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公开(公告)号：CN110660435B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810687747.7
申请日：2018-06-28
Applicant: 中电海康集团有限公司 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种MRAM存储器单元、阵列及存储器，存储器单元包括：两个垂直堆叠的磁隧道结、选择器元件以及晶体管，其中，两个所述磁隧道结之间布置有隔离层，每个所述磁隧道结的参考层靠近所述隔离层布置，每个所述磁隧道结的自由层外侧各布置有一条自旋轨道矩提供线，所述选择器元件的两端通过金属连接层连接至两条所述自旋轨道矩提供线，所述晶体管的漏极与任意一条所述自旋轨道矩提供线的靠近所述选择器元件的一端连接；两条所述自旋轨道矩提供线的靠近所述磁隧道结的一端各自引出一个用于连接位线的端点，所述晶体管的栅极引出一个用于连接字线的端点，所述晶体管的源极引出一个用于连接源线的端点。本发明能够提高存储器的存储密度。
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公开(公告)号：CN112687319A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201910997541.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种MRAM存储芯片的校准方法和装置，包括：将存储芯片的各存储模块的全部存储位元一部分写为1且另一部分写为0，获取各所述存储模块在输入不同参考电压时各自的读取通过率，得到读取通过率与参考电压之间的第一V‑RPR曲线；根据各所述存储模块各自的第一V‑RPR曲线，分别计算各所述存储模块在读取通过率最高时对应的第一最佳参考电压，并将得到的全部第一最佳参考电压取平均值，得到第一最佳平均电压；比较各所述存储模块的第一最佳参考电压与所述第一最佳平均电压，若所述存储模块的第一最佳参考电压与所述第一最佳平均电压之间的电压差大于设定阈值，则调整所述存储模块的读取电路的可变参考电阻。本发明能够提高存储芯片的读取通过率。
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公开(公告)号：CN112447257A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN201910819101.4
申请日：2019-08-30
Applicant: 中电海康集团有限公司 , 浙江驰拓科技有限公司
IPC: G11C29/50
Abstract: 本申请提供了一种测试结构和测试方法，用于测试包括多个阻变器件的存储阵列。该测试结构包括：存储阵列，包括多个阻变器件，各阻变器件包括至少一个磁性层；第一导电层，与至少部分阻变器件接触设置，第一导电层的长度延伸方向为第一方向，第一方向与阻变器件的厚度方向垂直；第二导电层，与第一导电层电连接，第二导电层的延伸方向为第二方向，第二方向与第一方向之间垂直，且第二方向与阻变器件的厚度方向垂直。该测试结构对包括多个阻变器件的存储阵列进行测试，避免对多个阻变器件逐个进行测试，大大缩短了测试时间，从而解决了现有技术中的获取翻转磁场、翻转电流或者翻转电压的分布曲线所需要的时间较长的问题。
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公开(公告)号：CN112259152A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910662241.5
申请日：2019-07-22
Applicant: 中电海康集团有限公司 , 浙江驰拓科技有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种MRAM阵列的测试电路，包括：列译码器、列选择器、字线译码器、行选择器以及测试阵列，测试阵列的一条对角线上的存储单元为测试单元，所述测试单元的MTJ底电极连接至晶体管漏极，且所述测试单元的MTJ底电极连接至所述测试单元所在行的的测试信号线，除所述测试单元以外的全部存储单元的MTJ底电极与晶体管漏极处于断开状态，且MTJ底电极和晶体管漏极浮空；通过列译码器和列选择器，将位线信号端和源线信号端选择连接至测试单元所在列的位线和源线；通过字线译码器和行选择器，将测试单元所在行的测试信号线选择连接至测试信号端。本发明能够对MRAM阵列中的一条对角线上的多个存储单元进行参数测试。
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公开(公告)号：CN112186098A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201910589065.7
申请日：2019-07-02
