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公开(公告)号：CN103915645A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310705180.9
申请日：2013-12-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的一个方式提供一种容易形成电解液对流的二次电池。另外，本发明的一个方式提供一种能够交换电解液的二次电池。本发明的一个方式是一种非水二次电池，其包括：正极、负极、隔离体以及电解液，其中隔离体具有能够使电解液容易形成对流的槽。非水二次电池至少具有一个预定设置方向，当隔离体中的槽采用该预定设置方向时，优选隔离体的槽以垂直于预定设置面的方式形成。另外，外包装体包括：能够对外包装体内部注入惰性气体的第一开口；以及能够从外包装体排出或对外包装体注入电解液的第二开口。电解液交换装置能够从第一开口注入惰性气体并从第二开口排出或注入电解液。
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公开(公告)号：CN1790671B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200510118844.7
申请日：2002-03-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/822
CPC classification number: H01L22/14 , G01R31/2601 , G01R31/2607 , G01R31/3025 , G09G3/00 , G09G3/006 , H01L27/1255
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括能确认形成在阵列衬底上的电路或电路元件是否正常运行的非接触检测工艺，并通过消除浪费以保持缺陷产品形成，能降低制造成本。利用形成在检验衬底上的初级线圈和形成在阵列衬底上的次级线圈整流和整形由电磁感应产生的电动势，由此将电源电压和驱动信号输送给TFT衬底上的电路或电路元件，以便驱动它。
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公开(公告)号：CN101101869B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200610115609.9
申请日：2002-08-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , B23K26/00 , B23K26/08
CPC classification number: H01L21/02691 , B23K26/0838 , C21D1/34 , H01L21/02686 , H01L21/2026
Abstract: 本发明涉及激光退火装置和相应的半导体设备制造方法，其中在用激光束斜向照射基底之前，移动机械装置被加速地移动，在该照射期间以恒定的速度被移动，以及当该激光束照射的位置处于该基底之外时被减速地移动。由此可以防止或减少同心圆图案的产生，从而提高了半导体设备的可靠性。
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公开(公告)号：CN100438063C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN03103108.0
申请日：2003-01-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L21/335 , H01L27/15
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3211 , H01L27/3216 , H01L27/322 , H01L27/3246 , H01L27/3272 , H01L27/3276 , H01L27/3279 , H01L51/5212 , H01L51/5228 , H01L51/5253 , H01L2251/5315 , Y10S257/929
Abstract: 提供一种具有高清晰度、大屏幕的象素部分的高可靠性的发光器件。根据本发明的发光器件，在提供在象素电极之间的绝缘体(24)上形成由金属膜制成的辅助电极(21)，因而可以制造低电阻和很薄的导电层(20)，该导电层与辅助电极接触由透明导电膜制成。此外，利用辅助电极(21)以获得与下层上的电极的连接，因而可以用在EL层上形成的透明导电膜将该电极引出。此外，形成由叠置形成的含有氢的薄膜和氮化硅膜的保护膜(32)，由此获得高可靠性。
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公开(公告)号：CN101118923A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610081922.5
申请日：2000-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/5237 , H01L51/5246 , H01L51/5259 , H01L2251/5315 , H01L2251/566
Abstract: 为了提供一种高效率薄膜沉积方法，用于精确地薄膜沉积由聚合物制成的有机EL材料而没有任何偏移。像素区被棱分割为多个像素行，薄膜沉积装置的头部沿着像素行扫描从而同时把红光发射层涂敷液体、绿光发射层涂敷液体和蓝光发射层涂敷液体涂敷成条状。然后进行热处理以便形成发射红、绿和蓝色光的光发射层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1293601C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02158432.X
申请日：2002-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/324 , H01S3/00 , B23K26/00
CPC classification number: H01L21/02683 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/082 , B23K2101/007 , H01L21/02691 , H01L21/2026 , H01L27/1285
Abstract: 提供了一种可以提高基片处理的效率的连续振荡激光装置、一种激光辐射方法，和一种用该激光装置制造半导体器件的制造方法。根据掩模来控制在图形化以后应留在基片上的半导体薄膜的部分。然后，决定要由激光扫描的部分以便可以使至少通过图形化所得到的部分晶化。同时，束斑照射到要扫描的部分。因此，将半导体薄膜部分晶化。即，根据本发明，激光不扫描和辐射半导体薄膜的整个表面而是进行扫描使至少必不可少的部分被晶化。根据上述结构，可以节省激光辐射在半导体薄膜晶化以后将要通过图形化而去除的那一部分上所用的时间。
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公开(公告)号：CN1288734C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02119364.9
申请日：2002-05-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广木正明
CPC classification number: G01R19/0084 , G01R1/07 , G01R31/01
Abstract: 一种检查方法，借助于消除在布线或探针端子上建立探针的必要而简化了检查步骤，以及一种用来执行检查步骤的检查装置。电压被施加到各个被检查的电路或电路元件，以便使其工作。对各个被检查的电路或电路元件在工作过程中的输出进行信号处理，以便形成包括有关电路或电路元件工作状态的信息的信号(工作信息信号)。工作信息信号被放大，并用被放大了的工作信息信号对分别输入的交流电流的电压幅度进行调制。以非接触的方式读出被调制了的交流电流的电压，从而确定相应的电路或电路元件无缺陷还是有缺陷。
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公开(公告)号：CN1274014C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02119359.2
申请日：2002-05-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 广木正明
Abstract: 本发明提供了一种在互连点上不使用探针的简单的测试方法，以及采用这种测试方法的一种测试装置。一个测试衬底所拥有的原边线圈和一个OLED面板所拥有的副边线圈通过一个固定间隔被重叠在一起。对原边线圈输入一个交流信号，利用电磁感应在副边线圈上产生一个电动势。利用这一电动势来操作OLED面板所拥有的象素。通过一个固定间隔使一个象素电极和一个测试电极重叠在一起。通过监测在测试电极上产生的交流电压来检测故障点。另外还可以通过在改变测试电极位置的同时监测在测试电极上产生的交流电压而确认各个象素的工作状态。
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公开(公告)号：CN1734746A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510083684.7
申请日：2000-10-13
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0005 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3295 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/56
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，其包括：在基材上形成至少第一和第二源信号线，所述源信号线在第一方向中延伸，其中第一源信号线被连接到许多的薄膜晶体管，并且第二源信号线被连接到许多的薄膜晶体管；在第一源信号线上形成至少第一条形堤状物，并且在第二源信号线上形成至少第二条形堤状物，其中第一和第二条形堤状物在第一方向中延伸；和在第一和第二条形堤状物之间，在沿着第一方向延伸的至少两个像素上施加包含有机材料的溶液。
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公开(公告)号：CN1132241C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN98103801.8
申请日：1994-10-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L21/02686 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/2026 , H01L21/28079 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , Y10S438/981
Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。
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