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公开(公告)号:CN104193395B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201410410783.0
申请日:2014-08-20
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于材料科学与工程领域,具体涉及一种孔隙率可控的多孔碳化硅陶瓷的制备方法,包括有以下步骤:1)多孔碳化硅素胚的比例设计;2)多孔碳化硅陶瓷的素胚成型;3)多孔碳化硅陶瓷的烧制,得到所需要的多孔碳化硅陶瓷。本发明的有益效果在于:通过组成比例设计,即控制膨胀石墨、金属硅粉、有机粘接剂的比例,使反应产物主要为碳化硅;此外,控制三者混合后的密度,可实现多孔碳化硅陶瓷孔隙率的准确控制,可制备出孔隙在40%-80%之间可控的多孔碳化硅陶瓷制品,具有孔隙率可控,孔隙均匀的特点。
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公开(公告)号:CN104174298B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201410412804.2
申请日:2014-08-20
Applicant: 武汉工程大学
Abstract: 本发明属于材料科学与工程领域,具体涉及一种净水用梯度碳化硅陶瓷膜的制备方法,包括有以下步骤:1)碳化硅陶瓷支撑体制备;2)碳化硅中间层的制备;3)碳化硅膜层的制备,最终制得净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料。本发明的有益效果在于:制得的碳化硅陶瓷膜材料,连通孔隙率高,气孔分布呈梯度,强度高、纯水通量高、耐强酸碱,不同层次界面粘结强度高,操作简便、成品率高。所制备的净水用梯度碳化硅陶瓷膜材料,抗折强度>30MPa,纯水通量大于5m3/(m2h),pH值耐受范围0-14。
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公开(公告)号:CN104261868A
公开(公告)日:2015-01-07
申请号:CN201410491594.0
申请日:2014-09-23
Applicant: 武汉工程大学
IPC: C04B38/06 , C04B35/584 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜的制备方法,包括有以下步骤:1)素胚的成型;2)膜层的涂覆;3)烧结。本发明的有益效果在于:本发明利用氮化硅结合碳化硅陶瓷耐高温、抗氧化、抗腐蚀、抗热震性能好的特点,制备具有高连通孔隙结构的氮化硅结合碳化硅多孔陶瓷膜材料,在高温使用环境,比如高温气固分离、高温液固分离、高温催化载体等方面具有广阔的应用前景。
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