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公开(公告)号：CN100555634C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710167003.4
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28035 , H01L21/28202 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/82385 , H01L21/823857 , H01L27/115 , H01L29/518 , H01L29/7842 , H01L29/7845 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。
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公开(公告)号：CN100388538C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200410061666.4
申请日：2004-06-23
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01M4/926 , F01N3/2053 , F01N13/009 , F01N13/0093 , H01M4/86 , H01M4/8636 , H01M4/90 , H01M4/921 , H01M2008/1095 , Y02E60/324
Abstract: 提供一种催化剂结构体和具有催化剂结构体的燃料电池，可以提高催化剂结构体的催化剂活性，且提高燃料电池的电池输出。该催化剂结构体的特征在于具有：导电膜、和在上述导电膜上形成的催化剂粒子，且构成上述导电膜的材料的晶格常数和构成上述催化剂粒子的材料的晶格常数的差≤16%。
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公开(公告)号：CN1822397A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610009024.9
申请日：2006-02-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L29/788 , H01L29/43 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L23/485 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L29/42332 , H01L2924/0002 , Y10S977/774 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，通过均匀地形成纳米点，提供高可靠性的纳米点存储器。另外，通过在隧道绝缘膜上采用硅氧化膜替代材料，提供高速、高可靠性的纳米点存储器。其特征在于，在硅或者锗基板，最好是硅或者锗的(111)基板上，具有使HfO2、ZrO2或者CeO2的高介电常数绝缘膜外延生长而成的隧道绝缘膜和在上述隧道绝缘膜上形成的CoSi2或者NiSi2的硅化物纳米点。
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公开(公告)号：CN115362060A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202080099280.X
申请日：2020-10-07
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 本发明的目的在于提供一种不含6价铬的、耐腐蚀性和耐磨损性优异的叠层体以及叠层体的制造方法。为了解决上述技术问题，本发明所涉及的叠层体的特征在于：包括基材和将两层以上的金属覆膜叠层而成的覆膜叠层部，在相邻的金属覆膜之间具有界面层，覆膜叠层部含有第一金属元素和第二金属元素，该第一金属元素以Ni、Cr、Co、W中的至少一种元素为主要成分，该第二金属元素是内聚能比第一金属元素小的金属元素，界面层所含的第二金属元素的含有比大于相邻的金属覆膜所含的第二金属元素的含有比。
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公开(公告)号：CN1820848B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200610004436.3
申请日：2006-02-14
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: H01M8/1009 , B82Y30/00 , H01M4/8636 , H01M4/8657 , H01M4/8885 , H01M4/90 , Y02P70/56
Abstract: 本发明目的在于提供催化剂活性高的催化剂结构体，并提供电池输出功率高的燃料电池。本发明的催化剂结构体具有载体、在前述载体上形成的纳米粒子、及在前述纳米粒子上形成的催化剂粒子，构成前述载体的材料的晶格常数与构成前述纳米粒子的材料的晶格常数之差是1％～16％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101465126B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810184330.5
申请日：2008-12-10
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3929 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143
Abstract: 本发明提供一种磁再现头、磁头以及磁存储装置。如果磁阻效应膜的轨道宽度小于等于50nm，则有时产生检测电流的泄漏。上述磁再现头防止这样的检测电流的泄漏，且可靠性以及成品率高。磁再现头(10)具备：下部磁屏蔽层(4)；上部磁屏蔽层(2)；形成在下部磁屏蔽层与上部磁屏蔽层之间的磁阻效应膜(30)；被配置成与磁阻效应膜的浮动面的相反一侧的壁面相接的元件高度方向填充膜(6)；以及配置在磁阻效应膜(30)的侧壁面上的轨道宽度方向的填充膜(1)。磁阻效应膜(30)是具备自由层(36)、绝缘阻挡层(34)、固定层(32)的隧道磁阻效应膜，绝缘阻挡层(34)是含有氮和硅中的至少一方的镁氧化膜、铝氧化膜、钛氧化膜中的任意一个。
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公开(公告)号：CN101609688A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910006431.8
申请日：2009-02-18
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3932 , G11B2005/3996 , H01F10/3254 , H01F41/307
Abstract: 本发明提供一种可靠性和成品率高的磁头和磁存储装置。该磁头包含：下部磁屏蔽层(4)；上部磁屏蔽层(2)；在上述下部磁屏蔽层和上述上部磁屏蔽层之间形成的磁阻效应膜(3)；以及使电流在上述磁阻效应膜的膜厚方向上流动的单元，磁阻效应膜是依次形成固定层(51)、非磁性层(52)、由氧化物层构成的绝缘阻隔层(53)、自由层(54)而得到的，氧化物层中含有钛和镍中的至少一种。
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公开(公告)号：CN101136407A
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200710167003.4
申请日：2004-07-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/28035 , H01L21/28202 , H01L21/823456 , H01L21/823462 , H01L21/82385 , H01L21/823857 , H01L27/115 , H01L29/518 , H01L29/7842 , H01L29/7845 , H01L29/7881
Abstract: 本发明提供一种形成多个具有栅极绝缘膜的晶体管的半导体装置，充分抑制通过栅极绝缘膜流过的泄漏电流。该半导体装置，其特征在于：形成具有半导体衬底、在上述衬底上形成的栅极绝缘膜、和在上述栅极绝缘膜上形成的栅电极的场效应晶体管，上述栅极绝缘膜以氮氧化硅(SiON)为主成分，上述栅极绝缘膜的变形状态是压缩变形状态。
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公开(公告)号：CN100356451C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510087477.9
申请日：2005-07-22
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/7325
Abstract: 本发明的第一个课题是提供信赖度高的垂直磁记录介质。本发明的第二个课题是提供功能良好的垂直磁记录介质。另外，本发明的第三个课题是提供信赖度高的磁记录装置。本发明的第四个课题是提供功能良好的磁记录装置。在具备基板、在上述基板的一主面侧形成的软磁性基底膜、与上述软磁性基底膜接触形成的非磁性膜、与上述非磁性膜接触形成的中间膜、与上述中间膜接触形成的垂直记录层的垂直磁记录介质中，上述中间膜含有使表面平坦性提高的添加元素。
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公开(公告)号：CN1820848A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610004436.3
申请日：2006-02-14
Applicant: 株式会社日立制作所
Inventor： 岩崎富生
CPC classification number: H01M8/1009 , B82Y30/00 , H01M4/8636 , H01M4/8657 , H01M4/8885 , H01M4/90 , Y02P70/56
Abstract: 本发明目的在于提供催化剂活性高的催化剂结构体，并提供电池输出功率高的燃料电池。本发明的催化剂结构体具有载体、在前述载体上形成的毫微粒、及在前述毫微粒上形成的催化剂粒子，构成前述载体的材料的晶格常数与构成前述毫微粒的材料的晶格常数之差是1％～16％。
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