公开(公告)号：CN114761607B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202080084596.1

申请日：2020-12-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  西山功兵 ,  寺前裕美 ,  湖山贵之

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明获得一种氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶，其场效应迁移率与应力耐受性优异，并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性，且相对于在对源极/漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O，且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计，各金属元素的原子数比满足特定条件。

公开(公告)号：CN113348562A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202080007374.X

申请日：2020-01-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  西山功兵 ,  越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/363 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417

Abstract: 本发明提供一种可获得应力耐受性优异的薄膜晶体管的氧化物半导体薄膜。氧化物半导体薄膜具有第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层，第一氧化物半导体层及第二氧化物半导体层分别包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O，在第一氧化物半导体层中，满足0.05≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.20≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.20≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.15，在第二氧化物半导体层中，满足0.20≦In/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.05≦Ga/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.25、0.15≦Zn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.60、0.01≦Sn/(In+Ga+Zn+Sn)≦0.20。

公开(公告)号：CN111226307B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201880067635.X

申请日：2018-10-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 寺前裕美 ,  后藤裕史 ,  越智元隆 ,  日野绫

IPC: H01L21/363 ,  C23C14/08 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供氧化物半导体薄膜，使用该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管，其制造成本比较低，形成薄膜晶体管时的载流子迁移率和光应力耐性高。本发明的氧化物半导体薄膜，含有In、Zn和Fe，相对于In、Zn和Fe的合计原子数，In的原子数为20atm％以上并在89atm％以下，Zn的原子数为10atm％以上并在79atm％以下，Fe的原子数为0.2atm％以上并在2atm％以下。本发明包括具有该氧化物半导体薄膜的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN112088432A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201980030601.8

申请日：2019-04-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明提供一种包括氧化物半导体层薄膜的薄膜晶体管，其在维持高场效应迁移率的同时应力耐受性、尤其光应力耐受性优异。所述薄膜晶体管在基板上至少包括栅极电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源极‑漏极电极、以及至少一层保护膜，并且构成氧化物半导体层的金属元素包含In、Ga、Zn及Sn，相对于氧化物半导体层中的全部金属元素的合计(In+Ga+Zn+Sn)的各金属元素的比例为：In：30原子％以上且45原子％以下、Ga：5原子％以上且未满20原子％、Zn：30原子％以上且60原子％以下、以及Sn：4.0原子％以上且未满9.0原子％。

公开(公告)号：CN109155264A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780026154.X

申请日：2017-04-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 林和志 ,  越智元隆 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明是氧化物半导体薄膜的品质评价方法，选出在通过μ-PCD法测定出的激励光停止后的每个经过时间的各信号值以及该经过时间代入到下述式(1)而得到的各计算值当中，计算值最高的峰值以及上述峰值的时间常数(μ秒)，根据上述峰值以及上述时间常数推定存在于上述氧化物半导体薄膜中的缺陷能级的能量位置和缺陷密度。x＝信号值×信号值的经过时间…式(1)，式中，x：计算值，信号值：微波的反射率(mV)，信号值的经过时间：从激励光停止后到信号值为止的经过时间(μ秒)。

公开(公告)号：CN104885229B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201380067811.7

申请日：2013-12-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/306 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/45 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/44 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78636 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型TFT，TFT的氧化物半导体层对源‑漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。该TFT的特征在于，是具有氧化物半导体层由Sn及In、以及选自Ga和Zn中的至少1种和O构成的第1氧化物半导体层；以及由选自In、Zn、Sn及Ga中的1种以上的元素和O构成的第2氧化物半导体层的层叠体，按照所述栅极绝缘膜、所述第2氧化物半导体层、所述第1氧化物半导体层的顺序形成，且在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚‑第1氧化物半导体层中央部的膜厚)/源‑漏电极端正下方的第1氧化物半导体层的膜厚]求出的值为5％以下。

公开(公告)号：CN106575629A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580035431.4

申请日：2015-07-06

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  林和志 ,  钉宫敏洋 ,  越智元隆

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01R31/2656 ,  H01L22/14 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/1465 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供对氧化物半导体薄膜及在该氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质、以及氧化物半导体薄膜的品质管理方法能够准确且简便地进行评价的方法。本发明涉及的氧化物半导体薄膜及在上述氧化物半导体薄膜的表面具有保护膜的层叠体的品质评价方法具有：第1步骤，在基板上形成氧化物半导体薄膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜的膜中缺陷引起的不良；和第2步骤，在利用基于上述评价确定的条件进行处理后的氧化物半导体薄膜的表面上形成保护膜后，利用接触式方法或非接触式方法测定上述氧化物半导体薄膜的电子状态，由此评价由上述氧化物半导体薄膜与上述保护膜的界面缺陷引起的不良。

公开(公告)号：CN105264469A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480032200.3

申请日：2014-05-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 志田阳子 ,  后藤裕史 ,  越智元隆

IPC: G06F3/041 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C21/00 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: G06F3/047 ,  B32B15/01 ,  B32B15/017 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C21/00 ,  G06F3/041 ,  G06F3/043 ,  G06F3/044 ,  G06F3/045 ,  G06F2203/04103 ,  H01L23/53219 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的触摸面板传感器用布线膜，由如下层叠结构构成：形成于透明导电膜之上的纯Cu或以Cu为主成分的Cu合金(第一层)；形成于第一层之上，纯Al或在10原子％以下的范围内含有或从Ta、Nd和Ti所构成的组中选择的至少一种元素的Al合金(第二层)。

公开(公告)号：CN104904017A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201380067793.2

申请日：2013-12-26

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  越智元隆 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋 ,  广濑研太 ,  田尾博昭 ,  高梨泰幸

IPC: H01L29/786 ,  C01G19/00 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G19/00 ,  H01L21/465 ,  H01L21/47635 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 本发明提供一种不具有蚀刻阻挡层的背沟道蚀刻型(BCE型)的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管TFT的氧化物半导体层对TFT制造时的源-漏电极形成时所使用的酸蚀刻溶液的耐性优异，且应力耐受性优异。所述薄膜晶体管的特征在于，在基板上至少依次具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极、以及保护所述源-漏电极的保护膜，所述氧化物半导体层由Sn、选自In、Ga及Zn中的1种以上的元素、和O构成，在薄膜晶体管的层叠方向截面中，通过[100×(源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚-氧化物半导体层中央部的膜厚)/源-漏电极端正下方的氧化物半导体层的膜厚]求得的值为5％以下。

公开(公告)号：CN102165847A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200980137648.0

申请日：2009-11-09

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  后藤裕史 ,  岸智弥 ,  川上信之

IPC: H05B33/26 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种用于有机EL显示器的反射阳极电极，其具备的Al合金反射膜能够实现与氧化物导电膜的低接触电阻，同时能够实现优异的反射率。本发明的用于有机EL显示器的反射阳极电极的制造方法，其特征在于，在基板上形成含有0.1～2原子％Ni或Co的Al合金膜，在真空或惰性气体气氛下，以150℃以上的温度对所述Al合金膜实施热处理，接着，以与所述Al合金膜直接接触的方式形成氧化物导电膜。