公开(公告)号：CN101335242B

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200710306344.5

申请日：2007-12-28

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 李起正 ,  卢载盛 ,  廉胜振 ,  宋翰相 ,  吉德信 ,  金荣大 ,  金珍赫 ,  都官佑

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种制造电容器的方法，该方法包括：在衬底的上部上形成具有多个沟槽的牺牲层；在沟槽中形成储存节点；通过移除牺牲层的一部分来暴露出储存节点的上部；形成支撑物以支撑储存节点的暴露的上部；移除在支撑物下方的牺牲层；以及移除支撑物。

公开(公告)号：CN101299421B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710306332.2

申请日：2007-12-28

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 金珍赫 ,  卢载盛 ,  廉胜振 ,  李起正 ,  宋翰相 ,  吉德信 ,  金荣大

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L27/108 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/32136 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L28/65

Abstract: 本发明涉及一种包含钌电极的半导体器件及其制造方法，一种半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的绝缘图案；绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案与蚀刻停止层限定的暴露所述衬底的接触孔；填充接触孔的一部分的第一塞；在第一塞上方以及接触孔的其余部分的底部和侧壁上形成的扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成并填充接触孔的第二塞；和连接第二塞并形成在其上的存储节点。

公开(公告)号：CN101097852B

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200710087202.4

申请日：2007-03-19

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 朴基善 ,  卢载盛 ,  吉德信 ,  宋翰相 ,  廉胜振 ,  金珍赫 ,  李起正

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种制造圆柱形电容器的方法。该方法包含：在衬底上形成包括中间层的隔离结构，在所述衬底中已形成有许多接触塞；通过蚀刻隔离结构形成多个开口区，从而暴露出接触塞的选择部分；在开口区的表面上形成存储节点；蚀刻隔离结构的选择部分以形成包围存储节点的选择部分的图案化中间层，从而支撑存储节点；移除隔离结构的余留部分；以及移除图案化中间层，以暴露存储节点的内壁和外壁。

公开(公告)号：CN100550387C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200580043985.5

申请日：2005-12-23

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 吉德信 ,  洪权 ,  廉胜振

IPC: H01L27/108

CPC classification number: C23C16/40 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31641 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/40

Abstract: 提供一种在半导体器件中形成介电膜的方法，其中所述方法可以改善介电特性和漏电流特性。依照本发明的具体实施方案，形成介电膜的方法包括：在晶片上形成预定厚度的二氧化锆(ZrO2)层，该厚度不允许形成的ZrO2层连续；在没有形成ZrO2层的晶片部分上形成预定厚度的氧化铝(Al2O3)层，该厚度不允许形成的Al2O3层连续。

公开(公告)号：CN100547795C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200510097528.6

申请日：2005-12-30

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 吉德信 ,  洪权 ,  廉胜振

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/10

CPC classification number: H01G4/1218 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/206 ,  H01L28/40 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/902

Abstract: 提供了具有纳米复合电介质层的电容器及其制造方法。电容器的电介质层包括通过混合X个不同亚层所形成的纳米复合电介质层，其中X是大于约1的正整数。形成电容器电介质层的方法包括：通过以纳米组合物的形式混合X个不同亚层形成纳米复合层，其中X是大于约1的正整数；和致密化纳米复合层。

公开(公告)号：CN101335242A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200710306344.5

申请日：2007-12-28

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 李起正 ,  卢载盛 ,  廉胜振 ,  宋翰相 ,  吉德信 ,  金荣大 ,  金珍赫 ,  都官佑

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种制造电容器的方法，该方法包括：在衬底的上部上形成具有多个沟槽的牺牲层；在沟槽中形成储存节点；通过移除牺牲层的一部分来暴露出储存节点的上部；形成支撑物以支撑储存节点的暴露的上部；移除在支撑物下方的牺牲层；以及移除支撑物。

公开(公告)号：CN101097852A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710087202.4

申请日：2007-03-19

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 朴基善 ,  卢载盛 ,  吉德信 ,  宋翰相 ,  廉胜振 ,  金珍赫 ,  李起正

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10852

Abstract: 一种制造圆柱形电容器的方法。该方法包含：在衬底上形成包括中间层的隔离结构，在所述衬底中已形成有许多接触塞；通过蚀刻隔离结构形成多个开口区，从而暴露出接触塞的选择部分；在开口区的表面上形成存储节点；蚀刻隔离结构的选择部分以形成包围存储节点的选择部分的图案化中间层，从而支撑存储节点；移除隔离结构的余留部分；以及移除图案化中间层，以暴露存储节点的内壁和外壁。

公开(公告)号：CN1893081A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200510097528.6

申请日：2005-12-30

Applicant: 海力士半导体有限公司

Inventor： 吉德信 ,  洪权 ,  廉胜振

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/10

CPC classification number: H01G4/1218 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1236 ,  H01G4/206 ,  H01L28/40 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/902

Abstract: 提供了具有纳米复合电介质层的电容器及其制造方法。电容器的电介质层包括通过混合X个不同亚层所形成的纳米复合电介质层，其中X是大于约1的正整数。形成电容器电介质层的方法包括：通过以纳米组合物的形式混合X个不同亚层形成纳米复合层，其中X是大于约1的正整数；和致密化纳米复合层。