公开(公告)号：CN1614086A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410092288.6

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 铃木正康

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/455 ,  C23C16/42 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/45508 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/511

Abstract: 一种表面波激发等离子体CVD系统，在通过将原料气体从上表面气体引入导管和侧表面气体引入导管其中至少之一供给到室(1)而供给包括硅原素的原料气体的同时，还用表面波激发等离子体激活原料气体，并将在原料气体中启动化学反应的过程气体从过程气体引入导管(5)供入到室(1)中。上表面气体引入导管和/或侧表面气体引入导管的气体供给孔被设置为比过程气体供给装置的气体供给孔更靠近衬底。

公开(公告)号：CN103890229B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201180072547.7

申请日：2011-09-26

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 铃木正康

IPC: C23C16/503 ,  C23C16/448 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32036 ,  C23C16/4587 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32091 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供一种等离子体成膜装置，具备：腔室，搬入有基板固定器，基板固定器具有搭载面，该搭载面搭载着基板；阴极电极，以与搭载面相对向的方式而配置，上述搭载面于腔室内、在上下方向延伸地配置；气体供给装置，将工艺气体导入至腔室内的基板固定器与阴极电极之间；以及交流电源，将交流电力供给至基板固定器与阴极电极之间，使工艺气体于基板固定器与阴极电极之间达到等离子体状态，将以工艺气体中所含的原料作为主成分的薄膜形成于基板上。

公开(公告)号：CN103119197A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180040939.5

申请日：2011-08-29

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 上野智子 ,  铃木正康 ,  小西善之 ,  东和文

IPC: C23C16/34 ,  G02F1/1333 ,  H01L21/205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L31/04 ,  H01L33/44 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L31/1868 ,  C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  G02F1/133305 ,  H01L51/5253 ,  H05B33/04 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的非晶质氮化硅膜是使用表面波等离子体CVD装置在成膜对象物上成膜而成，且对于该非晶质氮化硅膜来说，表面波等离子体CVD装置的介电窗与所述成膜对象物的距离为175mm以上，且是在成膜对象物的温度为200℃以下的条件下成膜，并且利用卢瑟福背散射(RBS)法及卢瑟福氢正散射(HFS)法测定的该非晶质氮化硅膜的膜中氢浓度为25atm％以下。

公开(公告)号：CN101971292B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200880127917.0

申请日：2008-04-08

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 铃木正康

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  H01L21/31 ,  H01L31/04

CPC classification number: C23C16/505 ,  C23C16/45565 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541

Abstract: 在通过施加高频而形成高频电容耦合型等离子体的等离子体CVD用阴电极的结构中，该阴电极与阳电极对向配置，同时与阳电极对向的对向面构成为凹凸形状，该凹凸形状通过由底面构成的凹部和由从该凹部的底面向阳电极侧突出的多个突出部形成的凸部构成。凸部的至少任意一个的突出部在侧面至少具有一个能够喷出反应气体的反应气体喷孔，该反应气体喷孔的反应气体喷出方向与凹部底面大致平行。通过使阴电极最优化而产生高密度的等离子体。

公开(公告)号：CN101874293B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880117487.4

申请日：2008-02-26

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 铃木正康

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/34 ,  C23C16/509

CPC classification number: H01L21/318 ,  C23C16/345 ,  C23C16/515 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02274

Abstract: 在利用电容耦合型等离子体CVD装置的成膜过程中，对低频RF电源进行脉冲控制。脉冲控制中，将实施电力供给的接通时间与停止电力供给的断开时间作为一个期间，以周期性地反复实施电力供给。脉冲控制中，将停止电力供给之后的等离子体中的电子密度的下降过程中、电子密度自停止电力供给起直至达到产生电弧放电的残留等离子体临限值为止的时间，与停止电力供给之后的等离子体中的高温电子的密度下降过程中、自停止电力供给起直至达到特定的等离子体状态为止的时间之间的时间间隔，作为停止电力供给的断开时间，并将开始电力供给之后等离子体中的高温电子密度的上升过程中的饱和时间作为电力供给的接通时间的上限，在上述条件下间断地供给电力。

公开(公告)号：CN100339505C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410092288.6

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 铃木正康

IPC: C23C16/517 ,  C23C16/455 ,  C23C16/42 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/45508 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/511

Abstract: 一种表面波激发等离子体CVD系统，在通过将原料气体从上表面气体引入导管和侧表面气体引入导管其中至少之一供给到室(1)而供给包括硅原素的原料气体的同时，还用表面波激发等离子体激活原料气体，并将在原料气体中启动化学反应的过程气体从过程气体引入导管(5)供入到室(1)中。上表面气体引入导管和/或侧表面气体引入导管的气体供给孔被设置为比过程气体供给装置的气体供给孔更靠近衬底。

公开(公告)号：CN1543272A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410042096.4

申请日：2004-04-30

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 铃木正康 ,  猿渡哲也

IPC: H05B33/10

CPC classification number: C23C16/463 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/466 ,  C23C16/511

Abstract: 本发明公开了一种沉积用于有机电致发光的保护薄膜的设备和方法，在通过表面波等离子体化学气相沉积(SWP－CVD)法沉积薄膜的薄膜沉积设备中，对上面放置有基底(9)的基底支架(8)配置冷却装置，由此防止在薄膜沉积期间可能引起的基底(9)温度升高。在基底支架(8)中形成冷却剂通道(81)，从冷却器(4)输送的冷却剂经冷却剂通道(81)循环，由此冷却基底支架(8)。另外，在被放置基底的基底支架的表面形成槽(82)，并且通过使He气流经槽(82)来冷却基底(9)。