一种具有双层感应线圈的MEMS磁通门传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN120065079A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202510173685.8

    申请日:2025-02-18

    Inventor: 车录锋 姚佳敏

    Abstract: 本发明涉及一种具有双层感应线圈的MEMS磁通门传感器及其制造方法,该MEMS磁通门传感器由一组对称分布的单层激励线圈、一组双层感应线圈和一个闭环磁芯组成,其核心在于晶圆级双层感应线圈结构的设计与实现。该制造方法包括:飞秒激光图形化磁芯;深反应离子刻蚀工艺制作线圈硅模具;金属填充硅模具制作线圈。本发明实现了晶圆级双层感应线圈的制作,在相同物理尺寸下,可以有效提高MEMS磁通门传感器的灵敏度。本发明选用铁基非晶薄带作为磁芯材料,飞秒激光切割的方式图形化磁芯,可以保证尺寸误差在±5μm范围内,有效降低了由加工误差所导致的图形非对称性影响。

    一种反射型原子气室制作方法及其光路结构

    公开(公告)号:CN117865057A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202311260035.4

    申请日:2023-09-27

    Inventor: 车录锋 李晨啸

    Abstract: 本发明公开了一种反射型原子气室制作方法及其光路结构,设计的气室结构属于双腔室结构,在硅片中湿法腐蚀形成存储腔室和光学腔室,两腔室之间由沟道连接,碱金属释放剂填充入存储腔室中,通过与玻璃片阳极键合实现密封,为提高反射率,在光学腔反射侧壁上溅射金属。之后,基于该气室结构设计了一种光路结构,激光器射出的激光由第一反射镜调整,射入探测器的激光由第二反射镜调整,射入和射出气室的激光由反射棱镜调整。与传统的透射型气室相比,反射型气室极大地延长了光与原子相互作用的距离,使其不受硅片厚度的限制,改善了原子器件的灵敏度和稳定性。

    一种低噪声MEMS加速度计
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116835521A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202310893480.8

    申请日:2023-07-20

    Inventor: 车录锋 陈梦佳

    Abstract: 本发明公开了一种低噪声MEMS加速度计,通过大尺寸质量块、多组串联折叠梁、带空腔的上下玻璃盖板结构,增大了敏感质量、降低了谐振频率、提高了品质因子,实现了低热机械噪声的加速度计;同时,本发明提出的基于三角形电极的位移‑电容传感阵列,优化了单位面积内的电极排布方式,提高了电容传感灵敏度。本发明通过深反应离子刻蚀技术实现了低噪声的质量‑弹簧振子结构,通过热压键合和胶键合的方式实现了玻璃‑硅‑玻璃的三明治加速度计结构,提高了MEMS加速度计的性能。

    一种硅基磁光非互易脊形光波导

    公开(公告)号:CN112596158A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011526413.5

    申请日:2020-12-22

    Abstract: 本发明公开了一种硅基磁光非互易脊形光波导,在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于:脊形光波导的芯部包括两部分,一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部,另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的脊形顶层硅芯部,其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易脊形光波导的制作,解决了磁光材料与SOI脊形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题,同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。

    一种基于MEMS技术的芯片级碱金属原子气室及制作方法

    公开(公告)号:CN117446743A

    公开(公告)日:2024-01-26

    申请号:CN202311183867.0

    申请日:2023-09-14

    Inventor: 车录锋 黄帅

    Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS技术的芯片级碱金属原子气室及制作方法,原子气室是通过玻璃‑硅‑玻璃三层密封形成的长方体结构,硅与玻璃均通过阳极键合密封连接,在硅表面刻蚀有矩形凹槽结构,在凹槽结构中开设有两个圆形通孔结构分别作为原子气室的第一腔室和第二腔室,第一腔室用于存放可以通过化学反应生成碱金属原子的反应物,第一腔室和第二腔室之间通过凹槽结构连通。本发明旨在提供一种基于MEMS技术的芯片级碱金属原子气室的制作方法,实现对任意深度硅通孔结构的加工,弥补采用MEMS湿法或干法加工工艺制作原子气室时在深硅通孔结构加工上的不足,并且这种制作方法制作成本低、通用性强,还能实现原子气室的小型化批量生产。

    一种采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法

    公开(公告)号:CN113391396B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202110637036.0

    申请日:2021-06-08

    Abstract: 本发明公开了一种在玻璃基片背面采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法。包括:将玻璃基片置于含K+熔盐中进行离子交换处理,在所述玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的内阻挡层;通过离子交换处理和电场辅助离子迁移处理,在背面带有内阻挡层的玻璃基片上形成掩埋式离子掺杂区;其中,在进行所述电场辅助迁移处理过程中,玻璃基片背面高电阻率的内阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚的特征,抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的横向展宽趋势,提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂区的对称性。

    一种基于声子晶体结构进行粒子分选的微流控装置

    公开(公告)号:CN116393183A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202310245299.6

    申请日:2023-03-15

    Inventor: 车录锋 邵桐

    Abstract: 本发明公开了一种基于声子晶体结构进行粒子分选的微流控装置,其包括压电叉指换能器结构,使用超声耦合胶粘接在压电叉指换能器结构上层的声子晶体结构,声子晶体结构包围的体声波反射区域,体声波反射区域内的微流道结构,微流道结构上方的封装层,封装层内的一个微流道入口和三个微流道出口。本发明公开了基于声子晶体结构进行粒子分选的微流控装置,具有高通量和低剪切力的特点,大量分选的同时不会损伤分选样本中微粒的生物活性。本发明中,仅使用单个声波的激励装置即压电叉指换能器结构实现粒子分选,然后使用超声波耦合胶将上层的声子晶体结构粘接在压电叉指换能器上,有效控制声波的同时减少了叉指换能器的数量。

    一种硅基磁光非互易条形光波导

    公开(公告)号:CN112596157A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011526381.9

    申请日:2020-12-22

    Abstract: 本发明公开了一种硅基磁光非互易条形光波导,在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于:条形光波导的芯部包括两部分,一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部,另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的条形顶层硅芯部,其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易条形光波导的制作,解决了磁光材料与SOI条形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题,同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。

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