公开(公告)号：CN102945794A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210331002.X

申请日：2012-09-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 吴华强 ,  肖柯 ,  吕宏鸣 ,  钱鹤 ,  伍晓明

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L23/48 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种二维电子材料装置及其混合光刻方法，方法包括：在衬底上形成至少一层引线金属层并对至少一层引线金属层进行光学光刻，以形成至少一层引线图形，最上层包括多个上层引线，栅、源、漏电极图形分别与一个上层引线相连；形成电极金属层；对电极金属层进行光学光刻，以形成晶体管区域；对电极金属层进行电子束光刻，以形成栅、源、漏电极图形；形成栅介质层；对栅介质层进行光学光刻形成栅介质层图形；形成二维电子材料层图形；以及形成欧姆接触层图形。本发明可消除或减小二维电子材料的本征特性的破坏，在保证工艺成本的前提下可以大大提升小尺寸器件的光刻精度，提高器件性能，同时在保证加工精度的情况下可以节省加工时间。

公开(公告)号：CN102862949A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210331661.3

申请日：2012-09-07

Applicant: 清华大学

Inventor： 伍晓明 ,  肖柯 ,  吕宏鸣 ,  钱鹤 ,  吴华强

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00

Abstract: 本发明公开了一种基于倒置工艺的双臂梁MEMS器件及其形成方法，该方法包括：提供衬底；依次在衬底上形成过渡层、底层电极和层间介质层；在层间介质层上形成上层电极层；刻蚀上层电极层和层间介质层以形成开口，露出底层电极的一部分，并且将上层电极层形成第一上层电极与第二上层电极；在第一上层电极与第二上层电极之上形成二维材料薄膜，其中，二维材料薄膜跨过开口；以及分别在二维材料薄膜两端上方形成第一金属接触和第二金属接触，其中，第一金属接触与第一上层电极的至少一部分相连，第二金属接触与第二上层电极的至少一部分相连。本发明的方法工艺成熟、易于实现，器件接触电阻小、稳定可靠。