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公开(公告)号：CN107860752A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710995806.2
申请日：2017-10-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种交流电模式下的纳米孔单分子荧光成像装置及方法，该装置包括纳米孔成像池、交流信号提供系统和全内反射荧光成像系统；交流电位由交流信号发生系统产生，通过电流放大系统连接电极施加在纳米孔两侧。纳米孔荧光成像由全内反射荧光成像系统实现，纳米孔上、下两侧分别为低、高折射率介质，可实现激发光在纳米孔界面的全内反射。本发明在纳米孔两侧施加交流电位，可以对单分子的穿孔行为进行调控；交流电位的施加对纳米孔的稳定性有显著提高，扩大了工作电压的施加范围；通过全内反射荧光成像系统，实现对单个纳米孔的单分子信号实时荧光成像监控，具有高空间、时间分辨率及高灵敏度的优势。
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公开(公告)号：CN107860752B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710995806.2
申请日：2017-10-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种交流电模式下的纳米孔单分子荧光成像装置及方法，该装置包括纳米孔成像池、交流信号提供系统和全内反射荧光成像系统；交流电位由交流信号发生系统产生，通过电流放大系统连接电极施加在纳米孔两侧。纳米孔荧光成像由全内反射荧光成像系统实现，纳米孔上、下两侧分别为低、高折射率介质，可实现激发光在纳米孔界面的全内反射。本发明在纳米孔两侧施加交流电位，可以对单分子的穿孔行为进行调控；交流电位的施加对纳米孔的稳定性有显著提高，扩大了工作电压的施加范围；通过全内反射荧光成像系统，实现对单个纳米孔的单分子信号实时荧光成像监控，具有高空间、时间分辨率及高灵敏度的优势。
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