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公开(公告)号：CN100346884C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN03147197.8
申请日：2003-07-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005
Abstract: 一种占地面积小的生产发光器件的装置及用此装置生产发光器件的方法。生产发光器件的装置包含装载工作室、形成发光材料薄膜的工作室、形成导电材料薄膜的工作室、形成绝缘材料薄膜的工作室、以及卸载工作室，其中，形成发光材料薄膜的工作室是用液体喷射方法形成发光材料薄膜的工作室，形成导电材料薄膜的工作室是用溅射方法形成导电材料薄膜的工作室，而形成绝缘材料薄膜的工作室是用溅射方法来形成绝缘材料薄膜的工作室，且其中，在所有装载工作室、形成发光材料薄膜的工作室、形成导电材料薄膜的工作室、形成绝缘材料薄膜的工作室、以及卸载工作室中，待要处理的衬底被支持成待要处理的衬底的成膜表面与重力方向所对着的角度在0-30度内。
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公开(公告)号：CN1591778A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410068570.0
申请日：2004-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/336 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02672 , H01L21/2026 , H01L21/268 , H01L27/1229 , H01L27/1251 , H01L27/1281 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78627
Abstract: 在辐射大范围输出激光束可选择性地辐射的情况下，可使用与常规不同的材料和结构的掩模来辐射激光束。本发明的一个特征是通过使用反射激光束的掩模来选择性地辐射将激光束。该掩模是由层迭至少第一材料和第二材料组成的迭层薄膜形成的。当第一材料的折射率为n1；第二材料的折射率为n2；且折射率满足n1＜n2时，为了用激光束从基片的上表面的一侧辐射，在基片上层迭非晶半导体薄膜、第一材料和第二材料。
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公开(公告)号：CN1486793A
公开(公告)日：2004-04-07
申请号：CN03147197.8
申请日：2003-07-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005
Abstract: 一种占地面积小的生产装置及用此装置生产发光器件的方法。生产发光器件的装置包含装载工作室、形成发光材料薄膜的工作室、形成导电材料薄膜的工作室、形成绝缘材料薄膜的工作室、以及卸载工作室，其中，形成发光材料薄膜的工作室是用液体喷射方法形成发光材料薄膜的工作室，形成导电材料薄膜的工作室是用溅射方法形成导电材料薄膜的工作室，而形成绝缘材料薄膜的工作室是用溅射方法来形成绝缘材料薄膜的工作室，且其中，在所有装载工作室、形成发光材料薄膜的工作室、形成导电材料薄膜的工作室、形成绝缘材料薄膜的工作室、以及卸载工作室中，待要处理的衬底被支持成待要处理的衬底的成膜表面与重力方向所对着的角度在0－30度内。
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公开(公告)号：CN1366341A
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN02105264.6
申请日：2002-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , G02F1/13454 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明特征在于,在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上,形成含稀有气体元素的半导体膜,并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且,在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。
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公开(公告)号：CN113571588A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110854378.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L29/417 , H01L29/24
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113540130A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110822972.9
申请日：2015-10-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , H01L27/32 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种外围电路部的工作稳定性高的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置包括第一衬底以及第二衬底。在第一衬底的第一面上设置有第一绝缘层。在第二衬底的第一面上设置有第二绝缘层。第一衬底的第一面与第二衬底的第一面相对。在第一绝缘层与第二绝缘层之间设置有粘合层。在第一衬底及第二衬底的边缘部附近形成有与第一衬底、第一绝缘层、粘合层、第二绝缘层、第二衬底接触的保护膜。
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公开(公告)号：CN107980178B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201680048760.7
申请日：2016-08-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/4763 , H01L27/12 , H01L29/423 , H01L21/4757 , H01L21/465
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。提供一种寄生电容小的晶体管。提供一种频率特性高的晶体管。提供一种通态电流大的晶体管。提供一种包括该晶体管的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置，包括：氧化物半导体；第二绝缘体；第二导电体；第三导电体；第四导电体；第五导电体；埋入在形成于第二绝缘体、第二导电体、第三导电体、第四导电体及第五导电体的开口部中的第一导电体及第一绝缘体；第二导电体的侧面及底面与第四导电体接触的区域；以及第三导电体的侧面及底面与第五导电体接触的区域。
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公开(公告)号：CN107710392A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680021254.9
申请日：2016-03-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/092 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1156 , H01L27/1225 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L29/24 , H01L29/41733 , H01L29/4908 , H01L29/517
Abstract: 本发明提供一种微型晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括：衬底上的半导体；半导体上的第一导电体及第二导电体；第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体；半导体上的第二绝缘体；第二绝缘体上的第三绝缘体；以及第三绝缘体上的第三导电体，第三绝缘体与第一绝缘体的侧面接触，半导体包括半导体与第一导电体的底面重叠的第一区域、半导体与第二导电体的底面重叠的第二区域、半导体与第三导电体的底面重叠的第三区域，半导体的顶面与第三导电体的底面之间的长度大于第一区域与第三区域之间的长度。
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公开(公告)号：CN1477676B
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN03132897.0
申请日：2003-07-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 浜田崇
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/3244 , H01L51/0021
Abstract: 采用电子束蒸发法在其上形成薄膜晶体管的衬底上形成薄膜的过程中，提供了一种形成所需的薄膜而不引起薄膜晶体管特性异常的技术。该技术的特征在于，用电子束蒸发法在电连接薄膜晶体管的电极上形成薄膜的过程中，对电子的加速电压进行控制，使得当用于形成薄膜的蒸发材料受到电子束照射时，辐射线基本上不从蒸发材料中辐射出来。辐射线基本上不辐射出来表示为：对电子的加速电压进行控制，使得薄膜晶体管不会因从蒸发材料中辐射出的辐射线而受到损坏。
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公开(公告)号：CN101202300A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200810003150.2
申请日：2002-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L21/02672 , G02F1/13454 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。
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