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公开(公告)号：CN114706044A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210368874.7
申请日：2022-04-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种脉组频率捷变雷达的多目标检测方法，实现步骤为：构建回波信号矩阵；对每个回波数据矩阵进行预处理；提取每个预处理后的回波数据矩阵每个距离单元的目标多普勒通道号；构建匹配的多普勒通道号记录向量的集合；构建待检测数据矩阵集合；获取脉组频率捷变雷达的多目标检测结果。本发明在每个脉组中针对每个距离单元提取出模值最大的多个多普勒通道，从而达到了提取多个目标的多普勒通道信息的目的，并利用同一目标在不同脉组中的多普勒速度相同的特点，使得后续对待检测矩阵非相参积累时，脉组间同一目标的所在的多个多普勒通道的数据相互积累，提高了每个目标的信噪比的同时，达到了对单个距离单元进行多目标检测的目的。
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公开(公告)号：CN113848605A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111355562.4
申请日：2021-11-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于介质超表面的窄带光偏振转换器，所述窄带光偏振转换器包括氟化钙衬底，所述氟化钙衬底上层设置周期性的长方体非晶硅，所述长方体非晶硅的长、宽、高分别为5‑7μm、2.5‑4.5μm和1.5‑2.5μm。本发明利用介质材料的低损耗特性和同一频率处的磁偶极子和电偶极子同时共振原理,实现窄带、高效率的偏振转换性能，具有窄带频率选择性、高反射效率和结构简单的性能优势。
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公开(公告)号：CN109799205B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201910127577.1
申请日：2019-02-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/35
Abstract: 本发明公开了一种平面薄膜结构的红外分子指纹传感器及其制备方法，所述的红外分子指纹传感器包括双层膜平面结构传感器和单层膜平面结构传感器，所述的双层膜平面结构传感器由硅(Si)衬底上的铜(Cu)和硒化锌(ZnSe)两层膜构成；所述的单层膜平面结构传感器由硅(Si)衬底上的金膜而构成。该传感器基于薄膜光腔共振和界面场增强原理，由平面多层金属和介质膜组成，无需图形化加工工艺，具有加工简单、成本低、成品率高、有效探测面积大和单分子层探测灵敏度等优点。
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公开(公告)号：CN108490540B
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201810320850.8
申请日：2018-04-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B6/124
Abstract: 本发明公开了一种频率可调的宽带红外隔离元件，属于光学元件技术领域。该隔离元件具有分层结构，从下到上依次为硅衬底、金属光栅、介质膜和石墨烯层，石墨烯层和硅衬底分别与电源的正负极相连接；其中，石墨烯层上开设有“工”字形孔，“工”字形孔与所述金属光栅中的金属条之间的夹角为45°。采用本发明中隔离元件，可有效解决现有光隔离元件成本高、体积大、不易集成以及损耗高、透光率低、工作频段不可调的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107765452B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201710890276.5
申请日：2017-09-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/03
Abstract: 本发明属于光电子技术领域，公开了一种电调谐二氧化钒相变中红外调制器及中红外无线通讯系统，为多层膜结构，以二氧化钒作为电控相变材料；多层膜结构中最下层为铜层，最上层为金插指电极和接受天线，二氧化钒层在中红外调制器的中部，二氧化钒层与铜层之间为二氧化硅层。本发明在2.4伏特激励电压下，实现了对25.5THz中红外光反射率的调制，调制深度为30％；同时实现了对共振频率的调制，调制范围为3.5％。本发明的中红外调制器为层状结构，基于工艺成熟的氧化钒材料，制作简单、成本低，在较低的工作电压下即实现了对中红外光的调制，对于推进其实用化具有重要意义。
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公开(公告)号：CN105929477B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201610410055.9
申请日：2016-06-08
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02B5/30
Abstract: 本发明公开一种宽带可调谐的中红外偏振转换器，为立方体结构，其特征在于，包括：由下至上依次设置的衬底、二氧化硅隔离层、石墨烯层，其中衬底采用0.1μm的金，其上面是0.9‑1.3μm的二氧化硅隔离层，最上面是单层石墨烯，石墨烯上设有周期性的矩形打孔阵列，周期为p＝170‑210nm，所述矩形打孔的长为L1＝100‑140nm、宽为L2＝80‑120nm，矩形打孔为45度角朝向即矩形打孔的边与衬底、二氧化硅隔离层、石墨烯层的边夹角为45°。
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公开(公告)号：CN104518037B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410606718.5
申请日：2015-01-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种提升太阳能电池吸收效率的多尺度纳米陷光结构，其面型由多个有序结构组合而成，将此陷光结构集成在太阳能电池吸收材料上方来俘获光，可克服现有陷光结构吸收率不高的缺点。本发明提出的多尺度陷光结构有能力将吸收效率推进到理论极限，从而大幅提高电池转换效率。
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公开(公告)号：CN105137619A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510648986.8
申请日：2015-10-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
CPC classification number: G02F1/0147
Abstract: 本发明涉一种宽带的中红外调制器，所述中红外调制器为多层结构，中红外调制器以二氧化钒为温控相变材料；所述中红外调制器的多层结构的最下层为金，最上层为二氧化硅，二氧化钒层位于中红外调制器的中部，二氧化钒层的上侧设有钛金属层。其中，优选的结构为，中红外调制器的多层结构从下至上依次为金、二氧化硅、二氧化钒、钛金属、二氧化硅。本发明的宽带的中红外调制器，该中红外调制器的带宽达到中心波长的94％；该中红外调制器的结构为层状结构，制作简单、成本低，层状薄膜结构无需图案化印刷技术，因此可简化制作工艺、降低成本。
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公开(公告)号：CN205176417U
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201520779022.2
申请日：2015-10-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型涉一种宽带的中红外调制器，所述中红外调制器为多层结构，中红外调制器以二氧化钒为温控相变材料；所述中红外调制器的多层结构的最下层为金，最上层为二氧化硅，二氧化钒层位于中红外调制器的中部，二氧化钒层的上侧设有钛金属层。其中，优选的结构为，中红外调制器的多层结构从下至上依次为金、二氧化硅、二氧化钒、钛金属、二氧化硅。本实用新型的宽带的中红外调制器，该中红外调制器的带宽达到中心波长的94％；该中红外调制器的结构为层状结构，制作简单、成本低，层状薄膜结构无需图案化印刷技术，因此可简化制作工艺、降低成本。
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