公开(公告)号：CN105308735A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201480035023.4

申请日：2014-04-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·G·布雷克 ,  岱尔·K·史东 ,  留德米拉·史东 ,  麦可·斯库拉么尔

IPC: H01L21/687 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/6831

Abstract: 一种静电卡盘，包括加热器及配置在加热器上的电极。此静电卡盘也包括绝缘体层及配置在绝缘体上的涂层，其中所述涂层用以支撑电极系统所产生的静电场以便吸住基板。

公开(公告)号：CN102119439B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN200980131177.2

申请日：2009-06-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 大卫·苏若恩 ,  岱尔·K·史东 ,  茂雄·S·大城 ,  亚瑟·P·瑞福 ,  爱德华·D·梅克英特许

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明揭示减少基材上粒子污染的技术。在一特殊实施例中，此技术可以一具有多个不同区域的平台来实施，其中这些区域中的压力值可实质上相同。举例来说，平台可包括一平台主体，其包括第一与第二凹陷，第一凹陷定义出一流体区域用以保持流体以维持基材的温度于一预定温度，第二凹陷定义出一第一凹槽用以保持一接地电路；一第一通孔定义于平台主体中，第一通孔具有第一与第二开口，第一开口邻近于流体区域，而第二开口邻近于第一凹槽，其中流体区域的压力值可维持在一准位，且此准位实质上相等于第一凹槽的压力值。

公开(公告)号：CN101688295B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880016940.2

申请日：2008-03-18

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·G·布雷克 ,  岱尔·K·史东 ,  留德米拉·史东 ,  大卫·苏若恩

IPC: C23C14/50 ,  H01J37/20 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H02N13/00

CPC classification number: H02N13/00 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/6833

Abstract: 一种静电夹持装置及一种减少对耦接至静电夹持装置的工件造成污染的方法。根据一实施例，耦接工件的静电夹持装置包括位于本体的表面上的用以接触工件的浮雕部，以及位于所述本体内的至少两个电极，其中至少两个电极被所述浮雕部下方的分离部分开。

公开(公告)号：CN101971286A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980102279.1

申请日：2009-01-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 留德米拉·史东 ,  朱利安·G·布雷克 ,  岱尔·K·史东 ,  罗·S·希瑞史盖

IPC: H01J37/30 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本设备包括配置于真空室的界面的衬层。一构件位于真空式内以定义该界面。该衬层配置成用以保护工件免受污染，或是用以避免因原子或离子植入界面所引起的界面产生气泡。在一些实施例中，衬层可由真空室中的界面丢弃以及移除并以新的衬层取代。在一些实施例中，此衬层可为具有粗糙面的聚合物，以碳为基质或是由纳米管构成。