了硅的高容量和非晶碳的强导电能力的优点，得到的负极材料应用于锂二次电池中，有效提高了电池的容量和循环稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109167062A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810984965.7
申请日：2018-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/583 , H01M10/0525 , C01B32/21
Abstract: 一种采用氮气和氢气混合等离子体处理石墨粉末的方法，属于功能材料制备技术领域。本发明采用氮气和氢气混合等离子体处理石墨粉末，综合了氢的刻蚀作用和氮的掺杂作用，使得石墨粉末的电化学性能得到较大的提升，改性后的石墨粉末应用于锂离子电池负极材料中，比容量大大提升，阻抗有明显改善；且相较于传统的CVD法碳包覆、高温煅烧掺杂等改性方法，本发明方法简单，成本低，所需温度较低，不易引入杂质，绿色环保，可广泛应用于石墨粉末的改性处理中。
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公开(公告)号：CN109686928B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201811387837.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/054
Abstract: 一种应用于二次电池的碳硅复合负极材料的制备方法，属于二次电池的负极材料制备技术领域。首先采用等离子体处理基底，使基底具有更多二级结构，有效增加了基底的比表面积，提高了硅的附着力和锂离子的穿透能力；然后采用磁控溅射法沉积N型掺杂的硅薄膜，最后通过等离子体化学气相沉积法形成非晶碳层。本发明方法得到的非晶碳和N型掺杂硅形成的碳硅复合负极，有效结合了硅的高容量和非晶碳的强导电能力的优点，得到的负极材料应用于锂二次电池中，有效提高了电池的容量和循环稳定性。
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公开(公告)号：CN108033439B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810000700.9
申请日：2018-01-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体提供一种等离子体辅助溅射固态碳源的石墨烯低温制备方法；本发明采用固体碳源，通过溅射碳靶提供生长的碳源，充分利用镍金属的催化作用在低温环境下(500～600℃)将非晶碳晶化为石墨烯，加上等离子体的作用能活化金属催化剂的同时还能将溅射的碳颗粒分解成更小的颗粒，从而提供生长的石墨烯的质量；其中所用的固态碳源来源广、成本较低，而且作为生长源，固态碳源相比化学气相沉积方法中的气态碳源来说更加可控并且更加安全，同时生长温度相比化学气相沉积方法中温度更低；综上，本发明能够制备得完整高质量石墨烯，且工艺简单可控、有效降低石墨烯合成成本，降低生长温度，有利于实现石墨烯产业规模化低成本化。
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公开(公告)号：CN109167062B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201810984965.7
申请日：2018-08-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M4/583 , H01M10/0525 , C01B32/21
Abstract: 一种采用氮气和氢气混合等离子体处理石墨粉末的方法，属于功能材料制备技术领域。本发明采用氮气和氢气混合等离子体处理石墨粉末，综合了氢的刻蚀作用和氮的掺杂作用，使得石墨粉末的电化学性能得到较大的提升，改性后的石墨粉末应用于锂离子电池负极材料中，比容量大大提升，阻抗有明显改善；且相较于传统的CVD法碳包覆、高温煅烧掺杂等改性方法，本发明方法简单，成本低，所需温度较低，不易引入杂质，绿色环保，可广泛应用于石墨粉末的改性处理中。
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公开(公告)号：CN108033439A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201810000700.9
申请日：2018-01-02
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B32/184
CPC classification number: C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2004/03
Abstract: 本发明属于石墨烯制备技术领域，具体提供一种等离子体辅助溅射固态碳源的石墨烯低温制备方法；本发明采用固体碳源，通过溅射碳靶提供生长的碳源，充分利用镍金属的催化作用在低温环境下(500～600℃)将非晶碳晶化为石墨烯，加上等离子体的作用能活化金属催化剂的同时还能将溅射的碳颗粒分解成更小的颗粒，从而提供生长的石墨烯的质量；其中所用的固态碳源来源广、成本较低，而且作为生长源，固态碳源相比化学气相沉积方法中的气态碳源来说更加可控并且更加安全，同时生长温度相比化学气相沉积方法中温度更低；综上，本发明能够制备得完整高质量石墨烯，且工艺简单可控、有效降低石墨烯合成成本，降低生长温度，有利于实现石墨烯产业规模化低成本化。
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