公开(公告)号：CN109799205B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201910127577.1

申请日：2019-02-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘志军 ,  郭世兴 ,  何德

IPC: G01N21/35

Abstract: 本发明公开了一种平面薄膜结构的红外分子指纹传感器及其制备方法，所述的红外分子指纹传感器包括双层膜平面结构传感器和单层膜平面结构传感器，所述的双层膜平面结构传感器由硅(Si)衬底上的铜(Cu)和硒化锌(ZnSe)两层膜构成；所述的单层膜平面结构传感器由硅(Si)衬底上的金膜而构成。该传感器基于薄膜光腔共振和界面场增强原理，由平面多层金属和介质膜组成，无需图形化加工工艺，具有加工简单、成本低、成品率高、有效探测面积大和单分子层探测灵敏度等优点。

公开(公告)号：CN105182462B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201510695811.2

申请日：2015-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘志军 ,  何德 ,  蒋亚东

IPC: G02B5/30 ,  G02B27/28

Abstract: 本发明公开了一种基于双杆天线结构的中红外偏振转换器，器件由多个单元器件构成的单元阵列，每个所述单元器件从下到上依次为n‑型高掺杂硅片衬底、铜膜、二氧化硅隔离层、双杆天线。这种偏振转换器中心波长为9.58μm，偏振转化率PCR超过80％，带宽为中心波长的77％，性能优越。

公开(公告)号：CN105182462A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510695811.2

申请日：2015-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘志军 ,  何德 ,  蒋亚东

IPC: G02B5/30 ,  G02B27/28

CPC classification number: G02B5/3083 ,  G02B27/286

Abstract: 本发明公开了一种基于双杆天线结构的中红外偏振转换器，器件由多个单元器件构成的单元阵列，每个所述单元器件从下到上依次为n-型高掺杂硅片衬底、铜膜、二氧化硅隔离层、双杆天线。这种偏振转换器中心波长为9.58μm，偏振转化率PCR超过80％，带宽为中心波长的77％，性能优越。

公开(公告)号：CN109799205A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201910127577.1

申请日：2019-02-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 刘志军 ,  郭世兴 ,  何德

IPC: G01N21/35

Abstract: 本发明公开了一种平面薄膜结构的红外分子指纹传感器及其制备方法，所述的红外分子指纹传感器包括双层膜平面结构传感器和单层膜平面结构传感器，所述的双层膜平面结构传感器由硅(Si)衬底上的铜(Cu)和硒化锌(ZnSe)两层膜构成；所述的单层膜平面结构传感器由硅(Si)衬底上的金膜而构成。该传感器基于薄膜光腔共振和界面场增强原理，由平面多层金属和介质膜组成，无需图形化加工工艺，具有加工简单、成本低、成品率高、有效探测面积大和单分子层探测灵敏度等优点。