公开(公告)号：CN102064460A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010515025.7

申请日：2010-10-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  刘朋 ,  窦维治 ,  张伟 ,  刘志弘

IPC: H01S3/13 ,  H01S3/131 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造中的检测技术范围，涉及应用于半导体晶圆片激光热处理的一种倍频激光器的功率测控方法。将倍频之前的激光分出一束来，由探测器进行光强和功率的测量与控制。因为这类光学元件只需要适应于倍频之前的处在可见光波段的较长激光波长，与传统的，仅对最终输出激光的功率进行测控的方法相比，当输出激光的波长处于紫外、深紫外波段时，传统方法的实现难度很大；采用本发明方法，则比较容易处理，从而使测控的光学系统实现起来更加简捷方便，既能够起到很好地监控实际输出功率的作用，实现的成本大大降低，在另一方面也充分考虑和利用到了倍频激光器源的特点，可更好地满足激光器稳定输出功率的测控目的。

公开(公告)号：CN101459057B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810241107.X

申请日：2008-12-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  刘朋 ,  刘志弘 ,  窦维治

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的一种用于半导体激光退火设备及退火工艺。该激光退火设备，由准分子激光源，激光光束的扩束、匀束、边沿处理等的光路，二维精确移动平台，预加热控温片台，以及整机自动控制系统构成。其中退火激光源采用先进的大功率准分子脉冲激光。激光器出射激光经扩束、整形、匀束、边沿处理后，经过镜面系统反射，最终照射到待退火晶圆片表面的退火场。本发明对预加热和逐场步进技术要求实行优化，实现更加容易。由于采用逐场步进式退火，带来更加均匀的场内、场间退火效果。能够方便地对光束处理系统和精确移动机构进行冷却保温，有利于提高退火光束质量和退火效果的重复性、均匀性。

公开(公告)号：CN1949534A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200610114582.1

申请日：2006-11-16

Applicant: 清华大学 ,  中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 刘道广 ,  严利人 ,  周卫 ,  许军 ,  徐世六

IPC: H01L29/737

Abstract: 本发明公开了属于半导体器件结构范围的一种基于肖特基SiGe异质结晶体管。是在SBD结构晶体管的结构基础上用SiGe异质结代替上述SBD结构晶体管的P结，使形成N+、N+－BL、N、P+SiGe、N+ploy－Si结构的肖特基SiGe异质结晶体管。其P+SiGe层在E极下面和N层的上面，并且P+SiGe、N和B极相连。所述E极为N+ploy－Si材料制成。该肖特基SiGe异质结晶体管不改变晶体管的版图结构，但是，把肖特基SiGe异质结晶体管结构去代替TTL电路中可能进入饱和态的晶体管，形成基于SiGe异质结STTL电路，这样可以大幅度提高电路的速度。

公开(公告)号：CN106340448B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201611071766.4

申请日：2016-11-28

Applicant: 清华大学

Inventor： 周卫 ,  严利人 ,  刘道广 ,  刘志弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明涉及一种SiC功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法、SiC功率MOSFET器件及其制备方法，该方法包括：在SiC衬底晶圆的表面，外延生长硅薄膜层；其中，所述硅薄膜层完全覆盖所述SiC衬底晶圆的表面；对所述硅薄膜层进行氧化，形成栅氧化层；其中，外延生长硅薄膜层时的温度以及对硅薄膜层进行氧化时的温度均低于SiC衬底晶圆直接氧化所需的温度。本发明实施例提供的技术方案，低温工艺和外延生长的硅薄膜层减少了C原子的外扩和O原子扩散进SiC中的几率，减小了SiOxCy的过渡区宽度，使得缺陷密度减小，从而减少了对载流子的散射，提高了反型沟道的迁移率，使SiC功率MOSFET器件整体性能得到提高。

公开(公告)号：CN103594500B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201310632268.2

申请日：2013-12-02

Applicant: 上海集成电路研发中心有限公司 ,  清华大学

Inventor： 周伟 ,  张伟 ,  严利人 ,  刘志弘 ,  付军 ,  周卫 ,  王全

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法，通过在第二多晶硅层进行离子注入N型杂质后，利用适当波长的激光退火来替代常规的快速热退火以激活离子注入的N型杂质，因所选适当波长激光的能量只作用于第二多晶硅层的厚度范围内，而对位于第二多晶硅层下方的SiGe基区不作影响，所以其在有效激活第二多晶硅层中离子注入的N型杂质的前提下，避免了SiGe基区中硼的再扩散，进而防止了异质结势垒效应的发生，使SiGeHBT具有更好的器件性能。

公开(公告)号：CN102938369B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201210484714.5

