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公开(公告)号：CN117917187A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202280060528.0
申请日：2022-09-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种电压降低充分得到抑制的显示装置。该显示装置包括：包括第一发光层、位于第一发光层上的第一电荷产生层以及位于第一电荷产生层上的第二发光层的第一发光器件；位于与第一发光器件重叠的位置的第一滤色片；包括第三发光层、位于第三发光层上的第二电荷产生层以及位于第二电荷产生层上的第四发光层的第二发光器件；位于与第二发光器件重叠的位置的第二滤色片；第一发光器件及第二发光器件所包括的公共电极；以及与公共电极电连接的辅助布线，辅助布线包括第一布线层及第二布线层，第二布线层通过绝缘层的接触孔与第一布线层电连接，第二布线层在俯视时呈格子状。
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公开(公告)号：CN109891551B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN201780066486.0
申请日：2017-10-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/12 , H10K59/12 , H10K71/00 , H10K50/11 , H05B33/02 , H05B33/10
Abstract: 以低成本且高生产率制造半导体装置。提高半导体装置的制造工序的成品率。在衬底上形成岛状金属氧化物层，以覆盖金属氧化物层的端部的方式在金属氧化物层上形成树脂层，照射光，由此使金属氧化物层与树脂层分离。在形成树脂层之后且照射光之前在树脂层上形成绝缘层。例如，将树脂层形成为岛状，将绝缘层以覆盖树脂层的端部的方式形成。在树脂层上形成粘合层的情况下，优选以位于金属氧化物层的端部的内侧的方式形成粘合层。
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公开(公告)号：CN112510097A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011132912.6
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/32
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN105874524B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201480066001.4
申请日：2014-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H01L29/786 , H01L51/50
Abstract: 本发明的目的是提供一种在一个衬底上形成有多种电路且设置有对应于多种电路的特性的多种晶体管的显示装置。该显示装置在一个衬底(11)上包括像素部和驱动该像素部的驱动电路。像素部包括具有第一氧化物半导体膜(84)的第一晶体管(10m)。驱动电路包括具有第二氧化物半导体膜(82)的第二晶体管(10k)。第一氧化物半导体膜(84)和第二氧化物半导体膜(82)形成在一个绝缘表面上。第一晶体管(10m)的沟道长度大于第二晶体管(10k)的沟道长度。第一晶体管(10m)的沟道长度大于或等于2.5μm。
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公开(公告)号：CN104821338A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510060315.X
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1770937B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200510113736.0
申请日：2005-10-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种以低成本、高成品率制造具有高可靠性和高清晰度的显示器件的方法。根据本发明，在像素区域的像素电极层上提供间隔物。此外，覆盖像素电极周边的作为分隔壁发挥作用的绝缘层的表面因反映绝缘层下的叠层体而形成为从像素电极表面的高度较高。利用该间隔物和用作间隔物的绝缘体支撑用于在像素电极层上选择性地形成发光材料时的掩模，以防止因该掩膜的扭歪或弯曲而使该掩模接触到像素电极层。因此，在像素电极层中不发生由掩模引起的伤痕等损伤，所以像素电极层不会成为不良形状，因此可以制造提供高分辨率的显示且具有高可靠性的显示器件。
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公开(公告)号：CN1770937A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510113736.0
申请日：2005-10-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L27/3211 , H01L27/3246 , H01L51/0011 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种以低成本、高成品率制造具有高可靠性和高清晰度的显示器件的方法。根据本发明，在像素区域的像素电极层上提供间隔物。此外，覆盖像素电极周边的作为分隔壁发挥作用的绝缘层的表面因反映绝缘层下的叠层体而形成为从像素电极表面的高度较高。利用该间隔物和用作间隔物的绝缘体支撑用于在像素电极层上选择性地形成发光材料时的掩模，以防止因该掩膜的扭歪或弯曲而使该掩模接触到像素电极层。因此，在像素电极层中不发生由掩模引起的伤痕等损伤，所以像素电极层不会成为不良形状，因此可以制造提供高分辨率的显示且具有高可靠性的显示器件。
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公开(公告)号：CN112510097B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202011132912.6
申请日：2015-02-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D30/67 , H10K59/121 , H10D86/60
Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。
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公开(公告)号：CN118235191A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075633.1
申请日：2022-11-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , H01L27/146 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管、发光器件、第一绝缘层、第二绝缘层及第一导电层的显示装置。晶体管包括半导体层以及与半导体层电连接的第二导电层。发光器件包括像素电极。第一绝缘层设置在晶体管上并包括到达第二导电层的第一开口。第一导电层覆盖第一开口。第二绝缘层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。像素电极覆盖第二绝缘层的顶面及第二开口。像素电极通过第一导电层与第二导电层电连接。第一绝缘层的端部位于第二导电层上。第二绝缘层的端部位于第一导电层上。第二绝缘层的端部位于第一绝缘层的端部的外侧。
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公开(公告)号：CN116783638A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202280012780.4
申请日：2022-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30
Abstract: 提供一种高清晰显示装置。提供一种高开口率的显示装置。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一EL层、第二EL层及公共电极。第一绝缘层覆盖第一像素电极及第二像素电极的端部。第二绝缘层设置在第一像素电极、第二像素电极及第一绝缘层上，并覆盖第一绝缘层的端部。第一EL层设置在第一像素电极上，第二EL层设置在第二像素电极上。第一EL层的端部与第二EL层的端部彼此对置，并与第一绝缘层重叠。公共电极具有与第一EL层重叠的部分及与第二EL层重叠的部分。第一绝缘层包含有机树脂，第二绝缘层包含无机绝缘材料。
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