Applicant: 中电海康集团有限公司 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于自旋轨道矩的磁性存储器件及SOT‑MRAM存储单元。所述磁性存储器件包括：自旋轨道矩提供线、位于所述自旋轨道矩提供线一侧表面的磁性隧道结以及位于所述自旋轨道矩提供线另一侧表面的介质层，其中，所述磁性隧道结的自由层一侧靠近所述自旋轨道矩提供线，所述自旋轨道矩提供线的水平长度大于所述磁性隧道结的特征长度；所述介质层中设有垂直方向的贯穿所述介质层的导电孔，所述导电孔在水平方向上的位置与所述磁性隧道结的位置相对应，用于提供一个垂直于所述自旋轨道矩提供线的导电路径。本发明能够减小读取过程中的读扰动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151102A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910580420.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 中电海康集团有限公司 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种测试结构与测试方法。该测试结构对至少一个待测试器件组进行测试，待测试器件组包括多个并联的阻变器件，各阻变器件包括第一端、第二端和第三端，阻变器件的第一端为读取端，阻变器件的第二端为写入端，测试结构包括：多个第一开关，第一开关的第一端与读取端一一对应地电连接；多个第二开关，第二开关的第一端与写入端一一对应地电连接；至少一个第一测试电极，各第一测试电极与至少一个待测试器件组中的各阻变器件的第三端分别电连接；至少一个第二测试电极，各第二测试电极与至少一个待测试器件组中的各第一开关的第二端以及各第二开关的第二端分别电连接。通过控制该测试结构，可以一次对多个阻变器件的耐读写次数进行测试。
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公开(公告)号：CN111554808A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010403425.2
申请日：2020-05-13
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MTJ器件，包括：钉扎层、参考层、势垒层以及自由层；其中，钉扎层和参考层为当MTJ器件在最高工作温度状态下，在自由层产生的净磁场差值不大于最大Hoffset值对应的磁性层；最大Hoffset值为在最高工作温度状态下，MTJ器件对数据保存时长不小于预设时长时，对应的MTJ器件最大的Hoffset值。本申请中的MTJ器件在最高工作温度下的Hoffset值接近为0，使得MTJ器件在工作发热等状态下也能保持较好的工作性能，进而提高MTJ器件高温工作状态下对数据的保存时长，保证MTJ器件的工作性能，有利于MTJ器件的广泛应用。本申请还提供了一种MTJ器件的制备方法，具有上述有益效果。
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公开(公告)号：CN106950518B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201710133024.8
申请日：2017-03-07
Applicant: 中电海康集团有限公司 , 浙江驰拓科技有限公司
IPC: G01R33/20
Abstract: 本发明公开了一种铁磁共振的测试装置和方法。其中，该铁磁共振的测试装置包括：基座和设置于所述基座上的样品装载组件，其中，所述样品装载组件，包括：平移组件、第一旋转组件和用于承载待测样品的样品平台；所述第一旋转组件与所述样品平台连接，并带动所述样品平台在所述样品平台所在第一平面的任意角度内旋转；所述平移组件与所述样品平台连接，用于移动所述样品平台以分离所述待测样品和平面波导。
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公开(公告)号：CN119730699A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311267936.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直型磁电阻传感器，该垂直型磁电阻传感器包括顺序层叠设置在半导体衬底上的固定层、势垒层和自由层，其中，垂直型磁电阻传感器在半导体衬底上的投影具有边线，边线上任意两点之间具有最大间距，自由层在层叠方向上具有最大厚度，最大厚度小于最大间距，且最大厚度与最大间距之比大于0.5。通过本申请，能够使得自由层的各向异性场Hk明显减小，此时垂直型磁电阻传感器的自由层可以在较小的外磁场作用下即可实现向面外方向转动，因此，本申请的垂直型磁电阻传感器相较于现有技术的垂直型磁电阻传感器具有较高的灵敏度。
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公开(公告)号：CN119677395A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202311211420.X
申请日：2023-09-19
Applicant: 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种磁存储单元，包括：衬底层，所述衬底层包括间隔设置的两个底电极；自旋轨道矩层，设置在所述衬底层的上表面，所述自旋轨道矩至少覆盖所述两个底电极；磁隧道结，设置在所述自旋轨道矩层上表面，所述磁隧道结至少覆盖所述两个底电极所在的范围。本发明提供磁存储单元及其制备方法，能够提供更大的过度刻蚀窗口，在显著降低反溅射导致的短路的同时，降低自旋轨道矩层被过度刻蚀穿透的几率，进而提高器件良率。
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