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公开(公告)号：CN103074576B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310044088.2
申请日：2013-02-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体，然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材，再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜，或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过溶胶凝胶法，经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程，制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。如此制备的ZnO基薄膜的禁带宽度可以由Mg和Cd的掺杂进行调控，进而调控其铁磁性。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜中共掺入Cd可以使带隙减小，薄膜的室温饱和磁化强度增大，而共掺Mg可以使带隙增大，薄膜室温饱和磁化强度减小。
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公开(公告)号：CN104044318B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310075684.7
申请日：2013-03-11
Applicant: 清华大学
IPC: B32B27/06 , C08L27/16 , C08L63/00 , C08L23/12 , C08L67/00 , C08L79/08 , C08K9/10 , C08K7/08 , C08K3/24 , C08K3/22 , B32B37/06 , B32B37/10 , C08J5/18 , D01F9/08 , C04B35/468
Abstract: 本发明公开了一种叠层结构无机介质填充的聚合物基介电储能复合材料及其制备方法。该复合材料为具有至少三层薄膜结构的叠层薄膜；所述叠层薄膜由纳米纤维/聚合物的复合膜和纳米颗粒/聚合物的复合膜交替层叠组成。本发明采用流延法制备出单层复合薄膜，再经叠层热压法制得叠层复合材料；或者使用分次流延法依次流出多层薄膜，形成叠层结构。实验证明这种叠层复合材料同时兼有较高的介电常数、较低的介电损耗、较高的击穿场强和较大的储能密度，是一种有希望在嵌入式电容器、静电储能器、大功率电容器等方面得到应用的材料。
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公开(公告)号：CN105078769A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510512246.1
申请日：2015-08-19
Applicant: 清华大学
IPC: A61K6/087 , A61K6/027 , C08F220/32 , C08F222/20 , C08K9/06 , C08K7/26 , C08K3/36
Abstract: 本发明涉及一种可切削齿科复合树脂及其制备方法，属于可切削齿科修复用的复合材料。本发明所述的复合树脂包括32.4～49.8％的树脂基体、0.2～1.0％的引发剂和50～67％的经硅烷偶联剂改性的无机填料。其制备方法是用硅烷偶联剂对介孔二氧化硅和气相二氧化硅进行表面改性，然后将改性的介孔二氧化硅和气相二氧化硅按比例混合后压成陶瓷块体，再将陶瓷块体浸渗在含有引发剂的树脂基体中，将浸渗完成的陶瓷块体取出后热固化，即制得可切削齿科复合树脂。本发明的复合树脂透光性好，物理机械性能优良，原料易得且价格低廉，制备方法简单，适合于工业化生产，可用于可切削齿科修复用的复合材料。
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公开(公告)号：CN104044318A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310075684.7
申请日：2013-03-11
Applicant: 清华大学
IPC: B32B27/06 , C08L27/16 , C08L63/00 , C08L23/12 , C08L67/00 , C08L79/08 , C08K9/10 , C08K7/08 , C08K3/24 , C08K3/22 , B32B37/06 , B32B37/10 , C08J5/18 , D01F9/08 , C04B35/468
Abstract: 本发明公开了一种叠层结构无机介质填充的聚合物基介电储能复合材料及其制备方法。该复合材料为具有至少三层薄膜结构的叠层薄膜；所述叠层薄膜由纳米纤维/聚合物的复合膜和纳米颗粒/聚合物的复合膜交替层叠组成。本发明采用流延法制备出单层复合薄膜，再经叠层热压法制得叠层复合材料；或者使用分次流延法依次流出多层薄膜，形成叠层结构。实验证明这种叠层复合材料同时兼有较高的介电常数、较低的介电损耗、较高的击穿场强和较大的储能密度，是一种有希望在嵌入式电容器、静电储能器、大功率电容器等方面得到应用的材料。
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公开(公告)号：CN103247823A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310139528.2
申请日：2013-04-19
Applicant: 清华大学
IPC: H01M10/0562 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供了一种全固态锂离子电池及其制作方法。该全固态锂离子电池包括：正极材料、正极集流体、固体电解质材料、负极材料、负极集流体和不锈钢外壳，其中，固体电解质材料为锆酸锂镧、锶掺杂锆酸锂镧、锗掺杂锆酸锂镧、铝掺杂锆酸锂镧或硅掺杂锆酸锂镧中的至少一种。该电池的制作过程简单，成本低、耗能小，在未来的锂电池技术及市场中具有极大的应用前景。
