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公开(公告)号：CN104659137B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410802016.4
申请日：2014-12-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0525
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种新型光热电复合器件，属于太阳能利用领域。公开了一种全固态的光子增强热电子发射器件。该器件从上至下依次包括：透明导电氧化物层，用于减少载流子复合的背表面场钝化层，用于吸收太阳光的阴极吸收层，高导电高绝热半导体材料层和用于收集电子的阳极。该器件通过结合光生电子与热电子发射的双重功能，相比单一的光伏电池或者热电子发射器件能获得较高的能量转化效率。全固态PETE器件在阴、阳极之间插入了高导电高绝热层，相对常规的基于真空间隙层的光子增强热电子发射器件，它工艺难度小，消除了空间电荷效应，且可以通过能级匹配实现效率在更大空间的提升。
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公开(公告)号：CN103074569A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310033587.1
申请日：2013-01-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C4/12
Abstract: 本发明提供了一种大气辉光放电低温等离子体镀膜装置，属于材料制备领域，该装置可降低设备复杂程度、易操作，而且可节约整体镀膜工艺的成本，其结构包括放电管，所述的放电管上端设有管塞，管塞上设有通孔；所述的管塞的底部通过盲孔插置有棒状电极；所述的放电管的下端设有中空倒置截头的圆锥体，在圆锥体的底部水平设有环状电极，在环状电极的上方设有环状电介质；所述的圆锥体的侧壁上还设有粉体输送口；所述的环状电极通过导线与电源一端相连接，同时接地，棒状电极上端通过导线穿过管塞与电源另一端相连接。它结构简单，操作方便，降低了镀膜成本，扩大了使用范围，因而具有很好的推广利用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103060740A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310033588.6
申请日：2013-01-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C4/12
Abstract: 本发明提供了一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术，属于等离子体镀膜领域，该技术可以有效解决镀膜领域存在的镀膜温度过高会损坏基底及制备工艺复杂的问题，其步骤包括：a、在放电管中通电击穿低温等离子体过程，由气体源通入的气体在加有激励源的电源的作用下达到击穿电压，并导通放电激发产生低温等离子体；b、粉体材料导入过程，送入的粉体材料在低温等离子体的作用下局部温度升高融化并加速；c、低温等离子体喷出镀膜实现过程，粉体材料与低温等离子体一起喷出，沉积在基底表面实现镀膜。可广泛应用于印制电子、3D打印等领域金属材料、半导体材料、化合物材料和多聚物等材料的制备。
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公开(公告)号：CN104659137A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410802016.4
申请日：2014-12-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0525
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明涉及一种新型光热电复合器件，属于太阳能利用领域。公开了一种全固态的光子增强热电子发射器件。该器件从上至下依次包括：透明导电氧化物层，用于减少载流子复合的背表面场钝化层，用于吸收太阳光的阴极吸收层，高导电高绝热半导体材料层和用于收集电子的阳极。该器件通过结合光生电子与热电子发射的双重功能，相比单一的光伏电池或者热电子发射器件能获得较高的能量转化效率。全固态PETE器件在阴、阳极之间插入了高导电高绝热层，相对常规的基于真空间隙层的光子增强热电子发射器件，它工艺难度小，消除了空间电荷效应，且可以通过能级匹配实现效率在更大空间的提升。
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公开(公告)号：CN104201235A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410339032.4
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/02363
Abstract: 本发明涉及半导体工业领域，特别涉及一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法。运用等离子体刻蚀方法的物理性刻蚀和化学性刻蚀以及其刻蚀程度的高可调控性等优点刻蚀薄膜太阳能电池AZO薄膜。本方法可以达到湿法刻蚀的效果，同时因为不使用腐蚀性溶液，避免反应溶液处理不当对环境造成的污染；通过对本方法中基片架的加热温度、通入气体流量、射频源功率和频率、刻蚀时间的控制，提高刻蚀的可控性。对比溅射沉积绒面AZO薄膜，因粒子能量有限织构化效果不明显，可以达到优良的刻蚀效果。实现了一种陷光结构效果优良、刻蚀过程可控性高、无污染的薄膜太阳能电池AZO薄膜的织构方法，从而用于提高太阳能电池转化效率的技术中。
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公开(公告)号：CN103060740B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310033588.6
申请日：2013-01-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C4/12
Abstract: 本发明提供了一种大气辉光放电低温等离子体镀膜技术，属于等离子体镀膜领域，该技术可以有效解决镀膜领域存在的镀膜温度过高会损坏基底及制备工艺复杂的问题，其步骤包括：a、在放电管中通电击穿低温等离子体过程，由气体源通入的气体在加有激励源的电源的作用下达到击穿电压，并导通放电激发产生低温等离子体；b、粉体材料导入过程，送入的粉体材料在低温等离子体的作用下局部温度升高融化并加速；c、低温等离子体喷出镀膜实现过程，粉体材料与低温等离子体一起喷出，沉积在基底表面实现镀膜。可广泛应用于印制电子、3D打印等领域金属材料、半导体材料、化合物材料和多聚物等材料的制备。
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公开(公告)号：CN104201235B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201410339032.4
申请日：2014-07-16
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体工业领域，特别涉及一种薄膜太阳能电池AZO薄膜的等离子体织构方法。运用等离子体刻蚀方法的物理性刻蚀和化学性刻蚀以及其刻蚀程度的高可调控性等优点刻蚀薄膜太阳能电池AZO薄膜。本方法可以达到湿法刻蚀的效果，同时因为不使用腐蚀性溶液，避免反应溶液处理不当对环境造成的污染；通过对本方法中基片架的加热温度、通入气体流量、射频源功率和频率、刻蚀时间的控制，提高刻蚀的可控性。对比溅射沉积绒面AZO薄膜，因粒子能量有限织构化效果不明显，可以达到优良的刻蚀效果。实现了一种陷光结构效果优良、刻蚀过程可控性高、无污染的薄膜太阳能电池AZO薄膜的织构方法，从而用于提高太阳能电池转化效率的技术中。
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