公开(公告)号：CN116206955A

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202211729741.4

申请日：2022-12-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  王珩宇 ,  邵泽伟 ,  任娜

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/51

Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，公开了一种栅氧结构的制备方法以及相应的栅氧结构、器件，通过提供碳化硅衬底，在所述碳化硅衬底表面形成多个间隔排列的二氧化硅薄膜，得到二氧化硅薄膜层；对多个二氧化硅薄膜进行退火钝化；再在所述二氧化硅薄膜层表面形成高介电材料薄膜层；本发明通过在碳化硅衬底表面形成多个间隔排列的二氧化硅薄膜，再进一步对其进行退火处理，提升了二氧化硅薄膜和碳化硅衬底之间的界面与退火含氮气体的接触面积，有效提升了界面处悬挂键的钝化比例，从而抑制界面态缺陷的产生；另外本发明在二氧化硅薄膜层上生长了高介电材料薄膜层，增加了碳化硅衬底层的界面价带差距和导带差距，从而抑制漏电流，降低了能量损耗。

公开(公告)号：CN116110791A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211626681.3

申请日：2022-12-17

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  王宝柱 ,  王珩宇 ,  任娜

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本公开涉及一种沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子器件。该方法包括：形成沟槽，其中，沟槽贯穿第一预制半导体层和第二预制半导体层，并延伸入预制复合衬底，第一预制半导体层和预制复合衬底具有第一掺杂类型，第二预制半导体层具有第二掺杂类型；形成本征区，本征区位于沟槽的底侧并延伸入预制复合衬底；以及形成绝缘栅结构，绝缘栅结构填充于沟槽。该方法可以实现在沟槽底侧形成本征区，继而制得综合性能较好的器件。

公开(公告)号：CN115995987A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211720778.0

申请日：2022-12-30

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  张茂盛 ,  任娜 ,  吴新科 ,  王珩宇

IPC: H02M7/00 ,  H02M7/487

Abstract: 公开了一种基于串联拓扑结构的功率模块，涉及电力电子技术领域，公开的功率模块通过第一功率单元和第二功率单元依次串联的设计将低耐压电力电子芯片高密度的集成在一起提升功率模块的耐压和电流等级，其有益效果在于：提出的第一功率单元的第一DBC结构和与之对称的第二功率单元的第二DBC结构的设计大幅降低模块功率主回路寄生电感，提出的将功率模块输入测信号端子布局于模块中心线的设计降低模块输入侧回路的寄生电感的同时还提升了输入侧回路路径对称性和紧凑性，以便驱动电路与所述功率模块高密度集成。

公开(公告)号：CN114823309A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210223817.X

申请日：2022-03-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  王宝柱 ,  王珩宇 ,  任娜

IPC: H01L21/266 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了倾斜超级结器件的侧壁离子注入优化工艺方法，主要通过在倾斜沟槽上生长的电介质层厚度从沟槽顶部到底部自然而然地变薄，实现了沟槽侧壁渐变的掺杂分布，优化了器件的电场分布，进而提升了器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN114649406A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202210537454.7

申请日：2022-05-18

Applicant: 浙江大学 ,  中国电子科技集团公司第五十五研究所

Inventor： 盛况 ,  王珩宇 ,  任娜 ,  程浩远 ,  柏松 ,  黄润华 ,  李士颜

IPC: H01L29/06

Abstract: 本发明涉及多级超级结结构及其自对准制备方法。多级超级结结构包括外延层和多级超级结柱区，多级超级结柱区包括多个单级柱区，多个单级柱区对应多个单级沟槽，多级超级结结构的自对准制备方法包括：生长表面刻蚀掩膜和多次形成沟槽侧壁保护层，并使用所述表面刻蚀掩膜和所述沟槽侧壁保护层进行多次自对准刻蚀，形成多级沟槽。本发明提出的多级超级结结构及其自对准制备方法可以实现对超级结沟槽侧壁倾角的调控，通过形成沟槽侧壁保护层然后多级刻蚀的方式，可以有效减小深沟槽刻蚀时由于侧蚀效应带来的影响，使得超级结深沟槽保持相对较高的垂直度，提升超级结器件的性能。

