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公开(公告)号：CN111175891B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201911400480.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种连续式电场辅助离子迁移制作光波导的方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内有传送带和坩埚，坩埚放置在传送带上运输，隧道式高温炉设置有正电极滑轨和负电极滑轨，正电极滑轨和负电极滑轨的其中一端经各自的导线分别连接到外部直流电源的正负极两端，坩埚内设置电极并和正电极滑轨和负电极滑轨连接；传送带的驱动结构作用下，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。本发明提高了光波导芯片的一致性，使芯片合格率控制更方便，减少了固定资产投资，提高了光波导芯片的生产效率，降低了单位芯片的能耗。
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公开(公告)号：CN111045149B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201911405536.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种连续式制作玻璃基离子交换掩埋光波导的方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内设有传送带和坩埚，传送带上悬挂有石英花篮，石英花篮沿传送带运输，隧道式高温炉设置有正电极滑轨，正电极滑轨其中一端经导线连接到外部直流电源的正极，坩埚内设置负电极并和外部直流电源的负极连接，石英花篮内设置正电极并和正电极滑轨连接；传送带的驱动结构作用下，传送带将石英花篮从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。本发明提高了光波导芯片的一致性，使芯片合格率控制更方便，减少了固定资产投资，提高了光波导芯片的生产效率，降低了单位芯片的能耗。
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公开(公告)号：CN111239894A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010083821.1
申请日：2020-02-07
Applicant: 浙江大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，炉内有传送带和坩埚；坩埚内有熔盐，且熔盐内部设置通过导线接地的负电极；玻璃基片和石英管组成的底部密闭腔置于石英花篮中，腔内有熔盐，石英花篮悬挂于传送带上且玻璃基片浸入坩埚内的熔盐中；底部密闭腔中设置正电极，正电极与石英花篮相对位置固定，且通过电极引线搭上正电极滑竿，并可沿正电极滑竿滑动；正电极滑竿由通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成，多段正电极滑轨分别连接不同的直流电源正极。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN111175891A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201911400480.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种连续式电场辅助离子迁移制作光波导的方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内有传送带和坩埚，坩埚放置在传送带上运输，隧道式高温炉设置有正电极滑轨和负电极滑轨，正电极滑轨和负电极滑轨的其中一端经各自的导线分别连接到外部直流电源的正负极两端，坩埚内设置电极并和正电极滑轨和负电极滑轨连接；传送带的驱动结构作用下，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。本发明提高了光波导芯片的一致性，使芯片合格率控制更方便，减少了固定资产投资，提高了光波导芯片的生产效率，降低了单位芯片的能耗。
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公开(公告)号：CN111158084A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010083822.6
申请日：2020-02-08
Applicant: 浙江大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种离子交换玻璃基表面波导模斑转换器的制作方法，这种方法包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片(1)的表面制作条形离子掺杂区(4)；第二个环节是将玻璃基片(1)竖直放置在水平热板(5)上进行梯度温度离子扩散。将表面制作有条形离子掺杂区(4)的玻璃基片(1)竖直放置在水平热板(5)上进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片(1)内沿条形离子掺杂区(4)长度方向的温度梯度，使玻璃基片(1)中沿条形离子掺杂区(4)长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，将条形离子掺杂区(4)变成锥形离子掺杂区(6)。这种锥形离子掺杂区(6)的横截面的尺寸在两个轴向上的一致性得到改善，因而模斑转换器与光纤芯部横截面的形状与尺寸的匹配程度改善，器件插入损耗降低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111045149A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911405536.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种连续式制作玻璃基离子交换掩埋光波导的方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内设有传送带和坩埚，传送带上悬挂有石英花篮，石英花篮沿传送带运输，隧道式高温炉设置有正电极滑轨，正电极滑轨其中一端经导线连接到外部直流电源的正极，坩埚内设置负电极并和外部直流电源的负极连接，石英花篮内设置正电极并和正电极滑轨连接；传送带的驱动结构作用下，传送带将石英花篮从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。本发明提高了光波导芯片的一致性，使芯片合格率控制更方便，减少了固定资产投资，提高了光波导芯片的生产效率，降低了单位芯片的能耗。
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公开(公告)号：CN111025472B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201911400459.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种玻璃基离子交换表面光波导芯片连续生产的方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉两端开设炉口分别作为进口端和出口端，且在隧道式高温炉的进口端和出口端之间布置水平的传送带；坩埚放置在传送带上并沿传送带运输，传送带的传送轮连接驱动结构，传送带的驱动结构作用下，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子交换反应后输送至隧道式高温炉的出口端。本发明提高了光波导芯片的一致性，使合格率更容易提高；降低了设计、优化玻璃基离子交换表面光波导芯片生产工艺参数的繁琐和成本；提高了光波导芯片的生产效率，降低了能耗。
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公开(公告)号：CN111208608A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010083823.0
申请日：2020-02-08
Applicant: 浙江大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种离子交换玻璃基掩埋波导模斑转换器的制作方法，包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片的表面制作掩埋条形离子掺杂区；第二个环节是将玻璃基片竖直放置在水平热板上进行梯度温度离子扩散。将表面以下制作有掩埋条形离子掺杂区的玻璃基片竖直放置在水平热板上进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片内沿掩埋条形离子掺杂区长度方向的温度梯度，使玻璃基片中沿掩埋条形离子掺杂区长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，将掩埋条形离子掺杂区变成掩埋锥形离子掺杂区。这种掩埋锥形离子掺杂区的横截面的尺寸在两个轴向上的一致性得到改善，因而模斑转换器与光纤芯部横截面的形状与尺寸的匹配程度改善，器件插入损耗降低。
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公开(公告)号：CN111025472A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911400459.X
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种玻璃基离子交换表面光波导芯片连续生产的方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉两端开设炉口分别作为进口端和出口端，且在隧道式高温炉的进口端和出口端之间布置水平的传送带；坩埚放置在传送带上并沿传送带运输，传送带的传送轮连接驱动结构，传送带的驱动结构作用下，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子交换反应后输送至隧道式高温炉的出口端。本发明提高了光波导芯片的一致性，使合格率更容易提高；降低了设计、优化玻璃基离子交换表面光波导芯片生产工艺参数的繁琐和成本；提高了光波导芯片的生产效率，降低了能耗。
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公开(公告)号：CN212846019U
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202020752784.4
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本实用新型可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
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