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公开(公告)号：CN109264664A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811051213.1
申请日：2018-09-10
Applicant: 武汉大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种Al2O3空心球壳阵列的制备方法，包括：(1)采用原子层沉积法在球模板或球阵列模板上沉积Al2O3薄膜；所述球模板为聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球粉末；所述球阵列模板为附着于衬底上的单层或多层聚苯乙烯球或聚甲基丙烯酸甲酯球阵列；(2)对沉积了Al2O3薄膜的球模板或球阵列模板进行退火，或将沉积了Al2O3薄膜的球模板或球阵列模板放入有机溶剂中浸泡，去除球模板或球阵列模板，获得Al2O3空心球壳阵列。本发明具有重复性高、周期短、可大批量生产等优势；同时，本发明制备的Al2O3空心球壳阵列具有球壳厚度可精确控制、最大孔隙率可达95％以上等优势。
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公开(公告)号：CN104361995A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410488860.4
申请日：2014-09-23
Applicant: 武汉大学
IPC: H01G4/33
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米结构的透明电容器及其制备方法，属于透明电容器领域。其制备方法为：于100～500℃下，在石英玻璃衬底上生长AZO或ITO薄膜作为底电极的接触层；再将去除Al基底和阻挡层的AAO模板转移到AZO或ITO薄膜表面上；然后，于100～500℃下，在AAO模板上依次生长作为底电极的ITO或AZO薄膜，作为介质层的高k材料层，作为顶电极和顶电极的接触层的AZO或ITO薄膜；最后对顶电极和顶电极的接触层进行光刻，湿法腐蚀，形成器件，即得到基于纳米结构的透明电容器。其优点为：本发明的透明电容器尺寸大，价格低廉，容量大，透明度良好，且可应用于高频领域；本发明的制备方法简单易行。
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公开(公告)号：CN100464393C
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200710052167.2
申请日：2007-05-14
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/20
Abstract: 本发明提供了一种高晶体质量的GaN绝缘或半绝缘外延层的制备方法，该方法是以Al2O3、SiC或Si为衬底，在衬底经高温氮化后，依次于750～780℃下高温生长AlN成核层，于720～730℃下低温三维生长GaN成核层，再于750～780℃下高温二维生长GaN外延层，继续外延生长GaN的同时，实行原位金属Fe、Cr或Mg掺杂，制备出高位错密度、相对粗糙的GaN绝缘层。此后制备AlGaN/GaN超晶格结构或采用间歇式原子层沉积法生长GaN过渡层，最后在720～730℃、高III/V比条件下生长出高晶体质量、表面光滑的GaN外延层。以用本发明方法制备的这种GaN绝缘或半绝缘外延层为衬底材料，可生长微波器件结构。
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公开(公告)号：CN115425131A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210976707.0
申请日：2022-08-15
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种橙黄光LED器件及其制备方法和应用，该橙黄光LED器件包括：衬底、沉积在衬底表面的掺杂有氧化锂的氧化镍原子层沉积层以及沉积在氧化镍原子层沉积层表面的氧化锌原子层沉积层。相比于有机荧光材料制备橙黄光LED器件的方法，本发明通过在衬底表面制备p型的掺杂有氧化锂的氧化镍原子层沉积层和n型的氧化锌原子层沉积层，获得发橙黄光的LED器件，制备方法简单、对污染环境小，所使用的原材料相对廉价，可降低生产成本；所得橙黄光LED器件由无机半导体材料制成，不易老化，因而器件发光稳定性好；且该橙黄光LED器件显色系数更高、毒性低。
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公开(公告)号：CN114924449A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210613321.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 武汉大学
IPC: G02F1/1524 , G02F1/153 , G02F1/15
Abstract: 本发明涉及一种超快响应的氧化镍电致变色薄膜及其制备方法和应用，其制备方法包括：等离子体预处理衬底；以等离子体为载气，电子束蒸发镀镍至衬底表面，形成氧化镍薄膜。该方法还包括：等离子体后处理氧化镍薄膜。本发明利用等离子体辅助电子束蒸发镀镍制备出了具有特殊晶体结构的氧化镍电致变色薄膜，等离子体后处理氧化镍薄膜后，能使该氧化镍电致变色薄膜响应时间进入毫秒级，着色和褪色时间分别为3.3s和0.5s，具有非常可观的应用前景。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN113611782A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110852217.5
申请日：2021-07-27
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED及其制备方法，其包括：并列设置的p型层与n型层；以及钙钛矿层，其敷设于所述p型层表面，且所述钙钛矿层位于所述p型层与所述n型层之间，同时，所述钙钛矿层与所述n型层之间还夹设有电子空穴阻挡层，所述电子空穴阻挡层阻止电子和空穴在所述p型层中复合，且阻止电子和空穴在所述n型层中复合。本发明涉及的一种基于钙钛矿微米板的高效绿光LED及其制备方法，钙钛矿层不会直接与空气接触，使得钙钛矿层能够得到有效的保护，同时，使得n型层中的电子和p型层中的空穴完全进入到钙钛矿层中进行复合发光，钙钛矿层可以发出纯绿光，从而制备出高效的绿光LED器件。
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公开(公告)号：CN102517563B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201210006637.2
申请日：2012-01-11
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及一种在硅衬底上生长非极性m面ZnO的方法。以硅为衬底，二乙基锌和去离子水分别作为锌源和氧源，氮气作为锌源、氧源的载气；将反应生长室抽真空至10Pa以下，室温～300℃下，先通入二乙基锌，接着用氮气吹扫，再通入水，再吹扫，如此即为一个周期，直至器件要求的厚度。同时，通过加入Al2O3缓冲层，可改善非极性m面ZnO的晶体质量，其光致发光谱中带边发光峰的强度得到显著增强，而异质结的漏电流减小了一个数量级。
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公开(公告)号：CN101335200A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810048681.3
申请日：2008-08-01
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/20 , H01L21/205
Abstract: 一种AlN薄膜的制备方法，其独到之处在于：1.1在外延薄膜生长室中，以Al2O3、SiC或Si为衬底，于800～850℃温度下对衬底进行氮化10～30分钟；1.2.在500～765℃下生长10～20nm的AlN缓冲层；1.3.在大于780℃的环境下生长AlN外延层；1.4.在生长AlN外延层的过程中，每生长100～500nm的AlN外延层，就在500～765℃下生长一层10～20nm的AlN插入层，并采用生长中断方法，中断AlN生长0.5～3分钟，然后继续在大于780℃的环境下生长AlN外延层，如此循环往复直至得到需要的层数。本发明的优点在于：可以获得具有镜面光滑无裂纹表面的AlN膜，并达到高分辨X射线衍射(002)面摇摆曲线的半高宽≤255arcsec，(105)面摇摆曲线的半高宽≤290arcsec，刃位错密度低于5×108cm－2，4μm×4μm范围内表面平整度≤0.29nm的性能参数。
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公开(公告)号：CN101101947A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710052646.4
申请日：2007-07-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种电致发光二极管的制备方法，先在衬底上生长GaN缓冲层，然后生长掺有Eu、Er、Tm三种稀土元素中任意两种或三种的GaN薄膜，最后用掺锡氧化铟制作透明电极。通过分子束外延、金属有机化学气相沉积方法、离子注入方法、光刻技术实现将Eu、Er、Tm三种稀土元素中的任意两种掺杂到在GaN薄膜中或者将这三种稀土元素同时掺杂到GaN薄膜中，当改变掺杂稀土元素的浓度比和外加电压时，就可以得到不同颜色的光、甚至白光。
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