公开(公告)号：CN114597127A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202210223214.X

申请日：2022-03-07

Applicant: 浙江大学

Inventor： 盛况 ,  王宝柱 ,  王珩宇 ,  任娜

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 公开了优化半导体沟槽形貌的双相刻蚀工艺方法，主要利用两种不同条件的刻蚀工艺进行循环刻蚀，可以抑制微沟槽的产生，改善了器件沟槽底部的形貌，并可以获得“V型槽”、“U型槽”以及底部平坦的沟槽形貌。

公开(公告)号：CN114280443A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111296112.2

申请日：2021-11-03

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 陆军亮 ,  盛况 ,  杨树东 ,  吴赞 ,  任娜 ,  王珩宇 ,  钟浩 ,  冉飞荣 ,  陈浮 ,  熊丹妮 ,  成骥 ,  韦丽明 ,  史培丰 ,  杨嘉帆 ,  刘永坤

IPC: G01R31/26 ,  H01L23/473

Abstract: 本发明公开了一种功率芯片歧管式微通道换热器测试装置，包括：测试段、石英支承板、盖板、底座。底座前面开有两个压力测量接口，用于测量冷却液进出测试段前后的压力大小。底座背面开有两个温度测量接口，用于测量冷却液进出测试段前后的温度大。底座左侧表面开有冷却液进口，底座右侧表面开有冷却液出口。测试时，冷却液从底座左侧表面的冷却液进口流入，经过测试装置内部的流路分流后从测试段的两侧流入测试段，在吸收测试段的加热量后，再经测试装置内部的流路从底座右侧表面的冷却液出口流出。本发明的测试装置可用于对不同类型的歧管式微通道换热器进行性能测试，以方便科学研究工作的开展。

公开(公告)号：CN114242691A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111534725.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  程浩远 ,  王珩宇 ,  任娜

IPC: H01L23/544 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种基于外延回填工艺的超级结器件对准标记保护方法，包括在对准标记区域形成一定厚度的对准标记缺陷层、在外延回填及抛光工艺后通过化学腐蚀去除对准标记缺陷层形成对准标记，避免了外延回填及抛光工艺对对准标记造成的损伤，解决了基于外延回填工艺的超级结器件多层套刻的对准问题。相较于引入保护物质的对准标记保护方式，该方法有着不污染外延生长腔室，外延回填后表面平坦度不受影响的优势。

公开(公告)号：CN114228435A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111295811.5

申请日：2021-11-03

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 陆军亮 ,  盛况 ,  吴赞 ,  任娜 ,  王珩宇 ,  钟浩 ,  冉飞荣 ,  陈浮 ,  熊丹妮 ,  成骥 ,  韦丽明 ,  史培丰 ,  杨树东 ,  杨嘉帆 ,  刘永坤

IPC: B60H1/00

Abstract: 本发明公开了一种基于液氢冷能回收技术与热泵技术相耦合的氢能汽车空调系统，属于氢能汽车系统。本发明通过在车载液氢储罐与汽化器之间布置一换热器，使得液氢在进入汽化器之前，在该布置的换热器中将冷能用于冷却系统循环水，经该换热器冷却后的循环水可用于冷却乘座舱内空气，进而调节车内空气温度，降低车载冷却系统的压缩机功率。因此，上述系统可有效回收液氢的冷能，降低氢能汽车的能耗，提高行驶里程。

公开(公告)号：CN113675277B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111226425.0

申请日：2021-10-21

Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心

Inventor： 盛况 ,  王珩宇 ,  王策

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种二极管及其制造方法，包括阴极层、阳极层和二极管本体，二极管本体包括两组以上的衬底层和两组以上的中间层，每两组衬底层之间设置有一组中间层，或每两组中间层之间设置有一组衬底层，二极管本体上开设有一组以上的沟槽，且沟槽贯穿所有中间层，沟槽的侧壁上设置有连接层，具有提高耐压性的优点，突破了二极管在低压下影响正常开通速度的瓶颈。