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公开(公告)号：CN110610895A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910932527.0
申请日：2019-09-29
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01L21/687 , H01J37/20
Abstract: 本发明公开了一种用于平台的弹簧顶针机构及真空等离子处理腔体，所述弹簧顶针机构包括沿针孔从平台上端面伸出缩回的顶针；还包括导向管、弹簧和底座；所述导向管包括若干沿圆周方向间隔布置在平台下端面的圆弧导向板，所述若干圆弧导向板均与一个针孔同轴；所述底座上设置有若干圆弧通槽；每个圆弧通槽滑动套装在一个圆弧导向板外；所述顶针的下端固定在底座中心上；所述弹簧位于所述底座的上端面与平台下端面之间；当顶针从平台上端面伸出，弹簧处于压缩状态。本发明的顶针始终保持与平台的垂直，不会产生转动偏斜卡涩的问题，无需考虑针孔与顶针的配合间隙，保证顶针在针孔内伸缩顺畅；同时保证顶针能够从平台上端面缩回，防止顶针下落不到位。
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公开(公告)号：CN110571122A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910875909.4
申请日：2019-09-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32 , H01L21/3065
Abstract: 本发明涉及一种采用双离子源的IBE刻蚀机及刻蚀方法，属于半导体刻蚀技术领域。采用双离子源的IBE刻蚀机，刻蚀机包括刻蚀腔室及安装在刻蚀腔室上的离子源；蚀刻腔室内设有用于放置晶圆的样品台刻蚀腔室分别布置两个离子源；当离子源进行纵向去除或侧墙清理或纵向去除与侧墙清理同时进行时，两个离子源发射出的离子束与样品台的晶圆中心轴线始终保持一定角度。本发明提供的采用双离子源的IBE刻蚀机在不增加复杂的样品台翻转机构，提高了刻蚀效率。并且采用了两个离子源进行蚀刻，取消掉原样品台的倾斜及使用两个离子源，因此节省了样品台倾斜及能量切换的工艺时间。
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公开(公告)号：CN110491760A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910783185.0
申请日：2019-08-23
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种法拉第清洗装置及等离子体处理系统，包括反应腔室、偏置电极、晶圆、腔盖、耦合窗、进气喷嘴、立体式线圈以及法兰第层，腔盖上端面安装有耦合窗，反应腔室上端面安装有腔盖，反应腔室内部装配有偏置电极，偏置电极上端面安装有晶圆，耦合窗内部装配有进气喷嘴，耦合窗上端面安装有法兰第层，法兰第层上端面装配有立体式线圈，因本发明添加了耦合窗、进气喷嘴、立体式线圈以及法兰第层，该设计解决了原有法拉第清洗装置及等离子体处理系统使用效果不佳的问题，本发明结构合理，便于组合安装，清理效果好，实用性强。
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公开(公告)号：CN110416053A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910694285.6
申请日：2019-07-30
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请公开了一种电感耦合等离子体处理系统，该系统通过开关切换射频功率在射频线圈和法拉第屏蔽装置之间的连接。当射频电源通过匹配网络与射频线圈相连时，射频功率耦合入射频线圈，进行等离子体处理工艺。当射频电源通过匹配网络与法拉第屏蔽装置相连时，射频功率耦合入法拉第屏蔽装置，进行对介电窗、等离子体处理腔体内壁的清洗工艺。同时由于法拉第系统与介电窗为一个零件，方便了射频线圈的安装和维护，实现对等离子体处理腔体内壁尤其是介电窗的高效清洗。
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公开(公告)号：CN110223903A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910322666.1
申请日：2019-04-22
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种均匀对称布置且同步开合的离子源挡板，包括n块n等分挡板，n≥2；n块n等分挡板大小形状相同，均位于同一个竖向平面内，且以离子源挡板中心点为对称中心，呈均匀对称分布；n块n等分挡板均能在对应驱动机构的作用下，以离子源挡板中心点为圆心，沿径向进行同步往返滑移；当n块n等分挡板向着离子源挡板中心点滑移并拼合后，能将离子源栅网进行完全遮挡；当n块n等分挡板向着背离离子源挡板中心点滑移时，能使离子源栅网无遮挡。本发明能使晶圆的中部和边缘均能同时均匀地接受离子束的轰击，保证挡板在完全脱离离子源栅网之前晶圆的表面接受相同的刻蚀程度，提高了晶圆成品的刻蚀均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110132484A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910470430.2