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公开(公告)号：CN103117413A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310041349.5
申请日：2013-02-01
IPC: H01M10/0562
Abstract: 本发明公开了一种锂镧锆氧基氧化物固体电解质材料及其制备方法。所述固体电解质材料由基体材料和掺杂元素组成；所述基体材料为锂镧锆氧固体电解质，其化学式为Li7La3Zr2O12，所述掺杂元素选自下述至少一种：钙、锶、钡和锗，所述掺杂元素的质量不超过所述基体材料质量的15％。制备方法如下：将锂源化合物、镧源化合物、锆源化合物和掺杂元素化合物混匀后进行煅烧和烧结，得到所述锂镧锆氧基固体电解质材料。该材料可以在采用来源广泛的掺杂元素条件下、在较低的烧结温度和较短的烧结时间下制备锂镧锆氧基固体电解质材料，并且总的室温离子电导率均大于1×10-4S/cm，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN103074576A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310044088.2
申请日：2013-02-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体，然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材，再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜，或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过溶胶凝胶法，经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程，制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。如此制备的ZnO基薄膜的禁带宽度可以由Mg和Cd的掺杂进行调控，进而调控其铁磁性。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜中共掺入Cd可以使带隙减小，薄膜的室温饱和磁化强度增大，而共掺Mg可以使带隙增大，薄膜室温饱和磁化强度减小。
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公开(公告)号：CN101222055B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200810055841.7
申请日：2008-01-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种锂电池用共聚物基聚合物电解质材料，其含有共聚物基体和碱金属盐，所述共聚物基体是由氧化乙烯单元和氧化丙烯单元组成。本发明还提供了含所述聚合物电解质材料的复合电解质膜及其制备方法，本发明所述的锂电池用共聚物基聚合物电解质材料，采用共聚物作为基体材料，通过简单的溶液浇铸法制备成聚合物电解质材料，并采用浸泡方法实现活性聚合物电解质材料与高分子隔膜材料的复合。本发明的聚合物电解质材料不含有机液态电解质，不可燃，且与传统的PEO基聚合物电解质相比，电导率明显提高，可以防止热失控以及机械性能好。
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公开(公告)号：CN101814294A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN201010033876.8
申请日：2010-01-11
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种电写磁性存储器件，包括：底电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上；保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，其中通过所述底电极层和磁性记录层向所述铁电氧化物层施加写入电场，且所述磁性记录层的磁矫顽场Hc具有对应于所述写入电场信息的不同磁矫顽场值。本发明还提供一种存储装置、一种信息记录再现方法以及一种电写磁性存储器件的制造方法。采用本发明所述的设备和方法，能够利用电场信号直接作用于存储器件上进行信息写入，降低能耗，同时利用不易受外界干扰的磁性记录层磁矫顽场Hc大小进行信息记录，提高了数据存储的安全性。
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公开(公告)号：CN101628808A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200810116769.4
申请日：2008-07-17
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/465 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于氧化物陶瓷材料技术领域，特别涉及一种CaTiO 3 基压敏—电容双功能陶瓷材料及其合成方法。在CaTiO 3 基底中掺杂CuO，其中，Ca离子、Cu离子与Ti离子间的摩尔比在一定的范围内。所述陶瓷材料的制备方法为：称取CaCO 3 ，CuO和TiO 2 ，并均匀混合，烧结成相，造粒并干压成型，再次高压烧结，即可得到CaTiO 3 基压敏—电容双功能陶瓷材料。该陶瓷材料具有压敏和电容双功能；不含铋、铅等有毒物质，对环境的污染小；具有较高介电常数和良好的频率稳定性，很好的压敏非线性，具有广阔应用前景；制备方法简单，易操作。
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