申请日：2012-11-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  刘志弘 ,  周卫 ,  张伟

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明公开了一种外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔，为解决现有的外延生长预处理工艺中，采用加热方法去除衬底表面杂质所带来到产品的品质表面、操作繁琐等问题而设计。所述外延生长预处理方法为使用激光照射衬底，以使所述衬底所需外延生长的表面局部升温至外延生长预处理所需温度；其中，所述衬底位于还原性气体中。所述外延生长预处理工艺腔，包括工艺腔体；所述工艺腔体上设有进气口、出气口以及用于照射位于所述工艺腔体内的衬底的激光装置。本发明外延生长预处理方法以及外延生长预处理工艺腔具有操作简便、快捷，产品质量有保证的特点。

公开(公告)号：CN103117212B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201310073999.8

申请日：2011-09-15

Applicant: 清华大学

Inventor： 周卫 ,  严利人 ,  刘朋 ,  窦维治

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/26586 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造工艺范围的涉及一种用于复杂结构半导体器件的激光退火方法。该激光退火方法采用倾斜入射方式，在实施激光退火时，激光束与晶圆的法线方向之间呈现一个夹角，激光束的束斑作用在晶圆上的三维器件结构上，晶圆的运动方向与激光束在晶圆上的投影所形成的直线段平行。针对三维器件结构和倾斜离子注入工艺制备的器件进行退火。通过激光倾斜辐照，可以使复杂结构半导体器件的正面和侧面的浅表面层得到相同的激光表面退火处理，也可以沿着倾斜离子注入的方向透过离子注入窗口将杂质激活，得到特殊的杂质分布的器件结构。利用激光倾斜入射的投影效应，进行选择性退火，即被照射区域退火，而未被照射的盲区不退火。

公开(公告)号：CN102376569B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201110310962.3

申请日：2011-10-14

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  刘朋 ,  窦维治

IPC: H01L21/329 ,  G01B7/00

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种用于激光加工中位置量测的微测试结构制造方法。首先设计电阻结构，选取电阻结构类型，采用传统技术，制作出高掺杂区，采用两步退火法制作低掺杂区；采用传统的技术包括介质层淀积、光刻和介质层刻蚀等制作出接触孔，并制作出金属连线及压焊块区，完成电阻结构的制作；对于电阻结构的制作，是同时按照一系列的坐标位置排布制作出一系列电阻的，这些电阻结构通过光刻放置到晶圆片上的不同位置处，作为激光加工中位置量测的测试结构。本发明设定了特殊的两步退火法制作流程，既能够保证所制作电阻测试结构的可测性，同时测值能够反映激光加工的定位精度情况，能够很好地实现晶圆片定位误差的测试测量效果。

公开(公告)号：CN102176085B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201110056223.6

申请日：2011-03-09

Applicant: 清华大学

Inventor： 严利人 ,  周卫 ,  刘朋 ,  窦维治 ,  张伟

IPC: G02B26/12 ,  G02B27/09 ,  B23K26/02 ,  B23K26/08

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的使激光光束做大范围移动及扫描动作的机构。激光器、反射镜及处理激光光束的光路组件安装于光学腔中，其中激光器、处理激光束的光路组件分别安装在光学腔两个竖直腔内，光学腔安装于支撑座上，利用该机构，可以在较大范围内移动激光光束，使其对不同的工作站进行扫描或者步进扫描，并覆盖所要处理的全部晶圆片表面。该机构还可以对激光光束进行扩束、匀束、光斑整形、准直等光学处理。光路组件部分处于扫描机构的后面，并且随扫描过程也做同步的移动，通过这样的方式，使作用于工作站上的晶圆片表面不同区域的激光光束稳定一致，从而能够保证激光加工工艺质量的均匀性，稳定性，并实现激光光束利用的高效率。

公开(公告)号：CN102157343B

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201010567311.8

申请日：2010-11-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 刘朋 ,  周卫 ,  严利人 ,  窦维治 ,  刘志弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种采用梯形束斑扫描的激光退火装置和方法。该梯形束斑采用两块独立控制移动的挡板来得到。当梯形束斑的激光光束对晶圆片进行扫描退火时，两次梯形束斑边缘按c＝(a-b)/2重叠，使相邻的两扫描行相互重叠补偿，从而可以将传统逐行扫描过程中，行与行之间的过扫描和欠扫描所引起的不均匀性大幅度地降低，提高光束扫描作用的均匀性。本发明方案更加简便高效，在提高激光退火的片内均匀性的同时，可大幅度降低系统的实现成本，而且并不对片台或者激光束扫描运行的机械系统提过高的要求。