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公开(公告)号:CN101604719A
公开(公告)日:2009-12-16
申请号:CN200910100826.4
申请日:2009-07-13
Applicant: 浙江大学 , 杭州兰源光电材料有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种Mg-Na共掺的ZnO基发光二极管及其制备方法。该Mg-Na共掺的ZnO基发光二极管包括p型层、n型层和电极,其中,所述p型层为Mg-Na共掺的ZnO薄膜,所述n型层为n型ZnO单晶衬底。该发光二极管的制备方法是采用脉冲激光沉积法在n-ZnO单晶衬底上沉积Mg-Na共掺p型ZnO层,其中靶材中Mg的摩尔百分含量是5-20%,Na的含量是0.1-1%,生长气氛为氧气,然后通过控制生长温度、气压、激光频率等参数来生长具有良好p型性能的ZnO薄膜;再用磁控溅射分别在n型ZnO层和p型ZnO层沉积电极。本发明的优点是制备方法简单,制得的Mg-Na共掺的ZnO基发光二极管亮度高。
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公开(公告)号:CN102373425A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110342906.8
申请日:2011-11-03
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种Na掺杂p型ZnO薄膜的制备方法,采用脉冲激光沉积法。该方法采用高纯ZnO和高纯NaF陶瓷靶材作为溅射靶材,交替溅射生长ZnO层和Na层,制备p型Na掺杂ZnO薄膜。靶材与衬底的之间的距离为4.5~5.5cm,生长室背地真空度抽至1×10-4~1×10-3Pa,然后加热衬底,使衬底温度为400~700℃,激光频率为3~10Hz,激光能量为250~350mJ。长后的薄膜以3~5℃/min冷却至室温。本发明提出的Na掺杂ZnO薄膜的制备方式简单,所用的设备与现行工艺兼容。
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公开(公告)号:CN102226264A
公开(公告)日:2011-10-26
申请号:CN201110163514.5
申请日:2011-06-17
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的S掺杂生长带隙可调的ZnSO合金薄膜的方法,采用的是脉冲激光沉积法。靶材是由纯氧化锌和纯硫化锌粉末混合后液压成型的陶瓷靶,其中硫化锌的摩尔含量为10~40%;然后在脉冲激光沉积装置的生长室中,真空度为1×10-4~1×10-3Pa下,激光频率为3~10Hz,生长温度为300~500℃,在衬底上生长带隙可调的ZnSO合金薄膜。本发明方法可以实现实时掺杂,掺杂浓度通过调节生长温度和靶材中S的摩尔含量来控制。采用本发明方法制备的ZnSO合金薄膜带隙可调,具有良好的光学性能,重复性和稳定性。
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