公开(公告)号：CN104316169A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410634569.3

申请日：2014-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 胡放荣 ,  张隆辉 ,  王月娥 ,  陈涛 ,  张丽娟

IPC: G01J1/04

Abstract: 本发明为一种基于氧化钒光栅的太赫兹频段可调超宽带吸波体，包括由下至上依次重叠的硅基底、金属层、氧化钒层、介质层和氧化钒光栅，各层为相同的矩形，构成长方体的吸波体单元，氧化钒光栅每一个栅条为矩形线条，平行于介质层矩形的边。栅条厚度为0.2～2微米，宽度为2～20微米；中心间距为6～40微米。吸波体单元长宽为100～500微米；金属层的材料是金、银、铜和铝中的任一种，介质层是聚合物层或者二氧化硅层，厚度为2～30微米；多个吸波体单元组成N×N紧密二维阵列，N≥10，使阵列长宽大于入射的太赫兹波束横径。本发明实现了太赫兹频段的超宽带吸收及吸收率可调，制作简单，成本低，且性能稳定。

公开(公告)号：CN211208632U

公开(公告)日：2020-08-07

申请号：CN202020111884.9

申请日：2020-01-16

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 胡放荣 ,  李彤 ,  张隆辉 ,  江明珠 ,  王月娥 ,  李东霞 ,  陈涛 ,  姜文英 ,  银珊 ,  张文涛 ,  韩家广

IPC: H01P1/20 ,  G02F1/01

Abstract: 本实用新型为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本新型电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN220672857U

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202321220818.5

申请日：2023-05-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 张隆辉 ,  张宇凡 ,  胡放荣 ,  江明珠 ,  习晨悦 ,  周亚涛 ,  周志

IPC: H01Q15/00 ,  G02F3/00

Abstract: 本实用新型公开一种宽频带电控转换的太赫兹超表面或非门逻辑编码器由高阻硅层、聚酰亚胺层、共地电极和频率控制结构组成；聚酰亚胺层和高阻硅层相叠置，且聚酰亚胺层的下表面与高阻硅层的上表面相贴；频率控制结构叠置于聚酰亚胺层的上表面，共地电极叠置于高阻硅层的下表面。频率控制结构的2个电极贴片分别经由1个开关与直流稳压电源的正极连接，共地电极直接与直流稳压电源的负极连接。本实用新型利用对石墨烯施加电压改变其电导率的特性，实现在特定频带下透射率的调控，可实现通过输入两个数字逻辑电信号达到宽频带输出一个或非门数字逻辑太赫兹信号的效果，具有制作简单，成本低，且性能稳定的特点。

公开(公告)号：CN204115863U

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201420672980.5

申请日：2014-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 胡放荣 ,  张隆辉 ,  王月娥 ,  陈涛 ,  张丽娟

IPC: G01J1/04

Abstract: 本实用新型为一种基于氧化钒光栅的太赫兹频段可调超宽带吸波体，包括由下至上依次重叠的硅基底、金属层、氧化钒层、介质层和氧化钒光栅，各层为相同的矩形，构成长方体的吸波体单元，氧化钒光栅每一个栅条为矩形线条，平行于介质层矩形的边。栅条厚度为0.2～2微米，宽度为2～20微米；中心间距为6～40微米。吸波体单元长宽为100～500微米；金属层的厚度为0.05～1微米，介质层是聚合物层或者二氧化硅层，厚度为2～30微米；多个吸波体单元组成N×N紧密二维阵列，N≥10，使阵列长宽大于入射的太赫兹波束横径。本实用新型实现了太赫兹频段的超宽带吸收及吸收率可调，制作简单，成本低，且性能稳定。