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公开(公告)号：CN107860752A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710995806.2
申请日：2017-10-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种交流电模式下的纳米孔单分子荧光成像装置及方法，该装置包括纳米孔成像池、交流信号提供系统和全内反射荧光成像系统；交流电位由交流信号发生系统产生，通过电流放大系统连接电极施加在纳米孔两侧。纳米孔荧光成像由全内反射荧光成像系统实现，纳米孔上、下两侧分别为低、高折射率介质，可实现激发光在纳米孔界面的全内反射。本发明在纳米孔两侧施加交流电位，可以对单分子的穿孔行为进行调控；交流电位的施加对纳米孔的稳定性有显著提高，扩大了工作电压的施加范围；通过全内反射荧光成像系统，实现对单个纳米孔的单分子信号实时荧光成像监控，具有高空间、时间分辨率及高灵敏度的优势。
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公开(公告)号：CN106996832A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610042563.6
申请日：2016-01-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种光波长检测器，其包括：一探测元件，所述探测元件用于接收待测光一测量装置，所述测量装置与所述探测元件电连接；其中，所述探测元件包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管沿同一方向延伸；所述光波长检测器进一步包括一偏振片，所述偏振片用于将待测光起偏为偏振光后入射到碳纳米管结构的部分表面，所述测量装置用于测量由于偏振光的照射在所述碳纳米管结构中产生的温度差或电势差，该偏振片与所述碳纳米管结构可相对旋转，从而改变偏振光的方向与所述碳纳米管的延伸方向之间的夹角角度，通过比较不同夹角时测量得到的温度差或电势差获得所述待测光的波长值。本发明还涉及一种光波长检测器的使用方法。
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公开(公告)号：CN106293135A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510321792.7
申请日：2015-06-12
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G06F3/033
CPC classification number: G06F3/03543
Abstract: 本发明涉及一种可折叠鼠标，包括：一基板，一薄膜电池、一触控模组、一信号处理模组及一通讯模组设置于所述基板上；所述信号处理模组分别与所述触控模组及通讯模组电连接，以驱动所述触控模组，并对触控模组感测到的信号进行处理，并将处理后的数据传输给通讯模组；所述薄膜电池与所述触控模组、信号处理模组及通讯模组分别电连接，以提供能源；其中，所述基板为一片状结构，包括一主体结构、一第一支撑板及一第二支撑板对称设置于所述主体结构两侧，所述第一支撑板及第二支撑板可旋转的与所述主体结构相连，所述主体结构进一步包括一微型光盘设置于所述主体结构表面。本发明所述可折叠鼠标结构更简单，便于携带。
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公开(公告)号：CN104713932A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510131506.0
申请日：2015-03-24
Applicant: 清华大学
IPC: G01N27/416
Abstract: 一种交流模式的多参数纳米孔单分子分析仪，包括纳米孔检测池，纳米孔检测池的两支电极和电流放大系统的探头连接，交流信号发生系统输出和电流放大系统输入连接，电流放大系统的电位输出和锁相放大系统的电位入口连接，电流放大系统的电流输出通过滤波系统和锁相放大系统的电流入口连接，锁相放大系统的电位、电流、振幅、相位出口分别和多通道数据同步采集系统的相应接口连接，多通道数据同步采集系统和计算机显示及分析系统连接，本发明可以对穿过纳米孔的单个分子引起的直流组分电流、交流组分振幅、相位差、阻抗变化等诸多参数进行检测，提高纳米孔测量的选择性，可应用于多种生物大分子和药物分子的筛选和分析检测。
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公开(公告)号：CN1472680A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03124095.X
申请日：2003-05-01
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 标准单元总体布线过程中用的减少串扰的方法属于集成电路计算机辅助设计领域，其特征在于：它是在标准单元总体布线中优化时延后进行的，它先在统计电路串扰基础上进行信号线网间的串扰减少控制，然后再根据用户给出的时延约束指标来进行优化延时判别，若不满足，则继续迭代时延优化和串扰减少控制程序，一直到得出一组满足优化目标的所有线网在总体布线图中的布线树为止。它是在优化电路时延程序之后再通过控制相邻线网的平行走线长度和布线间隔来减少信号线网间的串扰的；判断参数则是线网串扰溢出量的变化值。与在后续阶段来减少串扰相比，它有更大的空间；它在减少串扰特别是关键路径串扰的同时，也兼顾了时延性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108732139B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710259270.8
