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公开(公告)号：CN111487718B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202010386539.0
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 一种离子交换玻璃基掩埋型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的掩埋型锥形离子掺杂区(101)构成；其中第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)粗端的横截面尺寸与第n‑1段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的掩埋型锥形离子掺杂区(101)细端作为模斑转换器的输出端。这种玻璃基掩埋型分段式模斑转换器通过n段玻璃基锥形波导芯片级联的方式，可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，同时降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN112596158A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011526413.5
申请日：2020-12-22
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种硅基磁光非互易脊形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：脊形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的脊形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易脊形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI脊形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
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公开(公告)号：CN111487717A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010386136.6
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 一种离子交换玻璃基表面型分段式模斑转换器，这种模斑转换器由n段(n≥2)玻璃基锥形波导芯片依次级联而成；每一段玻璃基锥形波导芯片均由玻璃基板(100)及其内部的表面型锥形离子掺杂区(102)构成；第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)粗端的横截面尺寸与第n-1段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端的横截面尺寸相匹配，第n段玻璃基锥形波导芯片中的表面型锥形离子掺杂区(102)细端作为模斑转换器的输出端。本发明可以实现更大幅度的模斑尺寸转换，提高器件性能，并进一步降低设计和制作的难度。
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公开(公告)号：CN113391396B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202110637036.0
申请日：2021-06-08
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种在玻璃基片背面采用内阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法。包括：将玻璃基片置于含K+熔盐中进行离子交换处理，在所述玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的内阻挡层；通过离子交换处理和电场辅助离子迁移处理，在背面带有内阻挡层的玻璃基片上形成掩埋式离子掺杂区；其中，在进行所述电场辅助迁移处理过程中，玻璃基片背面高电阻率的内阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚的特征，抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的横向展宽趋势，提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂区的对称性。
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公开(公告)号：CN112596157A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011526381.9
申请日：2020-12-22
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/122
Abstract: 本发明公开了一种硅基磁光非互易条形光波导，在SOI晶片上顶层硅的基础上形成条形光波导的芯部。这种光波导的特征在于：条形光波导的芯部包括两部分，一部分是位于波导芯部最上层的铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部，另一部分是位于铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部与氧化硅层之间的条形顶层硅芯部，其中铁磁金属纳米颗粒掺杂条形顶层硅芯部中的铁磁金属纳米颗粒在SOI基片上的顶层硅中用掺杂技术原位形成。本发明可以实现硅基磁光非互易条形光波导的制作，解决了磁光材料与SOI条形顶层硅芯部光学参数之间匹配的问题，同时解决了磁光材料与硅基光波导制作工艺的兼容性问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113391397A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110637053.4
申请日：2021-06-08
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
IPC: G02B6/134
Abstract: 本发明公开了一种采用外部阻挡层提高玻璃基光波导芯部对称性的方法。包括：离子交换处理在玻璃基片正面制作表面离子掺杂区、在玻璃基片背面对应的非光波导区域形成高电阻率的外部阻挡层、以及电场辅助离子迁移处理将表面离子掺杂区制作成掩埋式离子掺杂区；其中，在进行所述电场辅助迁移处理过程中，玻璃基片背面高电阻率的外部阻挡层使离子掺杂区附近的电场分布呈现横向汇聚的特征，抑制了玻璃基片中离子掺杂区在电场辅助离子迁移过程中的横向展宽趋势，提高了玻璃基片中作为光波导芯部的掩埋式离子掺杂区的对称性。
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公开(公告)号：CN111025470B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911394278.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于抛物线型MMI的超紧凑硅基波导交叉结构，该结构由形状相同但垂直相交的两支波导组成，其中横支波导(H)由横支输入波导、抛物线型横支MMI和横支输出波导组成，竖支波导(V)由竖支输入波导、抛物线型竖支MMI和竖支输出波导组成。这种结构的特征在于，抛物线型横支MMI和抛物线型竖支MMI都采用相同的两端宽中间窄的抛物线型MMI结构。与现有MMI型波导交叉结构相比，本发明所述结构保持了MMI型波导交叉结构低损耗和低串扰的优势，同时由于MMI具有抛物线型结构，本发明所述结构具有更紧凑的尺寸，可以实现更大规模集成光路的制作。
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公开(公告)号：CN111025471A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911392536.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电压分段式的玻璃基掩埋式光波导连续生产方法。放置隧道式高温炉，隧道式高温炉内有传送带和坩埚，传送带将坩埚从隧道式高温炉的进口端输送入隧道式高温炉，经高温离子迁移反应后输送至隧道式高温炉的出口端。隧道式高温炉设置有通过绝缘性滑轨接头连接的多段正电极滑轨组成正电极滑竿和负电极滑轨，坩埚在从隧道式高温炉进口端到出口端运输的过程中，玻璃基片两侧的电极引线分别在正电极滑竿和负电极滑轨上滑动，多段正电极滑轨依次可对玻璃基片施加电压。本发明可提高光波导芯片质量、提高生产效率、降低能耗的基础上，还可以减小掩埋式光波导制作过程中直流电场产生的焦耳热效应带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN111025470A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911394278.0
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江大学绍兴微电子研究中心 , 浙江大学 , 绍兴市科技创业投资有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于抛物线型MMI的超紧凑硅基波导交叉结构，该结构由形状相同但垂直相交的两支波导组成，其中横支波导(H)由横支输入波导、抛物线型横支MMI和横支输出波导组成，竖支波导(V)由竖支输入波导、抛物线型竖支MMI和竖支输出波导组成。这种结构的特征在于，抛物线型横支MMI和抛物线型竖支MMI都采用相同的两端宽中间窄的抛物线型MMI结构。与现有MMI型波导交叉结构相比，本发明所述结构保持了MMI型波导交叉结构低损耗和低串扰的优势，同时由于MMI具有抛物线型结构，本发明所述结构具有更紧凑的尺寸，可以实现更大规模集成光路的制作。
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公开(公告)号：CN111239898A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010083632.4
申请日：2020-02-09
Applicant: 浙江大学深圳研究院
Abstract: 本发明公开了一种有槽热板温度梯度离子扩散制作玻璃基掩埋式模斑转换器的方法，包括两个环节：第一个环节用离子交换法在玻璃基片(1)的表面制作掩埋条形离子掺杂区(8)；第二个环节是将玻璃基片(1)竖直放置在有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散。这种方法的特征在于：将表面以下制作有掩埋条形离子掺杂区(8)的玻璃基片(1)竖直放置在水平有槽热板(5)上的凹槽内进行梯度温度离子扩散，利用玻璃基片(1)内沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向的温度梯度，使玻璃基片(1)中沿掩埋条形离子掺杂区(8)长度方向产生掺杂离子扩散速率的梯度，增大玻璃基片(1)表面以下的掩埋条形离子掺杂区(8)在贴近有槽热板(5)一端的横截面尺寸，将掩埋条形离子掺杂区(8)变成掩埋锥形离子掺杂区(9)。这种掩埋锥形离子掺杂区(9)的横截面的尺寸在两个轴向上的一致性得到改善，因而模斑转换器与光纤芯部横截面的形状与尺寸的匹配程度改善，器件插入损耗降低。
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