申请日：2019-05-31
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: G01L21/30
Abstract: 本发明提出一种离子束刻蚀系统的真空测量工具的保护装置，所述离子束刻蚀系统包括反应腔体和用于测量反应腔体的内部真空度真空测量工具，所述反应腔体壁上设置有通气接口，所述真空测量工具连接在通气接口上。所述保护装置包括设置在反应腔体内的遮挡通气接口的阻隔板；所述阻隔板贴近通气接口处的反应腔体内壁，所述通气接口沿其中轴线投影至阻隔板上的投影面位于阻隔板的遮挡面范围内。所述保护装置还包括驱动阻隔板远离或靠近通气接口的推拉机构。本发明通过贴近遮挡通气接口的阻隔板，有效阻隔金属颗粒和离子束；通过推拉机构驱动阻隔板远离或靠近通气接口，防止杂质堵塞阻隔板与反应腔体内壁的间隙，在满足通气要求下保持合适间隙。
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公开(公告)号：CN109950121A
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201910299448.0
申请日：2019-04-15
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种通电离子源挡板，包括金属挡板、高压电源、配重块和挡板旋转驱动装置；金属挡板同轴设置在离子源和晶圆之间的蚀刻腔体内，金属挡板面积大于离子源的离子束出口面积；金属挡板和高压电源电连接，金属挡板表面具有正电荷；配重块设置在金属挡板底部，邻近配重块的金属挡板与挡板旋转驱动装置相连接，并在挡板旋转驱动装置的驱动作用下，进行旋转转动；离子源包括射频、加速电场和中和器。本发明不仅可以阻挡不必要的离子束流对晶圆的损坏，而且使得挡板不受离子束的轰击产生不必要的颗粒，污染真空环境，使其更换周期极大限度的延长。同时，挡板材料可以使用普通金属，极大的降低了成本。
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公开(公告)号：CN107393802A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710579649.7
申请日：2017-07-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
Abstract: 本发明公开了一种等离子体刻蚀系统的喷淋头，主体呈圆盘状，盘体上表面近边缘处设有第一环形凸缘、进气槽、第二环形凸缘和导气通道，其中，所述进气槽设置在所述第一环形凸缘和所述第二环形凸缘之间，所述第二环形凸缘和所述导气通道交错分布且整体呈环状，盘体中央区域设有内外两圈呈同心环形且均匀分布的第一进气孔，在所述中央区域的外圈进气孔与所述第二环形凸缘之间，还设有多圈呈同心环形且均匀分布的第二进气孔，还包括气体挡块，对所述第二进气孔在工艺加工过程中根据气体分布范围进行选择性遮挡。本发明能够有效提高等离子体刻蚀的均匀性同时实现了进气匀流的可调节性。
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公开(公告)号：CN115602512A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202110784277.8
申请日：2021-07-12
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司(CN)
IPC: H01J37/21 , H01J37/18 , H01J37/305 , H01J37/32 , H01L21/02 , H01L21/3065 , B08B7/00
Abstract: 本发明涉及一种等离子体刻蚀装置及其运行工艺，在工艺腔室的内部设计两个遮挡盖，两个遮挡盖合并后形成一个中部完全封闭、上部和底部敞口的漏斗形；遮挡盖连接至气缸，随着气缸同步运动，实现两个遮挡盖之间的开启与关闭。在刻蚀阶段，气缸收缩，带着遮挡盖呈分离状态，不会遮挡晶圆，不会影响晶圆的刻蚀工艺；在清洗阶段：气缸伸长，两个遮挡盖合成一个完整漏斗形，遮挡住晶圆免受刻蚀，不会影响晶圆表面的材料和图形，提高刻蚀均匀性。而且本发明减少了顶针和机械手的来回运动，提高了整体工艺效率，降低了机台故障率，提高设备稳定性，同时根据不同的工艺调节遮挡部的位置，可以灵活的应用于多种工艺场合。
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公开(公告)号：CN110571120B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201910875495.5
申请日：2019-09-17
Applicant: 江苏鲁汶仪器有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明涉及一种配置清洗设备的离子源刻蚀腔室及离子束清洗方法，属于半导体器件及芯片等的制造设备领域。该刻蚀腔室由反应腔及离子源固定腔组成；反应腔与离子源固定腔相互连通；反应腔内的中心处设有摇摆电极，离子源固定腔内设有离子源；反应腔与离子源固定腔的连通处之间设有挡板；挡板通过外部驱动旋转从而移动至离子源的发射束端；反应腔的底部与分子真空泵相互连通；所述的反应腔上设有若干个离子束发生器；离子束发生器外部充气装置及控制相连；通过离子束对刻蚀腔室内进行污染物清洗。本发明提供的配置清洗设备的离子源刻蚀腔室及离子束清洗方法，可清洗刻蚀腔室内所残留的污染物，保证了蚀刻腔室的清洁。
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