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公开(公告)号：CN110392978A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201780086810.5
申请日：2017-12-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制无用波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；声反射膜(3)，设置在支承基板(2)上；压电薄膜(4)(压电体)，设置在声反射膜(3)上；以及IDT电极(5)，设置在压电薄膜(4)上。声反射膜(3)是由包含第一低声阻抗层(3a)、第二低声阻抗层(3c)、第三低声阻抗层(3e)、第四低声阻抗层(3g)和第一高声阻抗层(3b)、第二高声阻抗层(3d)、第三高声阻抗层(3f)的多个声阻抗层构成的层叠体。声反射膜(3)具有：第一声阻抗层，是多个声阻抗层中的一个声阻抗层；以及第二声阻抗层，是多个声阻抗层中的一个声阻抗层，且算术平均粗糙度(Ra)与第一声阻抗层不同。
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公开(公告)号：CN108028637A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680055793.4
申请日：2016-07-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/02929 , H01L41/0477 , H01L41/29 , H01L41/312 , H03H3/02 , H03H3/08 , H03H9/02228 , H03H9/02559 , H03H9/02637 , H03H9/0561 , H03H9/058 , H03H9/145 , H03H9/175 , H03H9/25 , H03H2003/025
Abstract: 本发明提供一种具备声音反射层的弹性波装置，其中，能够降低特性劣化的可能性。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；设置在支承基板(2)上的声音多层膜(3)；设置在声音多层膜(3)上的压电基板(4)；以及设置在压电基板(4)上的IDT电极(5)，声音多层膜(3)具有至少4层声阻抗层，该至少4层声阻抗层包含至少一层低声阻抗层(3a、3c、3e、3g)和声阻抗比低声阻抗层(3a、3c、3e、3g)高的至少一层高声阻抗层(3b、3d、3f)，还具备接合层(9)，该接合层(9)设置在从由压电基板(4)侧朝向支承基板(2)侧的第四层声阻抗层(3d)中起直到声音多层膜(3)与支承基板(2)的界面为止的任一位置。
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公开(公告)号：CN108028636A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680055300.7
申请日：2016-07-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
CPC classification number: H03H9/02897 , H01L41/0477 , H01L41/0533 , H01L41/1871 , H01L41/1873 , H03H3/02 , H03H9/02133 , H03H9/02228 , H03H9/02559 , H03H9/0585 , H03H9/14538 , H03H9/175 , H03H9/6406 , H03H2003/025
Abstract: 提供一种难以产生压电基板的翘曲、且难以产生特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)具备支撑基板(2)、被设置于支撑基板(2)上的声多层膜(3)、被设置于声多层膜(3)上的压电基板(4)、和被设置于压电基板(4)上的IDT电极(5)，压电基板(4)的热膨胀系数的绝对值大于支撑基板(2)的热膨胀系数的绝对值，声多层膜(3)具有至少4层的声阻抗层，还具备接合层，该接合层被设置在从压电基板(4)侧向支撑基板(2)侧的第1层的声阻抗层(3g)中至第3层的声阻抗层(3e)与第4层的声阻抗层(3d)的界面为止的任意的位置。
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公开(公告)号：CN107925396A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048608.9
申请日：2016-06-22
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H03H9/145 , H03H3/02 , H03H9/02228 , H03H9/02574 , H03H9/05 , H03H9/173 , H03H9/175 , H03H9/25 , H03H2003/025
Abstract: 本发明提供一种利用了板波的S0模式的弹性波装置，其中，即使电极膜厚变化，也不易产生声速、频率特性的偏差。在压电薄膜(5)的第一主面(5a)上设置有具有多根电极指的IDT电极(6)。在压电薄膜(5)的第二主面(5b)上设置有导电层(8)。在弹性波装置(1)中，在压电薄膜(5)中传播的弹性波为板波的S0模式，处于所述IDT电极(6)的电极指间下方的区域的压电薄膜(5)部分比电极指以及处于电极指下方的区域的压电薄膜(5)部分变化得大。
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公开(公告)号：CN107251427A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680012264.6
