-
公开(公告)号：CN101615582A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200910099947.1
申请日：2009-06-25
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种低温制造透明薄膜晶体管的方法，通过在ZnO中掺入少量的In2O3和SnO2形成透明的ZnInSnO四元合金半导体薄膜为沟道层，与平板显示等的低温制造技术相兼容，通过磁控溅射低温生长制造透明薄膜晶体管，采用底栅式结构和光刻、化学湿法腐蚀和剥离相结合的技术。与现有的硅基TFT技术相比，氧化物TFT具有对可见光透明、迁移率高、制造温度低等特点。可应用于有源矩阵液晶显示器件，打印机、复印机和摄像机等产品中。
-
公开(公告)号：CN101100763A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710068863.2
申请日：2007-05-17
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B23/08 , H01L21/363
Abstract: 一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体晶体薄膜生长装置，包括有生长设备，抽真空系统，加热系统，冷却系统，控制系统，其特征是：所述的生长设备由进样室，生长准备室，生长室三个真空室依次连接构成，进样室与生长准备室之间及生长准备室与生长室之间由闸板阀隔离，进样室与生长准备室有样品传送杆传送衬底，生长准备室与生长室有样品传送杆传送衬底，生长准备室和生长室有可升降和转动的样品架，生长室样品架下边有2-8只束源炉，由挡板隔离样品架与束源炉，生长室可根据需要选择用水冷或液氮冷却，制造成本低，产品质量高，样品尺寸可达3英寸，均匀性好。
-
公开(公告)号：CN1862834A
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200610050305.9
申请日：2006-04-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , C23F1/16
Abstract: 本发明涉及一种应用新型高介电常数(κ)材料－立方镁锌氧(ZnMgO)晶体薄膜做栅绝缘层、六方相ZnO基半导体纳米薄膜做沟道层、氧化铟锡(ITO)或掺铝氧化锌(ZnO：Al)导电玻璃做电极的薄膜晶体管(TFT)的制备工艺，属于微电子技术领域。其优点是能直接在玻璃衬底上低温生长有源层与栅绝缘层器件结构，提供一种简便地TFT制造工艺，与现有的非晶或多晶硅TFT相比，氧化锌基TFT具有对可见光透明、迁移率高等特点。在平板显示，打印机、复印机和摄像机等产品中具有重要的应用前景。
-
公开(公告)号：CN1707892A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510049275.5
申请日：2005-01-28
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其结构特征是：由6个～25个c－MgxZn1－xO/MgO“势阱/势垒”周期所构成；MgO材料做势垒层，c－MgxZn1－xO(即立方MgxZn1－xO)材料做势阱层；每个“势阱/势垒”周期中的垒层厚度为20nm～30nm，阱层厚度为2nm～3nm。本发明的c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料，其制备工艺特征是：采用电子束反应蒸发方法，通过让高能聚焦电子束交替轰击MgO陶瓷靶材和(MgO)x(ZnO)1－x陶瓷靶材，在衬底表面交替生长超薄MgO势垒层和超薄c－MgxZn1－xO势阱层得到c－MgxZn1－xO/MgO多量子阱异质结构材料产品。
-
公开(公告)号：CN1661777A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200510048929.2
申请日：2005-01-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种ZnO纳米柱列阵结构材料及其制备技术，属于氧化物半导体光电子微结构材料及其气相外延制备技术领域。本发明的ZnO纳米柱列阵结构材料，其特征是ZnO纳米柱的晶轴呈高度的c－轴取向(即垂直于衬底表面)并且排列有序。该材料的制备特征是采用电子束反应蒸发技术，在衬底表面生长得到。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111650177B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202010390423.4
申请日：2020-05-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种实现单分子探测的碲化镓基表面增强拉曼基底及其制备方法，基底结构从下至上依次为Au孔阵列层，二维薄层GaTe层和Au纳米颗粒层，本发明在SiO2/Si基底层上，通过热蒸发的方法生长Ti层或Cr层，利用光刻和微纳加工方法制备Au孔阵列层，利用机械剥离的方法制备二维薄层GaTe层，并利用转移平台转移到Au孔阵列层上，最后将基底浸没在HAuCl4溶液中制备Au纳米颗粒层。本发明得益于GaTe材料较高的缺陷密度，在二维薄层GaTe层上自组装形成的金纳米颗粒层覆盖率能达到98％，此基底对R6G分‑16子的最低探测浓度达到10 M，超过了绝大部分的表面增强拉曼散射基底，具有较好的稳定性和可重复性，具有实用化前景。(56)对比文件I. Park et al.Nanoscale Patterningand electronics on flexible substrate bydirect nanoimprinting of metallicnanoparticles《.Advanced materials》.2008,全文.
