公开(公告)号：CN116895644A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310824848.5

申请日：2023-07-06

Applicant: 江南大学

Inventor： 南海燕 ,  潘炳宇 ,  丁扬 ,  王成林 ,  戚任贤 ,  肖少庆 ,  顾晓峰

IPC: H01L23/544 ,  H01L31/02

Abstract: 本发明公开了一种基于封装结构的低维光电器件测试系统及方法，属于半导体器件领域。本发明使用光刻、刻蚀、PVD沉积、电镀、切割等工艺在玻璃晶圆的基础上制造出两侧带有铜柱的透明玻璃板，然后在透明玻璃板下表面上使用光刻、电镀等工艺制作阵列排布的铜柱，得到一种封装结构的光电器件测试系统。本发明制备方法工艺成熟，不仅可以实现器件在不同波长的可见光与近红外光的探测，而且可以重复利用，并且避免了传统测电时使用bonding的工艺对材料造成损伤的情况发生；此外，本发明能够得到更稳定的光电流输出，且环境光强度的波动和其他干扰因素影响较小，得到的光电流强度比较高，对细微的光信号有较为快速的响应。

公开(公告)号：CN116623151A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310493652.2

申请日：2023-05-04

Applicant: 江南大学

Inventor： 蔡正阳 ,  丁常源 ,  张志伟 ,  顾晓峰 ,  南海燕 ,  肖少庆

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C30B29/46 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明提供了一种晶面可调控的二维碲化锡材料的制备方法，所述方法包括：将锡源与碲源在保护性气体中进行化学气相沉积反应，在生长衬底表面得到二维碲化锡材料，并且生长的碲化锡材料的晶面与生长衬底的晶面相一致。本发明以第一主族或第二主族与第七主族元素形成的化合物为衬底，在管式炉中放入碲源和锡源，通过化学气相沉积的方法制备二维碲化锡材料，生长的二维碲化锡的晶面会与所选用的衬底的晶面相同，即生长衬底起到调控碲化锡晶面的作用。本发明所述方法简单易操作，过程可控，所得材料形貌良好，具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN115347078A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210996470.2

申请日：2022-08-19

Applicant: 江南大学

Inventor： 肖少庆 ,  吴倩倩 ,  皇甫路遥 ,  南海燕 ,  蔡正阳 ,  顾晓峰

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/38 ,  H01L21/42 ,  H01L21/02 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于等离子体n型掺杂的MoS2异质结光电探测器及其制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：将MoS2异质结光电探测器水平放置于由平面式螺旋电感天线产生的非平行板式电容耦合等离子体的等离子体腔室中，在低压环境下通入氨气，打开射频电源产生温和氨气等离子体，对样品进行掺杂处理。该方法在常温下实现MoS2异质结光电探测器的n型掺杂，反应条件温和，操作简单，可控性强，环保无污染，成本低，掺杂均匀，实用性较强。

公开(公告)号：CN110820047A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201911163336.9

申请日：2019-11-25

Applicant: 江南大学

Inventor： 肖少庆 ,  张露芳 ,  南海燕 ,  顾晓峰

IPC: C30B29/68 ,  C30B29/46 ,  C30B30/00

Abstract: 本发明公开了一种二维原子晶体分子超晶格的制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：将过渡金属硫族化合物薄层样品水平放置于由平面式螺旋电感天线产生的非平行板式电容耦合等离子体的等离子体腔室中，或垂直放置于由两平行板电极产生的电容耦合等离子体的等离子体腔室中，在低压环境下通入氧气，打开射频电源产生温和氧气等离子体，对过渡金属硫族化合物薄层样品进行等离子体插层处理，该方法在常温下调控过渡金属硫族化合物的插层程度来构造二维原子晶体分子超晶格，反应条件温和，操作简单，可控性强，环保无污染，成本低、插层均匀，可以实现大面积的插层，实用性较强。