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波通讯方法，其包括以下步骤：提供一太赫兹波源，并使该太赫兹波源激发产生太赫兹波；在所述太赫兹波源的出射面一侧设置一碳纳米管结构，使该太赫兹波源产生的太赫兹波透过该碳纳米管结构后形成太赫兹调制波发射出去，其中，该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管；通过有规律地改变所述碳纳米管的延伸方向与太赫兹波偏振方向的夹角对所述太赫兹调制波进行加密；采用一太赫兹波接收装置接收加密后的太赫兹调制波，并计算所述太赫兹波的穿透率；以及根据所述太赫兹波的穿透率变化规律对该加密后的太赫兹调制波进行解密。
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公开(公告)号：CN107860752B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710995806.2
申请日：2017-10-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种交流电模式下的纳米孔单分子荧光成像装置及方法，该装置包括纳米孔成像池、交流信号提供系统和全内反射荧光成像系统；交流电位由交流信号发生系统产生，通过电流放大系统连接电极施加在纳米孔两侧。纳米孔荧光成像由全内反射荧光成像系统实现，纳米孔上、下两侧分别为低、高折射率介质，可实现激发光在纳米孔界面的全内反射。本发明在纳米孔两侧施加交流电位，可以对单分子的穿孔行为进行调控；交流电位的施加对纳米孔的稳定性有显著提高，扩大了工作电压的施加范围；通过全内反射荧光成像系统，实现对单个纳米孔的单分子信号实时荧光成像监控，具有高空间、时间分辨率及高灵敏度的优势。
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公开(公告)号：CN106998201B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201610042561.7
申请日：2016-01-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光识别开关装置，其包括：一光线发射器，用于发射光线；一光波长识别器，用于识别该光线发射器发射的光线；以及一开关单元，执行打开或闭合动作；其中，该光波长识别器包括一光波长分析器，一调制器，一存储器；该光波长分析器包括至少一光波长检测器和一信号处理模组，该光波长检测器包括一探测元件及一测量装置；该探测元件包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管沿同一方向延伸，该光线信号入射至碳纳米管结构的表面，该测量装置用于测量该碳纳米管结构的电势差或温度差；该信号处理模组用于对测量值进行分析计算，再将计算得到的信号数据与初始信号数据进行对比，再根据对比结果发送工作指令至该开关单元。
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公开(公告)号：CN108731823B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201710259250.0
申请日：2017-04-20
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种太赫兹波通讯方法，其包括以下步骤：提供一太赫兹波源，并使该太赫兹波源激发产生太赫兹波；在所述太赫兹波源的出射面一侧设置一碳纳米管结构，使该太赫兹波源产生的太赫兹波透过该碳纳米管结构后形成太赫兹调制波发射出去，其中，该碳纳米管结构包括多个沿同一方向定向延伸的碳纳米管；通过控制所述太赫兹波源发射的太赫兹波的波长范围随时间的变化规律对所述太赫兹调制波进行加密；采用一太赫兹波接收装置接收加密后的太赫兹调制波，并计算所述太赫兹波的穿透率；以及根据所述太赫兹波的穿透率变化规律对该加密后的太赫兹调制波进行解密。
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公开(公告)号：CN106996829B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201610042560.2
申请日：2016-01-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: G01J1/42
CPC classification number: G01J9/00 , G01J1/0429 , G01J1/4228 , G01J5/023 , G01J2003/507 , H01L27/307 , H01L51/0048 , H01L51/447
Abstract: 本发明涉及一种图像传感器，其包括：多个感光单元，所述多个感光单元呈阵列式独立分布，每个感光单元用于接受和转换光线信号；一测量元件，用于测量每个感光单元的信号变化值；其中，所述感光单元包括一探测元件，一偏振片；所述探测元件包括一碳纳米管结构，该碳纳米管结构包括多个碳纳米管沿同一方向延伸，所述偏振片用于将光线信号起偏为偏振光后入射到碳纳米管结构的部分表面，所述测量元件用于测量由于偏振光的照射在所述碳纳米管结构中产生的温度差或电势差；所述图像传感器进一步包括一信号处理模组，该信号处理模组用于对该测量元件的测量值进行分析计算，得到光线的波长值。
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