-
公开(公告)号：CN103413827B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310237234.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明具体涉及一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构。本发明是一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构，所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面（111），（100）和（211）生长在PbTe表面上或PbTe生长在CdTe晶体的极性面（111），（100）和（211）上，其界面由于电荷转移形成高浓度二维电子气。本发明的CdTe/PbTe界面二维电子气是由异质结极性界面特性产生的，它不需要人为掺杂，它不仅具有高的电子密度，而且还具有高的电子迁移率，例如77K温度下的电子迁移率是块体CdTe材料三倍多。利用高的电子密度和高迁移率特性，可以提高晶体管的功率和速度；可以降低CdTe太阳电池中CdTe与金属的接触电阻；可以增强窄带隙半导体红外发光的强度，效果十分明显。
-
公开(公告)号：CN103413827A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310237234.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/778 , H01L31/072
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明具体涉及一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构。本发明是一种CdTe/PbTe异质结界面二维电子气结构，所述的二维电子气结构是CdTe沿其晶体的极性面（111），（100）和（211）生长在PbTe表面上或PbTe生长在CdTe晶体的极性面（111），（100）和（211）上，其界面由于电荷转移形成高浓度二维电子气。本发明的CdTe/PbTe界面二维电子气是由异质结极性界面特性产生的，它不需要人为掺杂，它不仅具有高的电子密度，而且还具有高的电子迁移率，例如77K温度下的电子迁移率是块体CdTe材料三倍多。利用高的电子密度和高迁移率特性，可以提高晶体管的功率和速度；可以降低CdTe太阳电池中CdTe与金属的接触电阻；可以增强窄带隙半导体红外发光的强度，效果十分明显。
-
公开(公告)号：CN102280595A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110178629.1
申请日：2011-06-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明提供了一种可见光-近红外波段的胶质CdSe量子点微腔结构及其制备方法，它以石英片作为基底，利用电子束沉积方法在基底上生长分布式布拉格反射镜（DBR），将采用化学合成制备的CdSe量子点与聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）混合，采用旋涂的方法将其旋涂在DBR上，再在其表面生长MgF2/ZnS周期性薄膜，作为上DBR，从而制备完成CdSe量子点微腔结构。微腔的发光波长在可见光-近红外波段，基于微腔的共振模式，可以获得强的光发射。它既可以直接作为光致发光器件使用，也可作为电致发光器件的有源区材料得到应用，如发光二极管、激光二极管等。
-
公开(公告)号：CN100549242C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200710068863.2
申请日：2007-05-17
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B23/08 , H01L21/363
Abstract: 一种制备IV-VI族半导体晶体薄膜生长装置，包括有生长设备，抽真空系统，加热系统，冷却系统，控制系统，其特征是：所述的生长设备由进样室，生长准备室，生长室三个真空室依次连接构成，进样室与生长准备室之间及生长准备室与生长室之间由闸板阀隔离，进样室与生长准备室有样品传送杆传送衬底，生长准备室与生长室有样品传送杆传送衬底，生长准备室和生长室有可升降和转动的样品架，生长室样品架下边有2-8只束源炉，由挡板隔离样品架与束源炉，生长室可根据需要选择用水冷或液氮冷却，制造成本低，产品质量高，样品尺寸可达3英寸，均匀性好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.019 seconds)
