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公开(公告)号：CN113004047B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110168120.2
申请日：2021-02-07
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626 , C04B35/645
Abstract: 本发明涉及一种(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体及其制备方法，属于高熵化合物材料制备技术领域，所述高熵陶瓷块体为单相面心立方结构的陶瓷，包括以下摩尔比的氮化物：18％～22％的CrN、18％～22％的VN、18％～22％的NbN、18％～22％的TiN、其余为ZrN；所述制备方法包括三个步骤：预合金化陶瓷粉体的制备、高熵陶瓷粉体的制备和高熵陶瓷块体的制备。本发明有效地降低了烧结温度，实现了(CrZrTiNbV)N高熵陶瓷块体的热压烧结，得到具有单相面心立方(FCC)结构的高熵陶瓷，丰富了陶瓷材料体系，制备的高熵陶瓷块体晶粒细小，断裂韧性相比于原料粉体有了显著的提升。
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公开(公告)号：CN110578065B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN201910857978.2
申请日：2019-09-11
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯增强铜基复合材料的制备方法，包括以下步骤：制备片状铜粉、石墨烯镀镍处理得到镀镍石墨烯；所述片状铜粉与镀镍石墨烯混合进行球磨处理得到混合粉末、在磁场下对所述混合粉末进行逆流旋转取向处理得到复合粉末压坯；所述复合粉末压坯烧结得到石墨烯增强铜基复合材料。本发明采用预先制备片状铜粉，同时对石墨烯进行镀镍处理，增加石墨烯的顺磁性；将片状铜粉和镀镍石墨烯混合粉末在磁场逆流旋转取向处理，热压烧结后制备出石墨烯定向增强铜基复合材料，提高了材料的力学及物理性能。
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公开(公告)号：CN113564579A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110762818.7
申请日：2021-07-06
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种利用激光熔覆制备铜基非晶复合涂层的方法，属于材料表面强化技术领域，包括4个制备步骤：熔炼合金粉末的制备、铜基体预处理、粉末预置处理和激光熔覆加工。本发明有效的改善了纯铜硬度低、摩擦性差等缺点，实现了铜基非晶复合涂层与纯铜基体的良好冶金结合，形成的复合涂层具有结构致密、组织均匀、硬度高、耐磨性好、无裂纹和高非晶含量等优点。
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公开(公告)号：CN113480315A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110710799.3
申请日：2021-06-25
Applicant: 燕山大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/645 , C04B35/65
Abstract: 本发明涉及一种高熵低硼化物陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷技术领域，所述高熵低硼化物陶瓷（NbCrMoWFe）B0.8为单相四方结构，其制备方法主要包括两个步骤：将各原料粉末混合均匀，制备得到混合粉末；采用热压烧结技术，将制备的混合粉末放入导热性能良好的石墨模具中进行固相反应烧结，烧结结束后，冷却至室温，得到高熵陶瓷（NbCrMoWFe）B0.8。本发明利用硼化物和纯金属粉末为原料制备了块状高熵低硼化物，可以有效便利的控制体系中硼元素的含量；采用了较低熔点的纯金属元素作为粘结相，有效降低烧结温度，利用硼化物在烧结过程中可以保持良好的热稳定性，得到的高熵陶瓷致密性好、硬度高。
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公开(公告)号：CN112281157A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011193479.7
申请日：2020-10-30
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种激光熔覆原位合成陶瓷相增强铜基熔覆层的制备方法，包括如下步骤：S1、基体预处理将纯铜基体工作表面，用砂纸打磨、除油、除锈、清洗，然后黑化处理；S2、配制熔覆粉末配制含Mo粉、SiC粉、Ni粉和Cu粉的熔覆粉末，其中，Mo和SiC的含量占10‑30wt.％，Ni粉占30‑40wt.％，余量为Cu粉；并且Mo占85.67wt.％、SiC占14.33 wt.％；S3、混粉并干燥将步骤S2配制的熔覆粉末利用V型混料机混粉，然后将混合粉末干燥；S4、激光熔覆在保护气氛围下，进行激光熔覆，生成多相陶瓷。本发明所制备的陶瓷相增强铜基熔覆层组织致密，无气孔和裂纹，有很好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111979539A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010646843.4
