一种带电流修调的低温漂高精度带隙基准电压源

    公开(公告)号:CN114527823A

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202210165670.3

    申请日:2022-02-10

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种带电流修调的低温漂高精度带隙基准电压源,包括核心基准源产生电路、高阶补偿电路、电流修调电路和电阻修调电路;高阶补偿电路与晶体管Q1的发射极连接,用于把流过两个不同温度系数电流的VBE电压作差,并将该电压经过电阻产生的补偿电流给到电阻R2上,对主电路产生的基准电压进行补偿;电流修调电路分别与晶体管Q1、Q2的集电极相连,用于调整电阻R2上正温度系数电流大小,对温漂进行修调;电阻修调电路与电阻R2两端连接,用于对输出电压进行修调。本发明在通过高阶补偿电路消除VBE电压中高阶项的基础上,增加了由I2C接口电路控制的电流、电阻修调电路来消除工艺角的影响,以得到低温漂高精度的基准电压。

    二甲胺基取代的[1,2,4]三氮唑并均三嗪类化合物及制备和应用

    公开(公告)号:CN108864105B

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN201810654024.7

    申请日:2018-06-22

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供一类二甲胺基取代的[1,2,4]三氮唑并均三嗪类化合物,将氰类化合物与2‑氨基‑4‑二甲胺基‑1,3,5‑三嗪混合加入溶剂中,在铜催化剂和添加剂存在下,在60~135℃温度下搅拌反应15~30小时,反应结束后,反应液后处理制得。本发明的制备方法,设计合理,工艺反应条件温和,原料易得,操作方便,成本低,有着广泛的工业应用前景。本发明所提供的二甲胺基取代的[1,2,4]三氮唑并均三嗪类化合物显示一定的抗人骨肉瘤细胞活性,在制备抗肿瘤活性药物中的应用,尤其在制备治疗骨肉瘤药物中的应用,为新药筛选及开发奠定了基础,具有较好的实用价值。结构通式为:

    具有高可靠性导热绝缘基板的功率IGBT模块

    公开(公告)号:CN103887300A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201210570375.2

    申请日:2012-12-20

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: H01L2224/32225

    Abstract: 本发明实施例公开了一种IGBT模块,涉及一种具有高可靠性导热绝缘基板的功率IGBT模块。IGBT模块结构中的导热绝缘基板通过焊锡与芯片直接结合,两者的热匹配程度是影响IGBT模块的热可靠性的关键因素之一。本发明通过采用热膨胀系数较小的金属(如Mo、Cr等)作为导热绝缘基板的上敷金属材料,实现芯片Si材料与导热绝缘基板的热匹配,减小热应力,从而提高模块的可靠性。

    使用小焊块取代焊锡片的焊接方式

    公开(公告)号:CN103878462A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201210570398.3

    申请日:2012-12-20

    Applicant: 浙江大学

    CPC classification number: B23K1/19

    Abstract: 本发明涉及一种功率器件中芯片底部焊接层的设计,公开了一种用小焊块取代焊锡片的方法。它减薄了芯片底部焊接层的厚度,提升了它的散热能力,并在一定程度上缓减了不同的结温变化对模块失效的位置和机理的影响。

    一种新型功率半导体器件模块

    公开(公告)号:CN103035594A

    公开(公告)日:2013-04-10

    申请号:CN201210570187.X

    申请日:2012-12-25

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供了一种散热效率高的新型的功率模块的设计方案,该模块包括模块外壳,在所述模块外壳内从下至上设置有衬底、直接覆铜层、至少两个半导体芯片以及模块外壳与衬底、直接覆铜层和半导体芯片之间填充的绝缘冷却液,所述绝缘冷却液可以为去离子水、3MFluorinertFluids溶液中的任意一种,所述外壳两侧设置有阀门,用以控制冷却液的进出。本发明利用绝缘冷却液代替硅胶,并在模块外壳两端开口并设置阀门,构造水流通路,散热效率高。

    一种兼具拉电流和灌电流能力的LDO电路

    公开(公告)号:CN119248054A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411747482.7

    申请日:2024-12-02

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种兼具拉电流和灌电流能力的LDO电路,包括输入级模块、电流处理模块、功率管模块和补偿模块,输入级模块用于计算基准电压与反馈电压的误差值并将其转换为误差电流,电流处理模块用于对误差电流进行运算放大输出到功率管模块中,功率管模块由两组功率管组成,分别对输出节点提供拉电流和灌电流的能力,补偿模块对电路的频率特性进行补偿,实现对不同负载条件下输出电压的稳定调控。相较于传统LDO结构,本发明能提供拉电流和灌电流两种供电模式,适用于更广泛的负载场景;同时本发明使用Gm驱动型误差放大器结构以及对称电流镜密勒补偿结构,相较于传统误差放大器具有更宽的带宽,实现了快速瞬态响应,具有更优的性能。

    带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备

    公开(公告)号:CN118466673A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410542140.5

    申请日:2024-04-30

    Abstract: 本公开涉及半导体集成电路技术领域,具体涉及一种带隙基准电路、带隙基准电压的补偿方法、电子器件和电子设备。根据本公开实施例提供的技术方案,该带隙基准电路包括:通过带隙基准核心电路模块产生经一阶温度补偿的带隙基准电压,通过参考电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成参考电流,通过正温度系数电流生成模块根据经一阶温度补偿的带隙基准电压生成与温度成正比的正温度系数电流,通过高阶温度补偿模块根据参考电流和正温度系数电流生成高阶温度补偿电流,最后通过带隙基准核心电路模块根据高阶温度补偿电流对带隙基准电压进行高阶温度补偿,得到经高阶温度补偿的带隙基准电压,从而提高了带隙基准电压的精度和温度稳定性。

    用于反激式开关电源导通波谷选取切换锁定的控制装置

    公开(公告)号:CN117277748A

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202311269464.8

    申请日:2023-09-28

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供了一种用于反激式开关电源导通波谷选取、切换和锁定的控制装置,包括负载检测模块、谷底选择振荡器、谷底检测模块、逻辑运算模块和开关控制模块,该控制装置在准谐振控制模式中,根据开关电源负载的大小采用频率控制的方法,选取适当的谐振谷底处开通开关管;同时,在相邻谷底之间进行切换时设立加谷频率与减谷频率之间的迟滞频率,且迟滞频率差与系统输出功率相关,避免了谷间跳跃的现象以及输出包络纹波问题与音频噪声问题。因此,本发明控制装置在当今流行的适用于手机、笔记本电脑的AC‑DC反激式开关电源中具有较高的适配性。

    一种磁耦数字隔离器及其调制解调方法

    公开(公告)号:CN116418333A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202310254269.1

    申请日:2023-03-09

    Abstract: 本发明公开了一种磁耦数字隔离器,包括调制单元、片上变压器和解调单元,调制单元包括刷新模块、窄脉冲产生模块、上升沿调制模块、下降沿调制模块和驱动模块,用于对输入信号进行边沿调制,生成具有刷新信息的置位尖峰信号和复位尖峰信号;片上变压器用于对两组尖峰信号进行隔离传输;解调单元包括采样放大模块、高速比较器和检波模块,用于接收两组尖峰信号并进行采样与比较,还原出标准逻辑电平的置位信号和复位信号,最终检波得到输出信号。本发明相较于传统的调制解调技术,具有更小的传输延时及更小的脉宽失真;通过整合输入信号与刷新信号,能够将输入信号的边沿调制为多个脉冲信号,增强了传输链路的抗干扰能力,提高了信号传输的可靠性。

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