公开(公告)号：CN1855398A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077821.0

申请日：1994-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  广木正明 ,  张宏勇 ,  山本睦夫 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/28079 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/981

Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。

公开(公告)号：CN1263160C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200310103678.4

申请日：1994-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  广木正明 ,  张宏勇 ,  山本睦夫 ,  竹村保彦

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。

公开(公告)号：CN1249506C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN03104197.3

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1221018C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN98116320.3

申请日：1994-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 张宏勇 ,  鱼地秀贵 ,  竹村保彦 ,  高山彻 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675 ,  Y10S148/016

Abstract: 形成一种包含催化剂的物质以同非晶硅膜紧密接触，或将催化剂导入非晶硅膜。在低于通常非晶硅结晶温度下热处理非晶硅膜，使其有选择地晶化。该结晶区用作能用于有源矩阵电路的外部驱动电路中的结晶硅TFT。保持非晶态的区用作可用于象素电路中的非晶硅TFT。本发明可在同一衬底上用同一工艺形成高速操作的结晶硅TFT和漏电流小的非晶硅TFT，从而大大增强了批量生产率和改善了产品诸性能。

公开(公告)号：CN1664683A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200510065164.3

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  G02F1/133 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100－750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1607875A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410097474.9

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/26 ,  H05B33/08 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100－750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1516282A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03104196.5

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100－750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1495884A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN200310103678.4

申请日：1994-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  广木正明 ,  张宏勇 ,  山本睦夫 ,  竹村保彦

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78627

Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。

公开(公告)号：CN1282980A

公开(公告)日：2001-02-07

申请号：CN00104111.8

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路,它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFT)。半导体层的厚度小于1500A,例如在100－750A之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1107257A

公开(公告)日：1995-08-23

申请号：CN94112813.X

申请日：1994-10-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小沼利光 ,  广木正明 ,  张宏勇 ,  山本睦夫 ,  竹村保彦

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/28079 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  Y10S438/981

Abstract: 在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管(TFT)。由于形成在TFT中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据TFT的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个TFT的有源层中形成的高阻区宽度。