公开(公告)号：CN103429554A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280011333.3

申请日：2012-03-01

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  岩崎祐纪

IPC: C04B35/453 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供适合用于制造显示装置用氧化物半导体膜的氧化物烧结体及溅射靶，该氧化物烧结体及溅射靶兼具较高导电性和相对密度，能形成具有较高的载流子迁移率的氧化物半导体膜，特别是即使利用直流溅射法来制造也不易产生结瘤且能长时间稳定地进行放电的直流放电稳定性优异。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡以及从由Al、Hf、Ni、Si、Ga、In及Ta构成的组中选择的至少一种金属(M金属)的氧化物混合并烧结而得到的氧化物烧结体，维氏硬度为400Hv以上。

公开(公告)号：CN103298767A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005106.X

申请日：2012-02-09

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 金丸守贺 ,  岩崎祐纪 ,  松井实 ,  后藤裕史 ,  南部旭

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/086

Abstract: 提供一种氧化物烧结体，其适合用于显示装置用氧化物半导体膜的制造，并兼备高的导电性和相对密度，具有高的载流子迁移率，且能够成膜具有非常优越的面内均匀性的氧化物半导体膜。本发明的氧化物烧结体是将氧化锌、氧化锡、氧化铟的各粉末混合以及烧结而得到的氧化物烧结体，对所述氧化物烧结体进行X线衍射，设2θ＝34°附近的XRD峰值的强度由A表示，设2θ＝31°附近的XRD峰值的强度由B表示，设2θ＝35°附近的XRD峰值的强度由C表示，设2θ＝26.5°附近的XRD峰值的强度由D表示时，满足下述式(1)：[A/(A+B+C+D)]×100≥70 (1)。