公开(公告)号：CN1111902C

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN93121131.X

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  崔葆春 ,  A·村上 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/34

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1051878C

公开(公告)日：2000-04-26

申请号：CN93116561.X

申请日：1993-07-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上茜 ,  宫崎稔 ,  崔葆春

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01L21/285 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 根据一种透明导电薄膜的制造方法，用溅射法，在室温下形成ITO(铟锡氧化物)薄膜之后，在氢气氛中，在适当温度下，比如在高于200℃的温度下，对薄膜进行退火处理。

公开(公告)号：CN1302560C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN99107129.8

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  山本睦夫 ,  崔葆春

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1239835A

公开(公告)日：1999-12-29

申请号：CN99107129.8

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  山本睦夫 ,  崔葆春

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500A，例如在100—750A之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN100359633C

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN00104111.8

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/00

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFT)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1282252C

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN03104196.5

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100-750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1089756A

公开(公告)日：1994-07-20

申请号：CN93116561.X

申请日：1993-07-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 村上茜 ,  宫崎稔 ,  崔葆春

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01B5/14

CPC classification number: H01L21/285 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

Abstract: 根据一种透明导电薄膜的制造方法，用溅射法，在室温下形成ITO(铟锡氧化物)薄膜之后，在氢气氛中，在适当温度下，比如在高于200℃的温度下，对薄膜进行退火处理。

公开(公告)号：CN1516281A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03104195.7

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100－750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1432858A

公开(公告)日：2003-07-30

申请号：CN03104197.3

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  A·村上 ,  崔葆春 ,  山本睦夫

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路，它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100－750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。

公开(公告)号：CN1090946A

公开(公告)日：1994-08-17

申请号：CN93121131.X

申请日：1993-12-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫崎稔 ,  崔葆春 ,  A·村上 ,  山本睦夫

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/90

CPC classification number: H01L23/53223 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48

Abstract: 一种在绝缘基片上形成的电子电路。它具有由半导体层构成的薄膜晶体管(TFTS)。半导体层的厚度小于1500，例如在100—750之间。在半导体层上形成主要由钛和氮构成的第一层。在所说的第一层上面形成由铝构成的第二层。将此第一和第二层按一定图形刻蚀成导电互连线。此第二层的下表面实质上完全与第一层紧密接触。互连线与该半导体层有良好的接触。