申请日：2016-01-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供难以产生无用波造成的特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)，作为激励电极而在压电体层(2)设置有IDT电极(3)，在压电体层(2)的第1主面(2a)上层叠音响反射层(5)，音响反射层(5)具有音响阻抗相对高的高音响阻抗层(5b、5d、5f)和音响阻抗相对低的低音响阻抗层(5a、5c、5e)，音响反射层(5)具有抑制无用波向压电体层(2)侧的反射的无用波反射抑制构造(5x)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110392978B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN201780086810.5
申请日：2017-12-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制无用波的弹性波装置。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；声反射膜(3)，设置在支承基板(2)上；压电薄膜(4)(压电体)，设置在声反射膜(3)上；以及IDT电极(5)，设置在压电薄膜(4)上。声反射膜(3)是由包含第一低声阻抗层(3a)、第二低声阻抗层(3c)、第三低声阻抗层(3e)、第四低声阻抗层(3g)和第一高声阻抗层(3b)、第二高声阻抗层(3d)、第三高声阻抗层(3f)的多个声阻抗层构成的层叠体。声反射膜(3)具有：第一声阻抗层，是多个声阻抗层中的一个声阻抗层；以及第二声阻抗层，是多个声阻抗层中的一个声阻抗层，且算术平均粗糙度(Ra)与第一声阻抗层不同。
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公开(公告)号：CN109560790B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN201811120744.1
申请日：2018-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种在构成有半导体元件的硅基板上设置有弹性波元件且弹性波元件的特性不易劣化的复合元件。复合元件(10)具备：硅基板(3)，具有相互对置的第一主面(3a)以及第二主面(3b)；半导体元件(2)，在硅基板(3)的第一主面(3a)侧以及第二主面(3b)侧中的至少一方构成；以及弹性波元件(1)，具有直接或间接地设置在硅基板(3)的第一主面(3a)上的氧化硅膜(4)、直接设置在氧化硅膜(4)上的压电体层(5)、以及设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，压电体层(5)的厚度为2.5λ以下。
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公开(公告)号：CN108028637B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201680055793.4
申请日：2016-07-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/145
Abstract: 本发明提供一种具备声音反射层的弹性波装置，其中，能够降低特性劣化的可能性。弹性波装置(1)具备：支承基板(2)；设置在支承基板(2)上的声音多层膜(3)；设置在声音多层膜(3)上的压电基板(4)；以及设置在压电基板(4)上的IDT电极(5)，声音多层膜(3)具有至少4层声阻抗层，该至少4层声阻抗层包含至少一层低声阻抗层(3a、3c、3e、3g)和声阻抗比低声阻抗层(3a、3c、3e、3g)高的至少一层高声阻抗层(3b、3d、3f)，还具备接合层(9)，该接合层(9)设置在从由压电基板(4)侧朝向支承基板(2)侧的第四层声阻抗层(3d)中起直到声音多层膜(3)与支承基板(2)的界面为止的任一位置。
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公开(公告)号：CN107251427B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201680012264.6
申请日：2016-01-14
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 提供难以产生无用波造成的特性的劣化的弹性波装置。弹性波装置(1)，作为激励电极而在压电体层(2)设置有IDT电极(3)，在压电体层(2)的第1主面(2a)上层叠音响反射层(5)，音响反射层(5)具有音响阻抗相对高的高音响阻抗层(5b、5d、5f)和音响阻抗相对低的低音响阻抗层(5a、5c、5e)，音响反射层(5)具有抑制无用波向压电体层(2)侧的反射的无用波反射抑制构造(5x)。
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公开(公告)号：CN109560790A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811120744.1
申请日：2018-09-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03H9/25
Abstract: 本发明提供一种在构成有半导体元件的硅基板上设置有弹性波元件且弹性波元件的特性不易劣化的复合元件。复合元件(10)具备：硅基板(3)，具有相互对置的第一主面(3a)以及第二主面(3b)；半导体元件(2)，在硅基板(3)的第一主面(3a)侧以及第二主面(3b)侧中的至少一方构成；以及弹性波元件(1)，具有直接或间接地设置在硅基板(3)的第一主面(3a)上的氧化硅膜(4)、直接设置在氧化硅膜(4)上的压电体层(5)、以及设置在压电体层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时，压电体层(5)的厚度为2.5λ以下。
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