申请日：2020-07-07
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明提供了一种铜基非晶复合涂层及其制备方法，铜基合金粉末制备；铜基体预处理；将铜基合金粉末预置在预处理后的铜基体表面得到预置铜基合金粉末层；对预置铜基合金粉末层的进行激光预热至700℃后，采用激光熔覆加工。本发明提供的制备工艺接近实际工业化水平，工艺条件可控、制备简单，获得的涂层组织均匀，结构致密、无裂纹和无孔洞缺陷。铜基非晶复合涂层具有高强度高硬度以及耐摩擦磨损的优异性能，在国防工业中具有非常大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN111926232A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010646120.4
申请日：2020-07-07
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明公开了一种高熵合金材料及其制备方法，属于表面工程领域。本发明的制备方法包括高熵合金粉末制备；铜基体预处理；将高熵合金粉末预置在预处理后的铜基体表面得到预置铜基合金粉末层；对预置铜基合金粉末层进行激光预热至450℃后，采用激光熔覆加工；所述高熵合金中各组分的原子百分比为：15-20％的Cu、20-23％的Ta、20-22％的Nb、20％的Hf、20％的Zr，所有组分的质量百分比之和为100％。本发明制备的高熵合金粉末可以解决高熔点金属单质粉末在激光增材制造过程中，由于熔点相差较大导致不同元素的烧损率不同以及多元素造成的成分显微偏析等问题。具有硬度高、耐热性强等特点，具有较大的研究及应用前景。
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公开(公告)号：CN107287592B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710689950.3
申请日：2017-08-14
Applicant: 燕山大学
IPC: C23C24/10
Abstract: 本发明公开了一种纯铜表面激光熔覆制备二氧化锆‑碳化硼增强熔覆层的方法，所述方法包括以下步骤：制备陶瓷复合增强熔覆粉末；待熔覆的纯铜基体的表面预处理；采用同步送粉方式，利用激光熔覆装置，使陶瓷复合增强熔覆粉末在纯铜基体的表面迅速熔凝，形成ZrO2‑B4C陶瓷增强熔覆层，将熔覆后的纯铜基体空冷至室温。本发明所获得的熔覆层，可以提高熔覆层的力学性能，最终在纯铜表面获得成分均匀性能优异的熔覆层。
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公开(公告)号：CN120006283A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510204945.3
申请日：2025-02-24
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种网状异质结构涂层的制备方法，属于激光加工与材料合成技术领域。通过引入了Cr粉作为高温析出相促进剂，显著促进了高温析出相在晶界的析出和三维空间的连接；在熔体中引入TiC作为孕育剂，这种孕育剂在晶体形核过程中充当异质形核位点，有效降低了形核的自由能垒，促进了更多的晶核在液相线下形成，不仅细化了网状单元尺寸，还显著提高了材料的强度和韧性。本发明利用激光加工技术结合原位合成反应，成功制备了网状异质结构材料，该网状结构连续、完整、无缺陷，且具有良好的强度与韧性的协同效应。
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公开(公告)号：CN115283667A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210757772.4
申请日：2022-06-29
Applicant: 燕山大学
Abstract: 本发明涉及一种激光原位合成洋葱碳的制备方法，属于激光加工与材料合成技术领域，步骤包括：（1）原料粉末的配制：原料粉末由金属Ni粉和碳化物SiC粉末组成；（2）金属基板的预处理：选用纯铜基板，进行表面处理，用试样袋封装，避免表面氧化；（3）激光原位合成洋葱碳的制备：将步骤（1）所得的原料粉末预置在步骤（2）所得的金属基板表面，并在氩气保护气氛中进行激光加工，在金属基板表面进行原位合成反应生成洋葱碳。本发明利用激光加工技术和原位合成反应，在镍金属中合成了纳米/微米级洋葱碳，制备的洋葱碳在金属基体中均匀分散，结构完整，其直径从400纳米到2微米。
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